Способ диффузии в кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.
Описание
Цель изобретения - улучшение электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров.
Скорость охлаждения ограничивается, с одной стороны, падением эффективности геттерирования вследствие того, что атомы, например, золота, не могут успевать перераспределяться в обратную сторону пластины при высоких скоростях охлаждения, а с другой стороны, ненужным увеличением длительности процесса, так как дальнейшее улучшение генерационно-рекомбинационных параметров при уменьшении скорости охлаждения менее 2 град/мин не наблюдается. Нижняя температурная граница объясняется тем, что при охлаждении приборов ниже этой температуры дальнейшего улучшения электрофизических параметров не наблюдается.
П р и м е р. Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, включающий диффузию фосфора и отжиг, опробуется на серийно выпускаемых приборах с зарядовой связью К1200ЦМ1 и К1200ЦМ12. Конкретно, для данных приборов выбирается следующий режим: диффузия фосфора из жидкого источника РОCl3, поддерживаемого при температуре 30
2оС, в течение 10 мин с последующим медленным охлаждением в инертной среде со скоростью 3,5 град/мин.Измерения, проведенные на опытных партиях, показывают возможность получения времени жизни неосновных носителей зарядa до 2000-3000 мкс и возможность спекания темнового тока в 3-4 раза по сравнению с прототипом. Неэффективность переноса на опытных приборах с зарядовой связью с поверхностным каналом на порядок лучше, чем на сделанных по прототипу, составляет 2-5
10-5. Лучшие значения темнового тока, полученные на приборах К1200ЦМ1, благодаря данному способу изготовления, составляет 50-70 пА/см2, что выше мирового уровня для ПЗС с поверхностным каналом, а уровень шумов снизился приблизительно в 4 раза по сравнению с образцами, сделанными как предлагается в прототипе, и составляет 70 электронов. На опытных партиях динамический диапазон при времени накопления 1 с составил 20000. Отдельные приборы могут работать при временных накоплениях до 10 с при комнатной температуре, при этом темновой ток не превышает 3-4% от сигнала насыщения, что невозможно было достигнуть на сделанных по прототипу партиях приборов, для которых при временах накопления 1-2 с темновой ток составляет 80-100% от сигнала насыщения. Количество светящихся точек на экране изображения, вызванных всплесками темнового тока, сведено к нулю, тогда как на серийных приборах их количество колебалось от 10 до 100 и иногда даже более. По сравнению с прототипом время жизни неосновных носителей заряда, полученное с помощью предлагаемого способа, на порядок лучше, а значение тока утечки p-n-перехода лучшее более, чем в 2 раза.В таблице приведены результаты экспериментов по диффузии фосфора при различных температурах и различных скоростях охлаждения.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с улучшенными электрофизическими характеристиками за счет пониженной концентрации генерационно-рекомбинационных центров. Цель изобретения - улучшение электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров. В способе диффузии в полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы, включающем диффузию фосфора с последующим отжигом, отжиг проводят с понижением температуры от температуры диффузии до 650°С, причем градиент температуры лежит в пределах 2 - 4 град/мин. Данный способ позволяет получить в 2 раза меньший ток утечки диода и время жизни неосновных носителей 2000 - 3000 мкс. 1 табл.
Заявка
4136044/25, 17.10.1986
Кузнецов Ю. А, Нарышкин С. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/324
Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы
Опубликовано: 30.06.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1400387-sposob-diffuzii-v-kremnievye-poluprovodnikovye-pribory-i-integralnye-mikroskhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ диффузии в кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы</a>
Фотоэлектрическое устройство к измерительным стрелочным приборам для поддержания заданной величины измеряемого параметра
Номер патента: 141322
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Амлинский
МПК: G01D 5/347, G05B 1/01
Метки: величины, заданной, измерительным, измеряемого, параметра, поддержания, приборам, стрелочным, фотоэлектрическое
...падали световые потоки равной величины. Во всех других точках величины световых потоков, определяемые плотностями соотвегствуюших фотоизображений не равны друг другу,При равенстве световых потоков, попадающих на фотосопротивления 3 и 4 мост находится в равновесии, При отклонении стрелки прибора от заданного значения на фотосопротивления попадают разные по величине световые потоки, и равновесие мостовой измерительной схемы нарушается.При этом на выходе устройства появляется электрический сигнал, величина которого зависит от степени отклонения измеряемого параметра от заданного значения, а фаза - от направления отклонения стрелки от положения равновесия.В случае недопустимости утяжелять стрелку прибора фотосопротивлениями,...
Способ определения температуры электровакуумных приборов в динамическом их режиме
Номер патента: 61930
Опубликовано: 01.01.1942
Автор: Александров
МПК: G01K 7/04
Метки: динамическом, приборов, режиме, температуры, электровакуумных
...это место, изменяя условия теплоотдачи. Этим вносится в измерение погрешность. Кроме того, при измерениях в динамических режимах при высоких и сверхвысоких частотах возможны значительные погрешности за счет индуктирования э.д.с. в измерительной системе.При коротких и ультракоротких волнах приходится считаться с распределенными параметрами системы, так как каждый сантиметр проводника имеет существенное значение. Наведенные в измерительной системе токи могут дополнительно нагревать термопару. Эти токи тоже могут привести к разрушению измерительного прибора.Указанные выше трудности можно устранить при помощи предлагаемого способа определения температуры. Сущность его заключается в следующем.Исследуемый электровакуумный прибор включают в...
Переносный прибор для определения суммарной концентрации горючих газов и паров в воздухе
Номер патента: 78578
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Вассерберг
МПК: G01N 7/08
Метки: воздухе, газов, горючих, концентрации, паров, переносный, прибор, суммарной
...постоянства скорости пропускания газа.За барботером-индикатором 5 расположены предохранительная ловушка 7, стеклянная трубочка со впаянной платиновой спиралью 8 - для каталитического сжигания горючих примесей - и входной барботер 9 с концентрированной щелочью Для заполнения барботера-индика тора б титрованной подкрашенной щелочью служит металлический бачок 10 с кнопочным зажимом 11.: 858 Зажим 12 предназначен для спуска отработанного раствора.Порядок, работы с прибором следующий,Щелочь 0,01 раствора КОН, подирашенного фенолфталеином, в количестве 15 - 20 мл, заливают в бачок 10. Открывая кнопочный зажим 11, заполняют барботер-индикатор 5 окрашенной щелочью из бачка 10 в количестве 0,5 - 1,0 мл, до нанесенной отметки, Ставят...
Прибор для предупреждения образования взрывоопасной концентрации газа в помещениях
Номер патента: 86290
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Старинов
МПК: G01N 25/22
Метки: взрывоопасной, газа, концентрации, образования, помещениях, предупреждения, прибор
...ВТОроГО СОСудс Гяз орЕЗ КЛяПяц 16 В КяЕру 20 ГОрЕНИя.Ь камере горения имеегся нить 21 накала. Под действием электрического тока нигь имеет температуру, достаточную для воспламенения взрывной смеси газовВоздухох. Для определения температуры воспламенения смеси служиг термопара 22, соединенная с гальванометром,Концентрацию смеси с Воздухом, подаваемую прибором в камеру 20 горения, можно изменять путем изменения рабочего объема сосуда 9. Это достиГаетс с;едуощи 1 Образом, При Вращении Гайи 28 по часовой стрелке сосуд 9 поднимается и его рабочий объем станоьится больше, а рабочий объем газового сосуда 12 остается постоянным. Поэтому смесь газа с во:духом в камере горения становится беднее. При вращении гайки 28 против часовой стрелки сосуд 9...
Прибор для автоматического определения концентрации карбамида в растворах
Номер патента: 171145
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Вгь, Ермолаева, Иванов, Ленинградский, Нефтехимии, Сыром
МПК: C07C 273/00, G01N 7/18
Метки: карбамида, концентрации, прибор, растворах
...в штуцере крышки в тот момент, когда дозатор заполняетсяопределенной, дозой реактива. При подачесжатого воздуха в штуцер крышки, поплавоквыталкивает реактив через нижнее отверстиеи садится на кольцевой нож, чтобы в реакторене повышалось давление,Отсеченной клапан б, соединенный с дозатором реактива и с одним из золотников (в случае пропускания поплавка лозатора реактива,отсечной клапан не пропускает щелочь в золотники, а отводит ее на,слив 15.Реактор 7 представляет собой цилиндрическую емкость из нержавеющей стали, соединенную с дозатором пробы и промежуточнымреле 8, а также сливным пневмоклапаном 9.В,качестве вторичного прибора используютсильфонный манометр 10 типа МСС, который может устанавливаться рядом с датчиком, либо прибор...
Предыдущий патент: Устройство для наложения резиновых полосовых заготовок на каркас
Следующий патент: Ускоритель заряженных частиц
Случайный патент: Устройство для приготовления кормов