ZIP архив

Текст

(22) Заявлено 28.02.72 (21) 1752312 т 26-9с присоединением заявки М -51) М.1 с,л. Н 01 с 7/00Н 01 о 3/075 осударстаенный номнте;Совета а 1 нннотров СССРпо делам нзвбретеннйк открьттнй 2) Приорите 53) УДК 621,396.6-1 Я,о (088.8) 5,02.74, Бюллетень М 6апия описания 04.10,74. Опубликовано Дата опублико А, Лабунов, 3. В, Воробей, В, В, Бондаренко, Ви А, Г. Максидонов лов Авторыизобретснт инский радиотехнический инсти 71) Заявите КС-СТРУКТУРА СО СТУПЕНЧАТЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ -- ПАРАМЕТРОВ Предмет изобретс 20 ЛС-структурттттехт параметродиэлектрическочаюи 1 аясл тем,логии и уменьп25 вышения ее наэлектрическийменяющимися п а со ступенчатым всостоящая из го и проводящего что, с целью упр ения габаритов с деж ности, резист лои выполнены с о толщине вдоль распр резисттслоев ощения труктур ивный тупенча структ еделевного отли топо. ы, по. и ди. то из-рьт,1Изобретение относится к области технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении частотноизбирательных усилителей с распределенными ЯС-фильтраати в цепях обратной связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким воспроизводимостям, стабильности и надежности.С целью упрощения габаритов стрдежности, резистив выполнены ступенчато изменяющимися по толщине вдоль структуры.На фиг. 1 показана предлагаемая ЯС.струк.тура со ступенчатым распределением параметров; на фиг. 2 - то же, в разрезе,Резистттвьте элементы 1, выполнснныс, например, из тантала, проанодированы до различных уровней 1, и 1,. В качестве материаладиэлектрического слоя использован Та 05,О полученный анодпрованпем тапталового резистора в электролите или плазме и позволяющий достигать ьысокие удельные емкости (вдесятктт раз большие, чем па моноокпсп кремния). Рсзистивныс элементы 1 последовательносоединены напылснными люмпниевыми полосками 2. Повсрх оксидного слоя д Та,Оо папылен проводящшт алюмштневый слой 4.415734фдг та,цСоставитель Е. КовалеваРедактор Т. Морозова Техред Л. Богданова Корректор М, Лейзерман Заказ 3069 Изд. М 1301 Тираж 760 Г 1 одписное ЦНИИНИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Загорская типография

Смотреть

Заявка

1752312, 28.02.1972

В. А. Лабунов, В. Воробей, В. В. Бондаренко, В. В. Соловьев, А. Г. Максидонов, Минский радиотехнический институт, СТРУКТУРА СТУПЕНЧАТЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ПАРАМЕТРОВ

МПК / Метки

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10, H01L 49/02

Метки: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-415734-415734.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">415734</a>

Похожие патенты