Устройство для совмещения и экспонирования рисунков фотошаблона и полупроводниковой

Номер патента: 1334881

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Иноземцев, Куликов

МПК: G01B 11/02

Метки: зонами, линий, непрозрачными, объектах, прозрачными, рисунка, ширины

...0,1 мкм хромовым покрытием.Измерения могут быть проведены с использованием микроскопа - фотометра 20 МРЧСД фирмы 1 е 1 и, оптического излучения с длиной волны 0,546 мкм (зеленая линия). линейно поляризованного так, что вектор магнитной напряженности излучения параллелен измеряемым линиям фотошаблона, лежащего на столике микроскопа, Прошедшее излучение собирают объективом микроскопа. Измеряют интенсивности излучений, прошедших через.три одинаковых по размерам прямоугольных участка объекта. Одлн участок 1 въ":бирают на не. прозрачной зоне обьекта, другой 2 - на прозрачной, а третий 3 включает частьФормула изобретения ЗБ Способ измерения ширины линий рисунка на обьектах с прозрачнымл и непрозрачными зонами, например на фотошаблонах для...

Номер патента: 1402026

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Иноземцев, Куликов

МПК: G01B 11/02

Метки: зонами, линий, непрозрачными, объектах, прозрачными, рисунка, ширины

...моцохро апатическим излучением, линейно поляризованнымтак, что в случае измерения прозрачной липни ее границам был бы параллелен вектор магнитной напряженности,а в случае измерения непрозрачнойлинии - вектор электрической напряженности, Практиче ки используетсяодин и тот же источник линейно по"ляризованного излучения. Векторымагнитной и электрической напряженности в электромагнитной волне перпендикулярны друг другу, Последова-тельно измеряют ицтенсивности из"лучения прошедшего через три одинаковых по размерам прямоугольных участкаизмеряемого объекта,Один участок выбирают на проэрач"ной зоне объекта, другой участок 2 -на непрозрачной, а третий участок 3включает часть измеряемой линии с.частью зоны объекта, контактирующейс этой частью...

Номер патента: 307697

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Корнилов, Моргунов

МПК: G02B 21/36

Метки: двухпольная, совмещения, экспонирования

...потоки для освещения участков полупроводниковой подложки поступают в эпископы с осветительных блоков 7. Луч света 8 проходит через тепловой фильтр 9, конденсатор 10, светофильтр 11 и, отразившись от зеркала 12, попадает в спаренные конденсаторы 13 эпископа, Для увеличения светового потока используются отражатели 14.Эпископы направляют световые лу 55 чи на фотошаблон и полупроводниковую подложку. Затем световые потоки, несущие информацию, поступают во входные зрачки спаренных объективов 6. В предлагаемой установке используются проекционные объективы с большим полем зрения, большим увеличением и со значительной глубиной резкости,Так, например, в макете используется объектив с полем зрения2,4 мм 1,75 мм, увеличением 200, .глубиной...

Номер патента: 1817659

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Витовтова, Чиркунов

МПК: H05K 3/00

Метки: совмещения, экспонирования

...с ними по свойствам точноесовмещсниерисуикафотошаблоиас полимеров) и проверено экспериментально, подложкой. После этого через трубопровод Проверка подтвердила, что заявленное ус 15 производитсяоткацкавоздухаизполости ловие обеспечивает равномерность прижа- между фотошаблоном 10 и мембраной 5. В тия мембраной подложки к фотошаблону результате действия давления ат 0 яосфериопрактически без зависимости от толщины го воздуха, гароиикающего в полость через эластичной мембраны в широком диапазо- отверстие 6. зластицная резиновая мембране толщин последней. 10 на 5, согласуясь с поверхностью подложкиТак как силы атмосферного давления, 9, равиомерноприжимаетее кфотошаблону действующие на шаблон сверху, и силы, 10(см. фиг. 2), Усилие прижатия...

Номер патента: 1254417

Опубликовано: 30.08.1986

Автор: Малухин

МПК: G03F 7/24

Метки: неплоских, объектов, фотошаблонов

...Фотошаблона необходимо,чтобы фотографируемая поверхность оригинала имела форму, повторяющую формуэкспонируемой поверхности фотошаблона.На чертеже изображена схема реализации предложенного способа,На схеме изображены сферическийоригинал 1 с нанесенной топологией 2в масштабе съемки, объектив 3, с помощью которого ее изображение 4 фокусируется на сферическом фотошаблоне,установленном в фотокамере 6.Сначала рассчитывают форму и размеры оригинала, 55Допустим, требуется получить рисунок схемы на сферическом фотошаблонее радиусом сферической поверхности г,масштаб съемки равен и, Следователь-.но, форма фотографируемой поверхностиоригинала также должна быть сферическойеОпределяют радиус этой сферы:Кгп,где К - радиус сферической...