Номер патента: 376735

Авторы: Вител, Газар, Лементуев

ZIP архив

Текст

Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 02 111,1971 (Юв 1629822/24-7) М. Кл. б 01 г 3126 с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 05.1 Ч.1973. Бюллетень17Дата опубликования описания 26.Ч 1.1973 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРУДК 621.382.3 (088,8) Авторыизобретения М. С. Сонин, В. А, Лементуев и И. А. Газарян Заявитель Ордена Ленина институт проблем управленияПОСОБ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРО О СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК Предлагаемое изобретен лупроводниковым прибора использовано при изготовл полупроводниковых прибор е относится к пом и может быть нии и испытании в и схем. редмет изобретени Способ боров со 25 полупров гральных ствия на полем, от щения пр 30 ротко затиспытания полупроводниковструктурой металл - диэле т одник, например транзисторов схем, путем одновременного в них температурой и электри личающийся тем, что, с целью оцесса испытания, соединяют воры прибора с остальными эл х пририк - и инте- оздейчески мупро- нако- ектроИзвестные способы испытания полупроводниковых приборов со структурой металл - диэлектрик в полупроводник, например транзисторов и интегральных схем, путем одновременного воздействия на них температурой и электрического поля не обладают простотой процесса испытания.По предлагаемому способу с целью упрощения процесса испытания соединяют накоротко затворы прибора с остальными электродами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора,По предлагаемому способу испытания полу. проводниковых приборов величина контактной разности потенциалов в системе металл в диэлектрик в полупроводник (МДП) зависит от природы металла и полупроводника, В частности, в системе А 1 - %02 - Я величина контактной разности потенциалов между А 1 и Я достигает 0,8 эв. Если внешним проводником соединить накоротко затвор МДП-прибора с подложкой или(и истоком или стоком и поместить прибор в среду с повышенной температурой, то при достаточно высокой температуре произойдет перераспределение заряда в диэлектрике под действием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов,Согласно предлагаемому изобретению способ испытания МДП приборов заключается в том, что после измерения параметров приборов электроды приборов закорачивают и приборы помещают в среду с повышенной температурой, величина которой достаточна для перераспределения заряда в МДП структуре. После выдержки приборов в течение заданного промежутка времени производится повторный замер параметров приборов.Корректор Е. Миронова Редактор В. Фельдман Заказ 1778/16 Изд,421 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 дами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора.

Смотреть

Заявка

1629822

Ордена Ленина институт проблем управлени автоматики, телемеханики

витель М. Сонин, В. А. Лементуев, И. А. Газар

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: асесоюзная

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-376735-asesoyuznaya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Асесоюзная</a>

Похожие патенты