H01C 7/00 — Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него

Номер патента: 73268

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Ткач

МПК: H01C 17/30, H01C 7/00

Метки: сопротивлений, стабильных, электрических

...температурного коэффицце:та и сохранения отрицате,ьцого козво)цццснта у части слоя, прилегающего к сердечнику, сопротивления подьсргастся кратковременному прок 1- ливацию при температуре 3000. Известен спосоо прозводствя стябцлы 1 х элсктричсскцх сопротивлений из тсрмостойкого сердечник с цгцессцньо ца него слоем углерода. Описываемый способ отлцчастся ст известных тем, что для придания нару:кно части слоя уг,сродя НОложитсльпОГО те.перяту 1)- ного коэффициента ц сохранения отри атсльного температурного коэффИцИЕцта у Чаетц СЛОЯ, ПрИЛЕГ)оц(сО К СерДЕЧНИКу, СОПрОтИВЛЕНИЕ подвергается кратковреегпо.л прокялцвяцию цри температуре 3000.Предвдритеьно тсростоикц ци цц,р с цацесенц 1 м слоем рястВоренной нитроклетчЯтки формирусся Обьчц...

Номер патента: 96599

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Быков, Максимов, Устинов

МПК: H01C 7/00

Метки: безреактивная, катушка, сопротивления

...П П р О В с1 с 11 3 Ч С Т К(1 П( Л ( (,с .Н Я К 01 1 Х ССКПЙ. 1 с)Кд 351 ССКция ПЯ 1 ОТЯНЯ В дВЯ ,1051 Пя ОТд(.ГЬ 1 ЫЙ фярфороВЫй тРУОа ГЫЙ КаРКаС.,Показс 1 пп с 5 НЯ ч(1 тсжс к 11 пкЯ пмсст ВОс 1 (И 11 1 О 1 00 1, труочатыс каркЯы 1, 2, 3 которы.: распо,Ожепы по 0(разюп. цилиндра па черте)кс впдны пять каркасов, пз которых каркасыи Э 1 ОКс 13 1 П 1П ср:1(1,1 яр сГ П В сн П 51 ра 31(1 й сКТ ВН Ы Х 01 1)0"ТИВ 1(Пй ВСРХРСГО И ПИКНЕ 0 С,О(.В КЯЖДЫЕ ДВ( СЕКЦИ 1 ВК ЮЧс 1 ОТСЯ последовательно с соединением конца нижнего слоя первой секции с НаЧЯЛОМ ВЕРХНЕГО СЛОЯ ВтОРОй ЕКЦИИ, П ПсОбОРОт 1 ЛЯ СтЯОПЛИЗаЦПИреяктиВных кячестВ кятуцеки и повыше 5 я и незяВисиыости От характера измерительных схем, з которых могут применяться безреактивные катушки,...

Номер патента: 103174

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Бочкарев

МПК: H01C 7/00

Метки: непроволочное, сопротивление, электрическое

...возгоняемого материала для проводящего слоя применять порошкообразную смесь из металлического сплава и цепроводящих окислов.Из указанной смеси можно получать пленки с удельным объемным сопротивлением, во много раз ббльшим, чем у пленок, полученных таким же методом, но при возгонке только одного проводящего металлического сплава. зоБрктенййСВИДЕТЕЛЬСТВУ Одновременно при возгон( печивается высокая степень дисперсности испаряемых материалов и однородность структуры пленки.Величина сопротивления регулируется составом смеси и толщиной пленки.К числу непроводящих или плохо проводящих окислов, которые пригодны для испарения в смеси с тем или иным металлическим сплавом, могут быть отнесены двуокиси кремния и титана, окиси алюминия, хрома,...

Номер патента: 112553

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Фролов

МПК: H01C 7/00

Метки: непроволочное, сопротивление

...с алюминиевым основанием является малы Вес и возможность Выпо;(цения его без применения специальных крепежных деталей 1 в особенности для мощных сопротивлений).Подгонка величины сопротивления путем создания спирального полупроводящего слоя облегчается вследствие несколько меныцей абразивности окисного слоя алюминия 1 не чистая окись алюминия,а гидратироваццая окись).Прсдмет изобретенияНепроволочное сопротивление в виде полупроводящего слоя, нанесенного на изоляционное основание, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочности и тсплостойкости, в качестве материала основания применен оксидироваццый ал(оминиц.Отв. редактор Л. П, СитниковСтандартгиа. Подп. к печ. 19/111-1958 г. Обьеи 0,125 п. л, Тираж 800, Цена 25 коп.Гор. Алатырь,...

Номер патента: 112795

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Бочкарева

МПК: H01C 17/08, H01C 7/00

Метки: керамическое, основание, сопротивления, тонкопленочного, электрического

...0 ;сОсЕ(. 6 ЬГГЬ НрсЛЛ)ЖСПО Пенс рсНП ри Вяечч:се 10,1/л/ рт. ГГ. Грс/с/- С 6 ИРПЯ П 6 ОРНОГО сн/ГПЛРИЛЯ В ГоОпюпсе///// 80 Вс/Г), 20" В О. Об)епг /,с 3 Г 05 При те/и/ср;гчрс с)00 1000=, //Ис 1)/с/сс 15 20 н//)т. Прп 6051 Яи/; ТСС П ГРсТ 1 Р с/.:, Р син 0 Е И Е 1 пр/3 Оогпп/ие Бьслс ржеях, мо)с /рои:опти чатп иное р/збс/В,н/1( СОСТИ 13 И(ЛОЧНО-ЗСЧСЛЯ НИО /ЯЛСГ/ОЯ Зс ГсГ иС.ЛОП/0/ .ТСЛОВ с 1 ТОП фДЗЫ СССРМ/ИЕе/ОГО ОСПОСси/СЯ, Всгслствие чего заппгпсые ГБОЙГТВя ндлслоя могут сн/гь су//ест/Сино ослаб,/с пы 1 Г 15 ,.1 ииси 15 ВЛ/япп 5 и ,1- Ноц С"Г ;0 д (,Н (1)д И, Исз ,1/ИИТ/11 свопсп// НН.,)П 10-:Гм(льн 10 па.с- С 051 )/ЕС 01 Ь Р/1 СПСН Гг/СЛЧ/0 - и,и/ //р//с. )60 и;жепп с 1(срсмпГСЕИ ОГПОИПП 51 П(.Р(., Н 1 ПСССН//Е:( Н) По 3( Р./С /Ос/ 1...

Номер патента: 118881

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Шестаков

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00, H01L 21/326 ...

Метки: алюминиевой, материалу, медной, металлической, полистирола, полупроводника, придания, пудры, свойств, смеси

...И ДРУГОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПУДРЫ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКАЗаявлено 8 апреля 1957 г. за М 602075/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРПредмет изобретения Способ придания материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, медной или другой металлической пудры свойств полупроводника, отличающийся тем, что материал подвергают действию переменного электромагнитного поля. В технике применяют способы, позволяющие придавать некоторым материалам свойства полупроводников путем воздействия на них различными внешними факторами.Предлагаемый способ позволяет придавать свойства полупроводника материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, меднон или другой металлической пудры.Для этой цели материал подвергают...

Номер патента: 122192

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Курлина, Текстер-Проскурякова, Шефтель

МПК: H01C 17/30, H01C 7/00

Метки: полупроводниковых, сопротивлений, термочувствительных

...используются гидратные соединения Мп, Сц, Со и М Эти компоненты тщательно перемешиваются, и из полученного порошка путем прессовки в пресс-формах или протяжки через мундштук шприц-пресса формируются заготовки различной формы и размеров Обжиг заготовок производится при температуре 1000 - 1400 (в зависимости от состава марганца) в окислительной газовой среде. При этом в материале образуются химические соединения переменного катионного состава со структурой типа кубической шпинели.Затем в.торцовые поверхности образцов вжигаются серебряные контакты с помощью специальных паст, обычно используемых в керамическом производстве, Заготовки подвергаются термообработке (прогрев при 200 - 300 ) с целью повышения их стабильности, после чего...

Номер патента: 122514

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Гальперин, Муцянко, Солдатова

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00

Метки: высокоомных, непроволочных, сопротивлений

...115 Т) КОПС)В 11 ИИ С ВС С 1) и .5(с 1,11)1.5 СОДСрЖ 11 С 5 С 15 К, 531 1 РИ 30,ИТ К ПСОДИОРОДИОСТИ КОЫПОВИЦИИ И ЛР ИС ИО ЛИПС 11 ОСТИ 13051 - с).) игрОП .",Б) лк срис 1 и к и г Пс)0 ис иог)Вс)13(1 ) (и) )к и с Оогп)ии) с О:5 срж- ИИС) ГСТугИК ИрИЫСС(.11, ТО В;С"СТ Вс 1 СООО:1 ИСЖ(.Гс 1 ТС, П)ИОС 513(ГИС,ПС Т СК)И С р сС р И 0 ГО К 0 ) ф ф И ц И С 3 с С 0 П р О Г И ВГ 1 С И я 13 с 13 я В:1 с 5 13 С Г И С И И С.)П ( . ТСИцпс 1 ГИ)БОГО С)срСрс Д,151 ПСРС.фОДс ВГ 1(Кропо 3 5 сЖ;Ы 01 ДсриИ 1)1.5 И Кр:1- С"1 сГГ 11 К с 511 .ПСГЬ 0 )СТрс 1 И(.ИИ) Кс 13 с 1 ПИК рЫДИОСГС 1 И ОС).СПС"1(.151 130.35,сКИСИО 31)ип(5 И 5 С ДС,11)ПОГО СОПРОГИ 35 сИ И 5 сцЖИ ПРИ СОСР(испив )ЛГс)(5СО)1:1(,)1 Тср1 О Сс)С)С)1)цСИТс 1 С Опр 01 И 105.5 К .ри( ) И(5 К,С. И...

Номер патента: 123225

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Кантин, Мацюта, Потихонов

МПК: H01C 1/08, H01C 7/00

Метки: сопротивление, электрическое

...электрическ трубки с развити гОс ГЬ ВЛ ИЧЕНИ я ПРОЬОДЯ)ЦЕГО СЛОЯ н ) с ) т и В 1 с н и 51 н 1) и К 1 Рнс)е 1 ИС СОИ РОТИВ,ЕНИЯ, ВЫПО 1 НОННЫ В ВИД ТРО- его материала с на)1 сенным на ее внутренн)ою потокопроводяшим слоем, оклаждаемым пропускаемой ЖДаОИ 1 СРЕДОЙ (НсПРИМЕР. ВОДОЙ ИЛИ ВОЗДУКОМ). Пр дЛаГИЕМОГО совр)ИВЛЕНИя, ОГНОС 5 ИГЕГОСя К ЭТОЮ ик сопротивлений, является выполнение указанноЙ 1 внстренней и)Веркность)0, что обеспечивает зозможКс)К ПВЕР.СНС 1 И О.с)ЖДЕНИ 51, ТаК Н ПЛОПс)ДИ ТОКО- и, ЛдС)ват,1 НО, НОВОГ 5) СВЛИЧ тЬ иГр)З)с) СОжс .ГО н арф ж)111 к Гс 1 бари Гны.с рс 13.1 с")и. 1 рс дмс Г изОГ)р 1) в Виде трубки из)Внс трепиОю поверхпропуск 1 мо 1 черези воздуком), Отл иеркности О.:;)ажд.ИИ 5тр бка имет рс)ВВ чески:онротивлени,...

Номер патента: 123594

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Остряков

МПК: H01C 7/00

Метки: сопротивление, электрическое

...содержания с тивления, пластикат 0 - 70 вес. ч. пластиф ажи и м, что, ажи и состоит икатора опротивлен инила, о ности по ого сопр инила и. получения 40 вес. ч. фталата),Настоящее изобретение относится к электрическим сопротивлениям из смеси каучука, сажи и пластиката на основе полихлорвинила.Предлагаемое сопротивление отличается от известных тем, что пластикат состоит из 30 - 40 вес. ч. полихлорвинила и 60 - 70 вес. ч. пластификатора (дибутилфталата) .Такой состав дает возможность повысить содержание сажи в смеси и тем самым получать низкоомные сопротивления.Предлагаемое сопротивление изготовляется следующим образом. На 100 вес. ч, указанного пластиката вводят на вальцы необходимое количество ацетиленовой сажи и соответствующее...

Номер патента: 129707

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Пионтковский

МПК: G05F 3/10, H01C 7/00

Метки: питания, постоянного, потребителей, стабилизации, цепи

...обмоткой из двух секций а и б. Секция а включена последовательно с угольным столбиком УРь а секция б - последовательно с угольным столоиком УР,. Обмотки секций намотаны так, что магнитныи поток, создаваемый током, протекающим по секции б, увеличивает общий магнитный поток, складываясь с магниг. ным потоком основной обмотки К, а магнитный поток, создаваемый током, протекающим по секции а, уменьшает результирующий магнитный поток,129707 Когда ток нагрузки распределяется между обоими регуляторами равномерно, то результирующее действие обеих секций а и б дополнительной обмотки равно нулю, так как обе секции имеют одинаковое число витков.В случае, если, например, ток, протекающий через столбик УР меньше, чем ток, идущий через столбик УР 2, то...

Номер патента: 147625

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Лазарев, Лихачев, Мамыкин

МПК: H01C 17/20, H01C 7/00

Метки: объемное, сопротивление

...объсмного сопротивления оксидные пленки с добавлениями наносятся вышеописанным путем на наполнитель - дисперсную окись алюминия, после чего к нему добавляется связка, в качестве которой используется стеклянный флюс. После тщательного перемешивания и нанесения на керамическое основание производится прессование без защитной среды при температуре 800.Описываемое сопротивление позволяет упростить технологический процесс за счет хорошей смачиваемости опыленного наполнителя флюсом и возможности прессования без защитной среды, получать различные номиналы путем применения пленок разного удельного сопротивления, производить изготовление элементов, работающих в диапазоне температур от +100 до +500 с сохранением основных электрических...

Номер патента: 151999

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Юрьев, Яворовский

МПК: H01C 7/00

Метки: постоянное, сопротивление, тонкопленочное

...любая другая. На эти три грани нанпленка 2 (слой двуокиси олова), а затем на двени поверх пленки помещается серебряный слойконтактов. Ребра и вершины куба закруглены дмерности нанесения металлоокисной пленки имежду ней и слоем серебра,Таким образом, функцию собственно сопротталлоокисная пленка, обеспечивающая полнуюпротивления,Описываемое сопротивление представляетпетлю связи, которая при впаивании в СВЧ трасогласование в широком диапазоне частот, Такизгоговить любого значения от 10 до 100 о,ч ивания СВЧ трактов с разными волновыми сопр яет ме сть со ивления выпол безындуктивованную хорошее е можно согласособои соглас кт обеспечивает ое сопротивлени применить для отивлениями. К АВТОРСКОМУ СБМ противление отличает- меньшими габаритами,...

Номер патента: 155211

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00

Метки: 155211

...и способного сгладить рельеф поверхности керамики вследствие ее некоторого оплавления. Покрытые таки;путем осноя подвергают Обкатке В барабаРс с водой. Благодаря трению ОсноВаний друГ 0 друГ 2, нанесеннос покрытие стираетс 51 с их говерхностей за исключением тех дефектных мест, которые находятся в углублеРиях раковины, сколы, риски, царапины н т. п.).После промывки В Оараоане с Водои кера.5 Иеские Основания загружают в печь на обжиг. При этом слой плавня, оставшийся в дефектных местах, вступает во Взаиъ 10 дейстВие с 1 хезям 1 Гескпм ерег. ком, оплавляя покрытые им участки поверхности оснований. Режимы для осуществления указанны.; технологических операций определяотся конкретиызи услОВ 11 яз 11 производства - сосаа керамических...

Номер патента: 155525

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00

Метки: 155525

...сл(я с внутренней поверхности трубок, поясняющее описываем ы Й СПОСООГОсге науГлерожпваця кера.1 И 1 ескОЙ труоки 1 с ОднОГО ее тозцаа(611;звоз снимают сгой . Глсрода, а к дрмом торцу прижимаот то(ОгрОГОдяшее колыО 2. Через кольцо и протнВОположный торец тр;бки водя два электрода 3 н 4. Электрод о соедин 1 ют с кольцо 2 и по Ил 0 аот к зан(из( а источника питания; электрод 4 соедин 1 ют с зажимом 6 От ТОГО жс источника питания. Пере:1 еШая электроды 3 и -" Г Оль трубки 1, элсктрнческоЙ дуг 011, возникаюшей при солнжсции э,сктро.ОВ, ыжают углерод 1 стыЙ слОЙ 7. Электриеская дга возник;ег как (1 еждэлектродази 3 и 4, так и зежду эекродо 4 и глеродистьм слоем 7. После выжигания слоя 7 с внутренней поверхностиМ 1555 о 5 керамической...

Номер патента: 208085

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Жев, Макушев, Пржисецка

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00

Метки: печатных, схем

...за еские контакты на за щей краской при мон. ых местах печатной ор закрашивают, наНагрузочна я способвается благодаря тоеивается по всей плоатных схем, луж а щей осной на нее щейся токоИзвестны резисторы для печсостоящие из стеклянной нити, сновой сопротивления, и нанесенлакосажевой композиции, являюпроводящим слоем.Особенность предлагаемого рключается в том, что стекляннаяиена из крученого волокна.Такое выполнение резисторавысить технологичность при изгРезистор для печатных схемследующим образом.Гибкая калиброванная стеклкрученого волокна, двигаясь4 - б,я в минуту, пропитываетлаком Кна основе смолытемпературе 170 - 360 С в течеЗатем на подготовленную новемногократно наносят лакосажецию. Причем после каждого пподвергают термообработке...

Номер патента: 277910

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бондаренко, Власов, Кочанов, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: 277910

...Сс 10, ХгОе обладают и и не обеноминалов,Эта цель достигает стора, керамическая иена из керметов ред лаптана, иттрия и т я использованием рези- снова которого выполоземельных элементов; рия. ента берут из упомяэлементов его замешие чего пресодорода до В кмелкоднутых(разме ачестве исход иоперсный ,пор окислов ред р кристалла до органической обжигают вного козспон ошок одного коземельных10 мкм) и вязкой, посл атмосфере в вают с суют и2000 С Цель изооретения - стабилизация выходного номинала электропроводности и получение низкоомного диапазона сопротивления. 1. Резистор на основе керамики, отличаюиисйся тем, что, с целью стасилизацни выход 5 ного номинала электропроводности и получения низкоомного диапазона сопротивления,керамическая...

Номер патента: 283366

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бондаренко, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...дующим об силиката ц шивают на создания з обжигают 2 - 3 час. замет для ия и ение те н и едмет и 10 Резистивн ния на осно изготовленн металлов и месью в ви 15 личаюи 1 ийся диапа:зона ности парах ства исполь рый в каче 20 марганец 2Изобретение относится к электроннои технике и может быть использовано,при производстве резисторов.Известны резистивные материалы на основе валентных полупроводников, изготовленных из солей щелочноземельных металлов и ортокислот с примесью в виде металлических соединений.Однако электропроводность этих материалов невысока, что не позволяет изготавливать из них электросопротивления с широким диапазоном номиналов.Целью изобретения является расширение диапазона номиналов электросопротивлений и повышение...

Номер патента: 283367

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гальперин, Солдатова, Техаа

МПК: H01C 7/00

Метки: композиция, резистивная

...что способствует однородности композиций и улучшению ее электрических характеристик. на уют естмет изобретения П Резистивющей смо.в ней частвиде сажирасширении улучшенкопроводящруктировандисперснаяоб. %. Изобретение относится к непроволочным резисторам на основе лакосажевых композиций.Минимальное сопротивление известных пленочных лакосажевых композиций, используемых в современных непроволочных резисторах, составляет 50 - 100 ол на квадрат поверхности,Для получения более низкоомных композиций увеличивают объем сажи, но при этом ухудшается механическая прочность, пленок, их адгезия к подложке, стабильность к нагреву и действию защитных покрытий,Критический объем мелкодисперных саж, используемых в производстве резисторов, не превышает...

Номер патента: 287163

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васильев, Корнеева

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, тонкопленочных, юстировки

...в котозонд, соединенный сконец которого пконцов резистора. резистотивного мпнала, ышения печения поверхкаплючьчатыйдругой ною из тонкопленочных о окисления рези ым контролем но что, с целью пов резисторов и обес томатпзации, наслоя помещают р ю вводят игоисточником тока рисоедпняют к од Опубликовано 19.Х 1.1970. Бюллетень35 бликования описания 28.1.1 ф, Васильев и Г. В, Корнеева Известны способы юстировки тонкопленочных резисторов путем анодного окисления резистпвного слоя с одновременным контролем номинала,С целью повышения точности юстировкп и обеспечения возможности ее автоматизац:и по предлагаемому способу на резистивный слой помещают каплю электролита, в которую вводят игольчатый зонд, соединенный с источником тока....

Номер патента: 288091

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бочкарев, Бочкарева

МПК: H01C 7/00

Метки: непроволочный, резистор

...части диэл использовано вещес тальными составля фазу, например оки проводящей компоне 25 окислов лантаноидов, зи стор, снабженныи кеием, покрытым токопротоящим из токопроводякой компонент, отличаюлью повышения стабильпараметров резистора, в ектрической компоненты тво, образующее с осющими стеклообразную слы ванадия, и при токонте из металлосилиция и Известный непроволочный резистор с нанесенным на керамическое основание токопроводящим слоем из токопроводящей и диэлектрической компонент имеет относительно низкую стабильность параметров.,В цредлагаемом нвпроволочном резисторе повышение стабильности вто параметров достигается использованием .в качестве части диэлектрической компоненты, вещества, образующегоо с остальными...

Номер патента: 294181

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гребенкина, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: власов, королева, перевезенцев, просвирника

...В.Е. Просвирнина и П, И. Коро Знамени институт проблемАН Украинской ССР мсонов, В. Г. Греб Л. Г, Власов, Н. Трудового Красног денияПер евезенцев,ева Орден Заяви риалове ЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 100% от общего ве к области ыть исполь его назначе ъемного тип азу на осно ден остальнопонентов. тносится может б оров общ сторы об одящую адиодеовано в ия., содере сложПредмет изобретенп 5 Резистор объемного типа, содержащи копроводящую фазу на основе сложно лицида, отличсиощийся тем, что, с целью шпрения номинальных значений сопро ния и улучшения электрических характО тик, исходные компоненты токопрово фазы введены в следующих количеств соотношениях (вес. % ): вольфрам 3 33,62, кремний 21,2 - 22,2 и молибден - о ное до 100% от общего веса...

Номер патента: 302756

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: объемного, резистор, типа

...1 ийся тем, что, с целстоикости и влагостойкширении диапазона со5 ную область, исходныедящей фазы введенывенных соотношениях (тЬ - 90 8 - 91 8Собщ. - 9,2 - 8,2. тпа с ью повь ости рез протпвле компоне в следую вес.% ): с Р 1 Известен резистор объемного типа с токо проводящей фазой на основе сложного карбиль изобретения - повышение термостойи и влагостойкости резистора при расшии диапазона сопротивлений в низкоому область,Для этого в предлагаемом резиные компоненты токопроводящейны в следующих количественныхях (вес.%):МЬ - 90,8 - 91,8Соощ - 9,2 - 8,2.В предлагаемом низкоомном резисторе вкачестве резистивного материала используется карбид в области гомогенности ХЬСо;, который отличается низким ТКС, высокой терм о- и вла го стойкостью,...

Номер патента: 302757

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Изобрете, Королева, Перевезенцев, Просвирника, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: объемного, резистор, типа

...от авт, свидетельствааявлено 30.1.1970 ( 1396815/26-9 МПЕ, Н 01 с 7/О присоединением заявкириоритетпубликовано 28.17.1971. Бюллетень15ата опубликования оппсанпя 26.И 1.1971 Кокитет оо лелагл зобретений и открытий при Совете Министров СССРявитель О ТИ ЕЗИСТОР ОБЪ Предмет изобретен Известны резисторы объемного типа с ткопроводящей фазой на основе сложного ка Резистор офазой на оснигийся тем, чткости и влакомпоненты тследующих(вес.% ):0 Т - 84Собщ бъемного ти ове сложно о, с целью гостой кости окопроводя количестве ида,повышение термостойрезистора.омпоненты токопровоследующих количестес,%): 5 кости и Для дящей венных Т Собщизобретения - влагостойкости того исходные фазы введены соотношениях - 84,5 - 85,5 - 15,5 - 14,5. па с...

Номер патента: 303660

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Королева, Перевезенцев, Просвирнина, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/00

Метки: объемного, резистор, типа

...реуглерода.объемного 30 Технология изгот снове сложного кар е отличается от тех исторов на основе Например, постоянньрезис занно изгото аций торы овления бида ук нологии модифи е резт Изобретение относится к компонентам ра. диоаппаратуры и может быть использовано в качестве резисторов общего назначения.Известные непроволочные резисторы объемного типа, выполненные на основе модификации углерода, имеют недостаточную термо- и влагостойкость, Кроме того, эти резисторы не могут быть низкоомными.Цель изобретения - создание резисторов объемного типа, обладающих низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой термо- и влагостойкостью, а также расширяющих номинальные значения сопротивлений в низкоомную область.Это достигается тем, что...

Номер патента: 313224

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Орешкин, Семенов, Соколов

МПК: H01C 7/00, H01G 4/40

Метки: радиотехнический, элемент

...использовано, например, в качестве объемной 1 тС-цепочки в элементах счетно-решающих устройств.Известны радиотехнические элементы, выполненные из окислов металлов в виде таблетки, торцовые поверхности которой снабжены электродами,Недостаток изэлементов состоитстоимости.С целью уменьшения веса и стоимости в предлагаемом радиотехническом элементе в качестве материала таблетки используют закись никеля.Изготовление радиотехнического элемента производится следующим образом.Порошок закиси никеля смешивают стиллированной водой в соотношении 12 порошка и 1 вес. ч. дистиллированной воды. Г 1 олученную массу прессуют в пресс-форме при удельном давлении 0,7 - 0,9 т(сис. Спрессованную таблетку сушат при комнатной температуре на воздухе в течение...

Номер патента: 313225

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Павлов, Рудово

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в интервале температур от 0 С до 180 С. Диапазон номинальных значений сопротивлений зависит от соотношения токопроводящей фазы и связующего и со. ставляет 0,5 - 15 ом,тивный материал рида со связующ ийся тем, что, с ойкости и влаго ширении диапазо ную область, он в количестве 50 но бор нобариевое с от общего веса к вгоплавтом, отышешгя зистора лений в рпд мо- алюмо- тазьное на осчове тим компоненцелью повтойкости рса сопротивсодержит бо- 80 вес. % истекло - осомпонентов. Резис кого бо личающ 0 тер мост при рас низкоом либдена силикат 5 до 100 э/Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа общего и...

Номер патента: 317112

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Ходаковска

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...при 12 при 1320 материа оводить :1:30 С, а0 С,ную шеи йстлия 1 стпДля резистор ниях из массы превышает зна ложительных т сти отрицатель основа- ТКС не асти по- в облахар актеов, изготовленных н добавкой, изменени ения 1,05 10 - 4 в об мператур и 1,02 10 - ых температур, что ем не Известны тонкопленочные резисторы, в состав керамических подложек которых входят следующие компоненты: ЬтО 2, А 120 з, МдО, СаО, ВаО, Ее,О, Т 102, К,О, 1 ча 20.Известные резистивные материалы не дают 5 возможности получать резисторы с низким и стабильным значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС) как в области положительных, так и отрицательных температур. 10Описываемое изобретение позволяет получить низкое и стабильное значение ТКС,Это...

Номер патента: 317113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа

...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...

Номер патента: 318999

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Московский

МПК: H01C 7/00

Метки: 318999

...серебра .Стекло-окись талр. Порошкообразное стекло и бомер, вольфрама в требуемой прозависимости от желаемого номинаьно измельчаются и перемешивае этого из полученной смеси изгопаста и из нее способом шелкодиэлектрической подложке наноопленочные резисторы, Далее проыжигание органики и окончательбработка, в результате чего проис- ание стекла с боридом вольфрама ой для получения монолитности и 4.10 1.104.10. 1.10 лияСтекло окись ру- тения текло-окись индиятекло-боридвольфрама текло-борил мо- либдена З. 10 50 - 1.10"50.1.10 Примерид, наприпорции (вла) тщателются. Послтавливаетсяграфин пасятся толс 1изводится впая термооходит спеки подложк необходимой структуры. Темтельной термообработки опрратурой размягчения стекла,В таблице приведены...