Сверхпроводящий ключ
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КЛЮЧ, содержащий токонесущий элемент из бифилярно уложенных слоев фольги сверхпроводника второго рода с изоляционными прокладками между слоями, отличающийся тем, что, с целью повышения токонесущей способности сверхпроводящего ключа и улучшения его стабильности, на участках перегиба токонесущего элемента по всей поверхности уложены и прижаты к нему экраны из сверхпроводящего материала.
2. Ключ по п.1, отличающийся тем, что экраны из сверхпроводящего материала приклеены по всей поверхности на участках перегиба токонесущего элемента.
Описание
Целью изобретения является повышение токонесущей способности и стабильности ключа.
Сущность изобретения заключается в том, что в сверхпроводящем ключе, содержащем сверхпроводящий токонесущий элемент из бифилярно уложенных слоев фольги сверхпроводника второго рода с изоляционными прокладками между слоями, на участки слоев сверхпроводящего токонесущего элемента в местах перегибов по всей поверхности уложены и прижаты к нему экраны из сверхпроводящего материала, при этом для плотного прилегания экраны приклеиваются по всей поверхности к местам перегибов слоев сверхпроводящего токонесущего элемента.
На чертеже представлен общий вид сверхпроводящего ключа.
Сверхпроводящий ключ состоит из бифилярно уложенного сверхпроводящего токонесущего элемента 1, сверхпроводящих экранов 2, уложенных по поверхности слоев сверхпроводящего токонесущего элемента 1 в местах перегибов, изоляционных прокладок 3, расположенных между слоями сверхпроводящего токонесущего элемента 1.
Установка сверхпроводящих экранов за счет компенсации нормальной составляющей магнитного поля в местах перегибов сверхпроводящего токонесущего элемента увеличивает токонесущую способность и стабильность самых слабых мест сверхпроводящего ключа и, следовательно, улучшает токонесущую способность и стабильность сверхпроводящего ключа в целом.
Изобретение относится к электротехнике и находит применение в сверхпроводящих магнитных системах, например, при выводе запасенной в обмотке магнита электромагнитной энергии. Целью изобретения является повышение токонесущей способности и улучшение стабильности сверхпроводящего ключа. Цель достигается за счет компенсации магнитного поля, нормального к поверхности токонесущего элемента, в местах перегиба последнего. Это является результатом того, что на участки слоев токонесущего элемента 1 в местах перегибов по всей поверхности уложены и прижаты к нему экраны 2 из сверхпроводящего материала, при этом для плотного прилегания экраны приклеиваются по всей поверхности к местам перегибов слоев токонесущего элемента. Сверхпроводящий ключ может успешно осуществить коммутацию сверхпроводящей магнитной системы, повысить токонесущую способности в 2 - 2,5 раза и увеличить стабильность работы. Данное техническое решение может найти широкое применение в электромагнитных системах со сверхпроводящими элементами, что приведет к повышению КПД всей системы. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
Рисунки
Заявка
4296511/25, 20.08.1987
Акопян Д. Г, Батаков Ю. П, Костенко А. И
МПК / Метки
МПК: H01L 39/16
Метки: ключ, сверхпроводящий
Опубликовано: 30.06.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1519476-sverkhprovodyashhijj-klyuch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сверхпроводящий ключ</a>
Устройство для забивки крепежных элементов в поверхность
Номер патента: 1162586
Опубликовано: 23.06.1985
Автор: Зюзьгин
МПК: B25C 1/00
Метки: забивки, крепежных, поверхность, элементов
...на фиг. 2 - разрез А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - разрез Б - Б на фиг. 1; на фиг. 4 - разрез В - В на фиг. 1; на фиг. 5 - устройство, общий вид.Устройство для забивки крепежных элементов в поверхность содержит корпус 1 и размещенный в нем магазин-накопитель, который содержит бесконечную ленту 2, выполненную из эластичного материала, установленную с натягом на шкивах 3 и 4 и не- сущую на себе захватные элементы в виде штырей 5, размещенных в центре ленты 2. На штыри 5 одевают крепежные элементы б. С внешней стороны ленты 2 к стенкам кор пуса 1 прикреплены направляющие 7. Шкивы 3 и 4 выполнены разного диаметра, причем шкив 4 меньшего диаметра взаимодействует при работе устройства с поверхностью. Для организации поштучной выдачи крепежного...
Способ удаления выступающих дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев
Номер патента: 433570
Опубликовано: 25.06.1974
Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской
МПК: H01L 21/304
Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных
...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...
Способ получения сверхпроводящего стабилизированного токонесущего элемента
Номер патента: 1828303
Опубликовано: 27.02.1996
Авторы: Воробьева, Горшков, Калинин, Макаров, Шиков
МПК: H01B 12/00
Метки: сверхпроводящего, стабилизированного, токонесущего, элемента
...указанных ранее,После окончания электроосаждения меди осуществляют промывку СТНЭ в ванне с горячей водой и сушку на воздухе.Полученный СТНЭ калибруют на конечный размер прокатки в гладких валках или волочения, пропуская токонесущий элемент через фильеру прямоугольного сечения.Диффузионный отжиг СТНЭ для создания в его сечении интерметаллида МЬ Яп проводят в вакууме при остаточном давле1828303 Эксплуатационные характеристики СТНЭ, измеренные на 10 партиях нии 1 10 к мм рт,ст, (создание более глубокого вакуума в отжиговых печах больших рабочих объемов не обеспечивается действующим промышленным оборудованием) или в атмосфере инертного газа (гелий. аргон),Для сравнения предлагаемого способа с прототипом проводили изготовление СТНЭ в...
Устройство для связи со сверхпроводящим элементом
Номер патента: 792364
Опубликовано: 30.12.1980
МПК: H01P 5/02
Метки: сверхпроводящим, связи, элементом
...высоты положения рабочего отрезка коаксиальной линииустройства для связи над зеркалом7923 б 4, гелия подбирается необходимая для работы сверхпроводящего резонатора(СПР) температура. Через сквозное отверстие 10 пары гелия внутри рабо. чего объема обмениваются температурой с окружающей средой и обмен это идет весьма медленно вследствие малых размеров сквозного отверстия 10, поэтому вход системы в режим занимает длительное время. Теплоиэоляционная система существенно сглаживает возможные колебания температуры газа в ближайшем окружении.СВЧ-колебания, подводимые от генератора коаксиальной линией, не ограничены по частоте. Положение пучности определяется расстоянием от коротко Я эамыкателя 7. Перемещая СПР по вертикали относительно...
Способ изготовления многосекционной сверхпроводящей жилы на основе интерметаллического соединения с внутренним расположением сверхпроводящего слоя
Номер патента: 883981
Опубликовано: 23.11.1981
Авторы: Аснис, Ворона, Гуревич, Заболотин, Клименко, Нероденко, Пан, Сухушин, Шендерович
МПК: H01B 12/00
Метки: внутренним, жилы, интерметаллического, многосекционной, основе, расположением, сверхпроводящего, сверхпроводящей, слоя, соединения
...слоя заключается в том, что в шлюзовой напылительной камере наносятслой барьерного материала на концевые участки каждой заготовки, содержащей слой тугоплавкого компонентасоединения и лой стабилизирующегоматериала, на о,л альной части заготовок формиру;,. с.рхпроводящий слойс помощью термообработки в диффузионной камере в при утствии легкоплавкого компонента соединения, удаляютс полученных секций слой барьерногоматериала, располагают концы секций 1(фиг.1 и. 2 ) с зазором 2, в которомсверхпроводящие слои 3 обращеныдруг к другу размещают в нем встав 4 оку ч в области расположения сверхпроводящих слоев 3 и приводят еев контакт с укаэанными слоями 3, например с помощью контактной точечной сварки с ограниченным подводомтепла (конденсаторная...
Предыдущий патент: Ускоритель заряженных частиц
Следующий патент: Способ экстракционно-хроматографического разделения ионов металлов
Случайный патент: Устройство для воспринятия горизонтальной нагрузки при продольной надвижке на опоры пролетных строений мостов