410492
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 410492
Текст
410492 О П И С- А Й И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистицеских РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ висимое от авт, свидетельств М. Кл. Н 01/ 5/00Н 030 1/18 Н 01 р 1/20 66441/26 явлено 31,11,1972 ( присоединением заявк осударстеенный комитетСовета Министров СССРпе делам изобретенийи открытий Приор ит публиковано 05,1.1974. УДК 621,317.382(088.8 юллетень ата опубликования описания 12 Х.1974 Авторыизобретения С, И, Гечяускас, И. А. М алис, Ю. К, Пожела и К. К, Репшас нститут физики полупроводников АН Литовской СС явител ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ИМПУЛЬСНОЙ МОЩНОСТИ СВЧИзобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве датчика напряженности СВЧ электрического поля или мощности в передающих линиях.Известен полупроводниковый детектор им пульсной мощности СВЧ, содержащий полупроводниковый кристалл, закрепленный в волноводе с помощью держателя.Недостатком известного устройства является низкая чувствительность. 1 оЦелью изобретения является повышение чувствительности устройства.Для этого в полупроводниковом детекторе импульсной мощности СВЧ кристалл выполнен в виде прямоугольного параллелепипеда, 15 размеры которого много меньше длины волны в волноводе, а на стороне, примыкающей к держателю, расположены два снабженных металлическими контактами переход типа р - и Контакт 5 имеет гальваническу корпусом держателя, а контакт 4 п изолированного проводника 7 с крышкой 8, которая изолирована держателя прокладкой 9.Держатель с кристаллом закр волноводе, в центре одной из его стенок.При воздействии электрическог кристалл на р - и и и - и+ перех кают термоэлектродвижущие сил носителей, имеющие противополож ность по отношению к кристаллу. контактах получается суммарная водящая к повышению чувствител ройства,ю связь с ри помощи оединен с от корпуса пляется в широких о поля на одах возниы горячих ную полярПоэтому на э.д.с., приьности устедмет изобретен и Полупроводниковый детекто мощности СВЧ, содержащий ковый кристалл, закрепленный помощью держателя, о т л тем, что, с целью повышения чу устройства, кристалл выполнен угольного параллелепипеда, раз много меньше длины волны на стороне, примыкающей к де положены два снабженных м контактами перехода типа р -н полупроводниковый на держателе.кристалл 1 содержит концентрацией дырок вышенной концентра 018 см - ) с металличеРазмеры кристалла лны в волноводе.ристалл прикреплен к30 На чертеже изображе кристалл, размещенный Полупроводниковый области 2 с повышенной(р:1017 см - ) и 3 с по цией электронов (и+ю 1 скими контактами 4 и 5 много меньше длины во Полупроводниковый к корпусу держателя 6.р импульснои полупроводнив волноводе с ичающийся вствительности в виде прямо- меры которого в волноводе, а ржателю, расеталлическими и и и - и+./ 2 Составитель Л. Слащининаычихнна Техред Т, Ускова Корректор В. Брыкси Редакт ипография, пр. Сапунова, 2 Заказ 1067/7 Изд.,"й 333 Тираж 760 Подписно ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5
СмотретьЗаявка
1766441, 31.03.1972
МПК / Метки
МПК: H01L 29/06, H03D 1/18
Метки: 410492
Опубликовано: 05.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-410492-410492.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">410492</a>
Предыдущий патент: 410491
Следующий патент: 410493
Случайный патент: Способ катетеризации правого лимфатического потока