Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1575829
Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин
Формула
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.
Описание
Цель изобретения - повышение точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания.
П р и м е р 1. При изготовлении субмикронных структур в рабочих слоях полевых транзисторов на арсениде галлия необходимо протравить размер 0,3 мкм в слое окиси кремния толщиной 0,1 мкм. Для этого на пластинах из арсенида галлия со слоем окиси кремния создают рисунок методом электронно-лучевой литографии на установке ZBA-10. В качестве маски используют электронный резистор ЭРП-1. Толщина маски составляет 0,4 мкм. Размер затворной полосы равняется 0,3-0,32 мкм. Проявление резиста проводят в смеси метилэтил-ке- тон : толуол в соотношении 1:1. Реактивно-ионное травление ленточным пучком проводят на установке УРМ 279-029. Пластины с ленточными структурами, которыми являются затворные полосы, располагают так, чтобы затворная полоса была перпендикулярной большой оси поперечного сечения ленточного пучка. Рабочее давление 5
10-4 мм рт.ст. Рабочее вещество - хладон 218. Напряжение разряда 2,5 кВ. Ток ионного пучка 40 мА. Время травления окиси кремния 10 мин.В результате получают структуры с длиной затвора 0,3 мкм с углом наклона боковых стенок 80о, что характеризует высокое качество структур, что подтверждается при последующих операциях изготовления транзисторов.
При любом другом расположении линейной структуры на пластине при входе и выходе из зоны обработки структура находится под разными углами, что увеличивает клин травления.
П р и м е р 2. При изготовлении структур с минимальными размерами 0,4 мкм для приборов на поверхностно-акустических волнах в качествен исходных образов используют кварцевые подложки. Необходимо вытравить окна в кварце глубиной 0,1 мкм. На кварцевую пластину наносят резист марки ЭПП-9 толщиной 0,4 мкм, в котором методом электронной литографии создают необходимый рисунок.
Минимальные размеры элементов рисунка составляют 0,4-0,42 мкм. Реактивное ионное травление рабочего слоя проводят на установке УРМЗ. 279-029 с использованием ленточного источника ионов. Пластину с ленточными структурами, которыми являются канавки под электроды, располагают так, чтобы канавка была перпендикулярна большой оси поперечного сечения ленточного пучка. Рабочее вещество - хладон 14. Время травления кварца 15 мин.
В результате получают структуры с минимальными размерами элементов 0,6 мкм. Получение структуры исследовали с помощью телевизионного микроскопа Leitz Letimet. Было обнаружено получение практически вертикальных стенок протравливаемых канавок, что приводит к улучшению амплитудно-частотных характеристик приборов.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания. На поверхность полупроводниковой или диэлектрической пластины наносят маскирующее покрытие. В маскирующем покрытии с помощью литографических операций создают окна, соответствующие рисунку линейных субмикронных структур. Затем проводят реактивно - ионное травление материала подложки в окнах. Травление проводят ленточным пучком ионов. Большая ось поперечного сечения пучка расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин. В процессе травления пластины ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка. В результате получаются линейные структуры шириной 0,3 - 0,4 мкм, глубиной до 0,1 мкм с практически вертикальными боковыми стенками.
Заявка
4492956/25, 12.10.1988
Алейникова Е. А, Сутырин В. М, Хриткин В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/26
Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования
Опубликовано: 15.08.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1575829-sposob-formirovaniya-linejjnykh-submikronnykh-struktur-v-poluprovodnikovykh-i-diehlektricheskikh-plastinakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах</a>
Способ определения распределения плотности потока заряженных частиц в поперечном сечении пучка
Номер патента: 1292469
Опубликовано: 15.12.1992
МПК: G01T 1/29
Метки: заряженных, плотности, поперечном, потока, пучка, распределения, сечении, частиц
...оси Х характеризует расстояние в горизонтальной плоскости от частицы (электрона) до оси пучка, направление оси У характеризует расстояние в вертикальной плоскости от электрона до оси пучка, направление оси Е параллельно направлению движения пучка электронов микротрона.П р и м е р . Берут пластину из органического стекла длиной 210 мм, шириной 85 мм и толщиной 4 мм, закрепляют вертикально (т.е, гранью 85 х 4) на подставке-держателе и размещают на пути пучка микротрона так, что 96бы грань 210 х 85 лежала в плоскости, перпендикулярной направлению падения пучка. Параметры излучения микротрона: средний ток пучка электронов 4,5 мкА, энергия электронов 10,5 МзВ, размер пучка непосредственно за фольгой выводного окна - эллипс с осями 12 мм по...
Образец для измерения электропроводности гиперпроводящих шин, преимущественно прямоугольного сечения, при поперечном сжатии
Номер патента: 1132309
Опубликовано: 30.12.1984
Авторы: Гостищев, Демьянов, Дрозд, Петровский, Хазов
МПК: H01F 7/20
Метки: гиперпроводящих, образец, поперечном, преимущественно, прямоугольного, сечения, сжатии, шин, электропроводности
...доступностью, устойчивостью к внешним воздействиям проО.стотой и надежностью. Однако, как у1 всех высокочистых металлов, механи ческая прочность гиперпроводниковсравнительно невысока и при их использованин в обмотках моющих электромагни- ,25"тов, где возникают большие электромагнитные нагрузки, часто оказывает,ся недостаточной. В таКих случаяхобычным приемом является искусственное упрочнение обмотки путем введениязОсиловых элементов, например бандажирующих лент, наматываемых одновременно с токопроводящими и служащих.для них жесткой опорой 13,Однако, хотя при этОм существенно снижается растяжение проводника,остается возможность его поперечного сжатия в рабочих условияхв результате прижатия к бандажу) и опасность пластического...
Кассета для травления пластин
Номер патента: 1014071
Опубликовано: 23.04.1983
Авторы: Иванов, Миттенберг, Стерликов, Янсон
МПК: H01L 21/00
Метки: кассета, пластин, травления
...ряда точечных фиксаторов в виде стбркней,она снабжена дополнительными основаниями и крышкой в виде диска, при этомосновное и дополнительные основания икрышка установлены друг под другом наодинаковом расстоянии и соединены междусобой стержнями точечных фиксаторов,Эпричем стержни одного из рядов выполиены съемными-и установлены попарноотносительно двух стержней другого ряда с возможностью образования гнездадля пластины,Кроме гого, съемные штыри точечныхфиксаторов соединены межпу собой попарно перемычкой, размещенной над крышкой.На фиг. 1 показана часть кассеты,вид сбоку; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Кассета состоит из жестко соединенных между собой дисков 1. выполненныхиз винипласта 6 230 + 30 мм с отвер-стием в центре 6 110 + 30 мм....
Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов
Номер патента: 1289308
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Готлиб, Гурский, Дударчик, Зеленин, Паничев, Рубцевич
МПК: H01L 21/302
Метки: вакуумно-плазменного, немагнитных, пластин, травления
Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации областей травления и увеличения скорости их травления путем повышения концентрации ионов над заданными областями пластин, система формирования магнитного поля снабжена полюсными накладками, выполненными в виде свободных масок, и установлена между парой электродов на одном из них.
Станок для рядовой намотки пластин электрическим проводом
Номер патента: 98528
Опубликовано: 01.01.1954
Авторы: Журавлев, Седаков, Шведчиков
МПК: H01C 17/04, H01F 41/04
Метки: намотки, пластин, проводом, рядовой, станок, электрическим
...между обмоткой и шпинделем, торцевой части которого придается форма сферического сегмента. провода. Класс 21 с, 54 ю21 д, 1 м. К. Шведчиков, А. ТАНОК ДЛЯ РЯДЗЛЕКТРИЧ На чертеже показаны: 1 - шпиндель, имеющий прямоугольное отверстие по размеру сечения пластины; 2 - пластина, вставляемая в отверстие шпинделя; 3 - подвижная пиноль, имеющая в торцевой части паз, соответствующий сечению пластины.Провод, заправленный одним концом в пластину, под действием пиноли прижимается к поверхности шпинделя и при его вращении, ско,чьзя по торцу шпинделя, имеющему форму сферического сегмента, вжимается между торцем шпинделя и первым витком обмотки, преодолевая при этсо нажим и;ночи и выталкивая пластину из отверстия шпинделя. Нажим, осуществляемый...
Предыдущий патент: Способ стабилизации катализатора цеолита типа пентасил
Следующий патент: Способ измерения глубины нарушенного слоя на полупроводниковых монокристаллах
Случайный патент: Установка для приготовления кормовых смесей