ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 369635ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 03.17,1971 ( 1643825/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 08 Л.1973. Бюллетень1Дата опубликования описания 16.1 Ч,1973 М. Кл. Н 01 с 13/00 Комитет по делам изобретений и открытий при Сонете Министров СССРСамойлович, А. А. фейкин, Г. Н. Безрукоптев расного Знамени научнонтеза минерального сырья В. Никититузов, К. н,М,И,ф. Ворож и В.А.Ла на Трудового К ий институт си отченковв сесоюзный о исследовател явител ОБЪЕМНЫЙ РЕЗИСТ Предлагаемый резистор относится к классу полупроводниковых резисторов, применяющихся в микромодульных схемах радиоэлектронной аппаратуры, автоматики и электротехники,Известен объемный резистор, например, для микромодульных схем, состоящий из полупроводникового монокристалла с алмазоподобной структурой и - р ниже проводимости.Однако известные объемные резисторы имеют большую величину температурного коэф фициента сопротивления, а также низкие точности изготовления и механическую прочность.С целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения точности изготовления в предлагаемом резисторе на 15 участок поверхности монокристалла нанесена соединяющая электроды токопроводящая пленка, например, металлическая. электродами на поверхность криена катодным распылением токопленка 3 (толщиной от десятыхскольких десятков микрон),образом, предлагаемый резисторрезистором объемно-поверхностзначение сопротивления коопределяется выражением дляьно соединенных сопротивленийЛ Ла ЮпаФЙа + Йпа тал- про- дояв- ого де Яа - омическое Япл - омическое опротивление алмаза; опротивление пленки При повышпротивления+Ыпл ( Лтивления полратурой имеюки. Следоватводниковоготивление иизменения тоНа макетнленных из сиполучены элепературный2 - 3% в имаксимальна ый объе монокрищую пленслужит за, леги талла сн ми 2, Д няться р б аз 3 На чертеже показан предлагаемиый резистор.Резистор содержит тугоплавкийсталл 1, электроды 2 и токопроводку 3.Основным элементом резисторанокристалл 1 синтетического алмаванный бором. Рабочие грани крисжены металлическими электродавжигания электродов могут примеличные известные сплавы. Междула нанесводящаялей до неТакимляетсядействияго ф)иараллел енин температуры изменение соИЬ 1 А+ЬКпп ГдеЬЯА+ ЯА, так как изменения сопроупроводника и металла с темпет взаимно противоположные зна- ельно, при изготовлении полупрорезистора его омическое сопро- ТКС можно регулировать путем лщины наносимой пленки, ых образцах резисторов, изготовнтетического алмаза марки САМ, ктрические характеристики: темуход сопротивления - не более нтервале температур 20 в 2 С; я рассеиваемая мощность - не369635 Предмет изобретения Составители О. Обухов Текред Л. Грачеваедактор М. Афанасьева орректорвк Е, Талалаеваи Е. Денисова Изд. ЪЪ 1239 Тираж 780 Подписноеитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Рарнская наб., д. 4,5 Заказ 824ЦКИИПИ Гппография, пр. Сапунова менее 500 мвт; частотная устойчивость - до50 мгц. Объемный резистор, например, для микро- модульных схем, состоящий из полупроводникового монокристалла с алмазоподобной структурой й - ,о типа проводимосгп, снабкспного электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления и повышения точности из готовления резистора, на участок поверхностимонокристалла нанесена соединяющая электроды токопроводящая пленка, например, металлическая.

Смотреть

Заявка

1643825

Авторы изобретени

витель В. Ф. Иванов, А. В. Никитин, М. И. Самойлович, А. А. Фотченков, В. П. Бутузов, К. Ф. Ворожейкин, Г. Н. Безруков, В. А. Лаптев Всесоюзный ордена Трудового Красного Знамени научно исследовательский институт синтеза минерального сырь

МПК / Метки

МПК: H01C 7/06, H01L 27/00

Метки: 369635

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-369635-369635.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">369635</a>

Похожие патенты