Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 380219

Авторы: Кот, Юрлова

ZIP архив

Текст

) 3802 9 П ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДВТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 04.Ч.1971 ( 1666978/26-25)с присоединением заявки-Приоритет -М. Кл. Н 011 7 итет ао дел изобретении и открыт:Заявитель СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОР 2 1,34 -см ю ванн ией нах тупает на кот прим циальну суспенз рые потрод,Изобретение относится к технологии, производства полупроводниковых приборов на основе стеклообразных полупроводников,Известеи способ,производсъва полупроводниковых стеклообразных переключателей путем электрофоретического осаждения частицполупроводникового стекла из суспензии наодин из двух помещенных в данную суспензию электродов при постоянной разности потенциалов между ними. 10Для получения полупроводникового слоя,переменного по толщине, предложено электрод, на котором происходит осаждение материала, выполнять из резистивного материала и создавать на нем потенциальный рельеф,соответствующий рельефу наносимого материала.После измельчения любым известным методом полупроводникового аморфного материала и получения суспензии с диспергированными в ней частицами аморфного материала размером порядка одного микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, насуопензию помещают в сп .- 25, В электрическом контакте с дятся два электрода, на кото- постоянное напряжение, Элекором происходит осаждение аморфного полупроводника, выполняют из ре. зистивного материала.В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением 0,42 - 0,48 ом лтлт 2/м, константан с удельным сопротивлением 0,48 - 0,52 ом млР/м, окись олова и др,В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму электрода и соответствующий материал для его изготовления, С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида ота Е=сопз 1, что в свою очередь обусловливает высаживание материала, толщина которого повторяет потенциальный рельеф. Для перезода аморфного материала в стеклообразный проводят термическую обработку полученного слоя путем пропускания импульсов тока через резистивный электрод,Способ позволяет существенно упростить технологию нанесения различных по толщине, а также переменных по толщине слоев аморфного материала. П редмет нзобретени Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе аморфных полупроводников путем их электрофоретического осажде380219 Ссставиаель Г. Корнилова Техред Т, Курилко Корректор А. Дзесова Редактор И, Грузова заказ ЛЪ 893 Изд. М 1 Тирак 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 7 К, Раушская наб., д, 4/51 ппография М 24 Соозполиграфпрама, Москва, 121019; ул. Маркса - Энгельса, 14 ния на электрод-подложку с последующей термической обработкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения полупроводникового слоя, переменного по толщине, электродподлояку выполняют из резистивного материала и на нем создают потенциальный рельеф, соответствующий рельефу наносимого материала, например, дополнительным источником тока.

Смотреть

Заявка

1666978

А. Б. Кот, Г. А. Юрлова

МПК / Метки

МПК: H01L 21/479

Метки: полупроводниковых, приборов

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-380219-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых приборов</a>

Похожие патенты