Фахуртдинов

Номер патента: 1814107

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Брюхно, Лебедев, Фахуртдинов

МПК: H01L 21/329

Метки: интегрального, стабилитрона

...пробивного напряжения р-п-перехода. 2 ил., 1 табл,диаметром окна б = 20 мкм, После нанесения, с помощью центрифугования, на пластину КБМК проводится законка бора по режиму: Т = 1060"С, 1= 60 - 5. При этомй пар2. поверхностное сопротивление 10,5 Ом/П За последующей операцией снятия КБМК проводится разгонка бора формирования разделительной диффузии и одновременно для создания анода для стабилитрона 6 (см.фиг.2). При этом разгонка бора проводится при 1200 С е течение времени= Зч - 20 - 2 ч расходи+О пар И+О 2 2 2 2 азота 400 л/г, а кислорода 40 л/г. В этом случае поверхностное сопротивление бора 11,5 Ом/Д, глубина 15 мкм. Проводится формирование базы и эмиттера и-р-п-транзистора 11, причем одновременно с эмиттером 7 формируется...