Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (iii)
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1364142
Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Иноземцев, Русак
Формула
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:
Фтористый водород 1 - 2
Хромовый ангидрид 1 - 10
Вода 88 - 98
причем время травления составляет от 2 до 5 мин.
Описание
Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III).
П р и м е р 1. Проводят выявление микродефектов в пластинах кремния КЭС 0,01 с ориентацией (III) с целью контроля плотности и характера распределения кластеров точечных дефектов в пластинах кремния, используемых в качестве подложек для эпитаксиального наращивания. Для этого приготавливают травитель следующего состава, мас.%: фтористый водород 1-2, хромовый ангидрид 1-10, вода 88-98 (1-10 г СrO3 растворяют в 87-95 мл Н2О и в полученный состав добавляют 2,0-4,5 мл плавиковой кислоты). Полученный состав во фторопластовой чашке нагревают на плитке. Когда состав начинает кипеть, осуществляют травление контролируемых образцов: пластины в горизонтальном состоянии рабочей поверхностью вверх погружают на 2-5 мин в травитель, затем пластины погружают в проточную деионизованную воду. После промывки (2-3 мин) пластины осушают фильтрами, затем просматривают сначала визуально, потом под микроскопом при увеличении

П р и м е р 2. Выявляют микродефекты в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III). Способ заключается в следующем. Выявление микродефектов в пластинах кремния или в эпитаксиальных структурах на кремнии проводят путем травления в кипящем травителе состава, мас.%: фтористый водород 1 - 2, хромовый ангидрид 1 - 10, вода от 88 - 98 в течение 2 - 5 мин.
Заявка
3950684/25, 06.09.1985
Русак Т. Ф, Енишерлова-Вельяшева К. Л, Иноземцев С. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: iii», выявления, кремния, микродефектов, ориентацией
Опубликовано: 15.07.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1364142-sposob-vyyavleniya-mikrodefektov-kremniya-s-orientaciejj-iii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выявления микродефектов кремния с ориентацией (iii)</a>
Предыдущий патент: Способ определения бризантности взрывчатого вещества
Следующий патент: Способ получения сополимеров винилацетата с бутилакрилатом
Случайный патент: Устройство для переворачивания листовгофрированного картона•••••-. -1ая•-"i. -vrj