Есесою:

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт видетельст 3 а явлс но 20.7,1 М. 1 хл. Н 01 7,/О.1 чт. 1657493: цнение заявки М Комитет ло делам зобретений и открюти лри Сосете Министров СССР;петена,. 1 чта опт олпкозацця описания 16,1.1 т 3 орыбретенця Л. Барановский и П, И. Рогаче аявите." НИЯ МЕЖЭЛЕМЕНТНЫХИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ СПОСОБ СО 2 10 опер собу Предлагаемый способ относится к области микроэлектроники, в частности к технологии производства интегральных схем с многоуров невым монтажом межэлементцых соединений.Известные способы создания межэлементных соединений в интегральных схемах с вы. травливацием окон в диэлектрической пленке над контактными площадками элементов, за. полнением окоп проводящим материалом и на несением межэлементцых соединений включают в себя сложный процесс травления диэлек. трической пленки и не обеспечивают механической прочности межсоединеций.Цель изобретения - упрощение процесса травления диэлектрической пленки и обеспе чение механической прочности межсоединений.Для этого одновременно с вытравливацием окон над контактными площадками элементов, подлежащих электрическому соединению ца нижележащем уровне разводки, вытравлива ют окна цад контактными площадками элементов, подлежащих соединению на всех вышележащих уровнях разводки, и одновременно с нанесением межэлементных соединений ццже. лежащего уровня металлизируют контактные 2 площадки элементов, подлежащих соединению на вышележащем уровне.На фиг. 1 - 7 показана последовательностьаций, осуществляемых по данному сцо. 1-1 а базовый кристалл полупроводника(см, фиг. 1), ца котором сформированы эле. менты 2, 3, 4, любым известным способом наносят слой диэлектрика 5. В слое этого диэлектрика (см. фцг. 2) над контактными площадками элементов 2, Л, 4 независимо от уровня их разводки методом фотогравировкц вытравливают окна а, после чего производят напыление первого металлического слоя 6 и формируют известными методами фотолитографии межсоедццения элементов 2 первого уровня разводки и одцовременцо создают омцческие контакты металл - полупроводник ца контактных площадках элементов 4, 3, подлежащих разводке на всех вышележащих уровнях (см, фиг. 3). Затем на поверхность структуры наносят пленку диэлектрика 7 (см. фпг. 4) для изоляции межсоедццений первого уровня разводки от межсоедццений второго уровня, в не" вытравливают окна б (см, фцг. 5) над контактцымц площадками элементов 3, 4, подлежащих соединению ца втором и вышележащих уровнях разгодкц, проводят напыление второго металлического слоя 8 (см. фцг. 6). После цацылецця слоя Я формируют межсоедццецця элементов Л второго уровня разводки ц одцовремеццо добавляют слой металла к контактной площадке элементов 4 третьего иИзд. Л"а 23 Тираж 780о делам изобретений н открытий при Сов Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Заказ 193(637ЦНИИПИ Комитет Тип. Харьк. фил, пред. Пятен вышележащих уровцей разводки, затем цацосят слой диэлектрика 9 (см. фиг. 7).Описацпый процесс цаесеция изоляциоцного диэлектрического слоя, вытравливания в цем окон цад контактными площадками элементов схемы, ъеталлизация повторяются столько раз, сколько уровней разводки имеет интегральная схема,Таким образом, постепеццо наращивается столбик металла цад контактными площадками элементов 8, 4 вышележащих уровней разводки, тем самым увеличивается мехацическая прочность межсоедицеций в местах изгиба. Способ создания межэлемецтцых соедицеций в интегральных схемах, включающий операции вытравливация окон в диэлектрической пленке цад контактными площадками элемецтов, заполцеция окоп проводящим материалом и цаиесеция межэлемецтцых соединений, от личигоиийсл тем, что, с целью упрощеция процесса травления диэлектрической пленки и обеспечения механической прочности межсоедицеии, одцовремеццо с вытравливацием окоп цад контактными площадками элементов, подлежецх электриескому соедииеиию ца Нижележащем уровне разводки, вытравливают окна цад контактными площадками элементов, подлежащих соедицецию иа всех вышечежащих уровцях разводки, и одновременно с ца несением межэлемеитцых соедицеций цижележа щего уровня металлизируют контактные плопадки элемецтов, подлежащих соединению ца вышележащем уровне,