H01C 7/18 — содержащие несколько слоев, расположенных между зажимами один над другим

Номер патента: 282486

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная

...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...

Номер патента: 337829

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Брук, Грибовский, Ейн, Терентьев

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: параметрами, распределенными, с-структура

...характерны невысокая надежность диэлектрического слоя, плохая повторяемость н ограниченный диапазон номиналов 1 и С, длительный цикл разработки и изготовления.Цель изобретения - расширение диапазона объемного сопротивления и увеличение удельной емкости ЛС-структуры,Это достигается тем, что йС-структура выполнена в виде полнкерамического твердого тела, у которого в качестве резистивного слоя использована керамика на основе смеси окислов металлов, например цинка, кадмия, меди, а в качестве диэлектрического слоя - керамика и на основе титанатов металлов, например бария, кальция.На чертеже представлена РС-структура с распределенными параметрами,Распределительная ЯС-структура состоит из резистивного 1, диэлектрического 2 второго...

Номер патента: 361474

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дмитриев, Меркулов

МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02 ...

Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными

...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...

Номер патента: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10 ...

Метки: 415734

...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...

Номер патента: 917217

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волков, Врублевский, Жаворонков, Кузишина, Сурогин, Фролов

МПК: H01C 7/18

Метки: мощных, объемных, резисторов

...758 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Носква, Н, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгорощ, ул. Проектная, ч 3 91721высота микровыс ту пов мет аллиэированного слоя была не менее 0,2 мм, накоторый наносят тонкий слой не содержащего электропроводного наполнителя,диэлектрического термостойкого органического или неорганического полимерного материала, обладающего хорошейадгезией к металлизированной поверхности и способного в дальнейшем кзатвердеванию (например, эпоксидная 10смола, клей Бф,жидкое стекло ит. и.),Подготовленные таким образом резистивные диски в струбцине собираютв реэистивный столбик, который при 1помощи струбцины обжимают усилием 320 кг/см , обеспечивающим...