Патенты с меткой «интегрального»

Номер патента: 58597

Опубликовано: 01.01.1940

Авторы: Анисимов, Гульницкий

МПК: G01J 5/38, G01K 11/02, G01W 1/12 ...

Метки: интегрального, прибор, радиации, солнечной, учета

...в один общий стеклянный шар Н (сферическая стеклянная защита). Отсчетная трубка помещается в стеклянный кожух Е, соединенный с общим шаром Н. Таким образом, внешней стеклянной оболочкой создается защита от влияния ветра на систему шарики - отсчетыая трубка.Прибор устанавливается так, чтобы трубка С и приемник радиации - поверхности шариков А и В, - были горизонтальны, Разность температур приемыых поверхностей шариков, пропорциональная падающей радиации, создает эффект испарения эфира из шарика А и кондсенсации паров эфира в шарике В. Горизонтальной установкой трубки С избегается самопроизвольная конденсация эфира вследствие неравенства уровней жидкости, Количество сконденсированного эфира определяется по отсчетной трубке, куда эфир...

Номер патента: 85526

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Шепелюк

МПК: G03B 35/20

Метки: большого, зон, интегрального, количества, несколькими, одним, стереоэкрана, фокальных, центрами

...чагоризонтальных зеркал наружного отражения 2, уразными углами к оси проекции,Таким образом, с каждого изображения на пленке 3 илции получается несколько одинаковых изображений.Стереопроекция ведется также с нескольких двухзеркальных стереонасадок б, на каждую из которых посылается одно из размноженных изображений. Стереонасадки при этом расставляются так, чтобыпри их юстировке пары фокальных зон покрывали полную площадьзрительного зала,Количество фокальных зон, получаемых предлагаемыхравняется произведению количества мнимых объективов натров интегрального стереоэкрана.Римские цифры на чертеже обозначают ряды зритеПри этом внизу (под экраном б) - номера рядов в случции стереопроекции на отражение; наверху - номера рядорганизации...

Номер патента: 114814

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Геккер

МПК: H01J 23/027

Метки: высокочастотных, интегрального, коллектор, мощных, приборах, распределения, электронов, энергиям

...электрода, но несколько большего диаметра. Соответствующим выбором диаметров отверстий устраняется возникновение вторичной эмиссии, вызываемое заторможенными электронами с торцовой части собирающего электрода. Возврат в пространство взаимодействия медленных первичных электронов затруднен благодаря значительной длине каналов, высверленных в диафрагмирующем электроде, Быстрые электроны, пролетевшие тормозящее поле, проходят во внутрь собирающего электрода. Создаваемые ими вторичные электроны, вылетающие под различными углами к внутренней поверхности собирающего электрода, оседают на его стенках.На чертеже схематически изображен описываемый коллектор. Здесь: 1 - диафрагмирующий электрод, для увеличения поверхности, имеющий...

Номер патента: 327888

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кузнецов, Норкин, Скворцов, Старое, Харинский

МПК: H05K 13/04

Метки: интегрального, микроузла, сборки

...колначком, который накрьпвает схему при операции налоскения рамки на коммутационную плату.На фиг. 1 схематически изображена коммутационная плата интегральной схемы с контактньви площадками и коммутационными линитями; на фиг. 2 показана коммутационная плата с интегральной схемой в ее центре; на фиг. 3 - гребенка, на рамке которой находятся внешние выводы и колпачок, презназначенный для защиты схемы; на фиг, 4 - гребенка, наложенная на плату с микросхемой.Предлагаемый способ предполагает следующую последовательность операций. Коммутационные шины 1 и контактные площадки 2 и 3 изготовляют методом вакуумного напыления металлов с последующей фотогравировкой слоев. На коммутационную плату 4 устававливают интегральную схему 5 методом...

Номер патента: 438886

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Дубинин, Загривный, Рудаков, Столяров, Шведов

МПК: G01H 1/00

Метки: бурового, вибрации, датчик, интегрального, станка, уровня

...3, от положения дросселя 6 и от вре 20 мени, отсчитываемого от момента возникновения вибрации. П м ет изобретения 25 Датчик инт рового станка ньш рабочей шень с обрат пружинах в30 атмосферой,71) Заявители Ленинградскийгорный Изобретение относится к буровой технике.Известны датчики интегрального уровня вибрации бурового станка, включающие корпус, заполненный рабочей жидкостью, инерционный поршень с обратным клапаном, установленный на пружинах в рабочей камере, соединенной с атмосферой, чувствительный и регистрирующий элементы.С целью повышения надежности работы корпус выполнен с дополнительной камерой нагнетания, соединенной с чувствительным элементом и связанной с рабочей камерой через обратный клапан и дроссель.Благодаря этому...

Номер патента: 449453

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Иоффе

МПК: H04J 1/00

Метки: интегрального, приема, сигналов, телеграфии, частотной

..."нажатия"), что с миранию второго к ние об изменении от частоты "нажат принимают по факту данной посылки,Схема соде,и два канала,ются электронющие контурыпирующие элемния 9-12 схедо конца этой посылки значение амплитуды сигнала предыдушей посылки. Колебания гасятся импульсами,:.яолучаемыми на выходе дифференцирующих элементов 7 и 8. В схемах совпадения 9-12 (на них поступают сигналы с детекторов интегрирующих контуров 4 и 5) происходит "вырезка;" сигнала. На выходе схемы ИЛИ" 13 собираются сигналы данных посылок, которые поступают на выходной триггер 15. На схеме ИЛИ" 14 собираются сигналы предыдущи задержанных на одну посылку) посылок. Эти сигналы через схему совпадения 16 и схему "НЕТ 17 поступают на второй вход выходного триггера 15....

Номер патента: 524263

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Арушанов, Пругло, Радауцан

МПК: H01L 27/16

Метки: датчика, интегрального, нернста-эттингсгаузен, потока, теплового, чувствительный, элемент

...ч ду большой прсарачност мия в инфракрасном диа но покрыть чернением л к-, способов, обеспечив диэл 25, вязку между кристаллом:монокристаллов и пленок Сйа Ава, эь,тектики 1 тт 5 Ь МАЗЬ.Во всех указанных материалах при неб ших магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводност от магнитного поля И, что определяет опт ;мальную величину магнитного поля, при к торой чувствительность датчика применением монокрибкадмия в качестве чувт., а датчика интегральностаЭатингстхаузена, евт представляет с елегированного монмия, вырезанную его выходного сигфического направле асть пластины, вви- и сурьмянистого ка пазоие, целеоообраэ 1- юбым иэ известныхектрическую рвз- .и чернью при...

Номер патента: 542127

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Галкин, Генике

МПК: G01N 21/46

Метки: воздуха, группового, интегрального, показателя, преломления

...показателя преломнения воздуха при одновременном упрощении процесса измерешш. Это достигается благодаря томучто при приеме измеряют величину девиации несущей частоты и определяют искомый показатель преломления воздуха гго формулез 2 Х с (и) д щ"Р гп 5(42 Д,СВсю+ Сьгэ)где Л э - девиация несущей частоты, измеренная при приеме колебаний;а - коэффициент глубины амплитудной модуляции энектромагиигных конебаний при передаче;Ц - частота амшиггудной модуляции;В, С - коэффициенты дисперсионной формулы показателя преломления воздуха при стандартных условиях;с - скоросгь света в вакууме.Способ реализуют следующим образом.С конечного пункта линии, дня которой тре. буется определитель интегральный групповой пока. затель преломления воздуха,...

Номер патента: 557324

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Волощенко, Казаков, Шмарьян

МПК: G01R 19/02

Метки: значения, интегрального, сигнала

...11 кпючи заряда 2 и коммутации 12, закрывая одновременно ключи считывания 9 и разрчда 5, При этом напряжение от источника сигнала 1 через кпюч заряда 2 и масштабный резистор 3 поступает на прямой вход интегратора 4 и вызывает перенос хпористого серебра в интеграторе с электрода-скпада на рабочий электрод.Количество перенесенного хпористого серебра в любой момент времени строго пропорционально кодичеству прошедшего через интегратор электричества, т, е, интегральному значению тока за рассматриваемое время. Подбором сопротивления резистора 3 можно в широких пределах регулировать скорость переноса хлористого серебра, Если интегральное значение 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 4тока достигает вепичины, необходимой дпяпереноса всего...

Номер патента: 593250

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Воробьева, Кремлев, Приходько, Щербинина, Щетинин

МПК: G11C 17/18, G11C 7/00

Метки: адресный, запоминающего, интегрального, постоянного, устройства, формирователь

...транзистор 1, первыйрезистор 2, второй резистор 3, третий транзистор 4, первый диод 5, второй транзистор 6, пятый транзистор 7, второй диод 8, третий резистор, 9, четвертый транзистор 10, третий ди од 11, четвертый резистор 12, пятый резистор13, входную шину 14, выходную шину 15 и шину питания 16.При работе адресного формирователя в режиме записи информации при повышении на пряжения источника питания до величины,необходимой для записи информации, диод 11 пробивается, ток через резистор 12 протекает в базу транзистора 10 и включает его, транзистор 7 выключается, так как ток резистора 9 30 пе поступает в его базу, а течет в общую шпРедактор Л. Тюрина Подписное Изд.236 Тираж 788 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по...

Номер патента: 641498

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Нусинов, Свердлов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, интегрального, накопитель, постоянного, устройства

...с числовыми шинами, а истоки и стоки- с разрядными шинами.Работает устройство следующим образом.Перед считыванием инФормации шины 1 заряжаются до некоторого уровня напряжения П, . При считывании на вы ранную шину 2 поступает напряжение , величина которого превышает 14, и пороговое напряжение 1)и транзистора 3. Под действием 0 на поверхности кремния под затвором транзистора 3 образуется объединенная область сформула изобретения ьЦ ьО-Сш ф СоСоставитель Н.Бочароваехред З.Фанта;Корректор Т.Вашкови едактор Л.утехи Тираж 680 Государственн по делам изобрет 3035, Москва, Х Заказ 7523 47 Подписноего комитета СССний и открытий5, Раушская наб КИПИ.4/5 лиал ПП 11 Патент, г,ужгород, ул .Проектная,4 Цв - неподвижный заряд кремния в транзисторе...

Номер патента: 662840

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Вихман, Горбунов, Карелин, Катанаев, Козлов, Майоров, Морозов

МПК: G01M 17/06

Метки: автомобиля, заданной, интегрального, оси, отклонения, продольной, среднего, траектории, угла

...тем, что в способе для опре. ройства заключается .в сокращении продолжи " дейеййя среднего ййтегрального угла отклоне. 15" тельности испытанйй автомобиля за счет сведения продольной оси автомобиля от заданнойний до мийимума количества заездов, повьппе.траектории измеряют текущие значеййя=углов" " " ",МИЙ" ЙосТЬЙерйости и точности результатов пу.отклонения продольной оси автомобйля при" тем исключения влияния индивидуальных осодвижении последнего по криволинейной направ- бенностей водителя нарезультат йспытаний иляющей, после чего определяют указанный сред- Ж раСпространейии возможности получения резуль-ний интегральный угол." татов на случай непрямолинейного двйженияУстройство для осуществления споСоба снаб-"автомобиля. "жено...

Номер патента: 731399

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Грязнов, Мусин

МПК: G01R 29/02

Метки: измеритель, импульсов, интегрального, коэффициента, рода, формы

...в квазипостоянное и блока 11 синхронизации. 20В интегральных преобразователях ), 2, 3 использованы элементы, вольт-амперные характеристики которых описываются функциями экспоненциального вида.Устройство работает следующим образом.Исследуемые импульсы поступают на входы интегральных преобразователей 1, 2, 3 и блока 8 детектирования и линейного удлинения импульсов. Амплитуды сигналов на выходах интегральных преобразователей 1, 2, 3 линейно зависят от длительности и нелинейно от амплитуды О и формы входных импульсов. Зави. симость амплитуд преобразованных сигналов от амплитуд входных описывается функциями экспоненциального вида, вследствие чего результат перемножения, выходных сигналов блоков определения отношений является функцией...

Номер патента: 876657

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Вахтин, Есипов, Замостьянов, Кузнецова

МПК: C08G 18/14

Метки: жесткого, интегрального, пенополиуретана

..."сырой" МДИ до40-70 С, к нему при постоянном перемешивании добавляют полиэфиртриолс молекулярной массой 3000-5000.Весовое соотношение "сырого" МДИ иполиэфира составляет 3,25:1 соответственно. После введения всего триола 50смесь оставляют стоять 12 ч. 169 гполученного предполимера смешиваютпри 22 ф 2 С с 40 г М,М,М,М -тетраоксипропилэтилендиамина и 20 гоксипропилированного триола со средней молекулярной массой 500, 20 гтрихлорфторметана (хладбн), 1 гстабилизатора КЭПи 2 г диметилэтаноламинаСмесь выливают в закрытую металлическую форму,. предварительно нагретую до 45 С, где происходит 60ее вспенивание и отверждение.Полученный пенопласт имеет следующие свбйства:Толщина поверхностнойкорки, мм 2237 268 15,2 1,5 197 Общая плотность...

Номер патента: 886285

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Гриневич, Курзин, Чепиков

МПК: H04L 5/02

Метки: дискретных, интегрального, приема, сигналов

...блока 2 фронты поступают на вход блока 11 и воздействуют нанего так, что на выходе образуется непрерывная3последовательность синхроимпульсов с периодом Тофаза которых совпадает со средней фазой положительных фрон тов. Эта последовательность является устойчивой, так как блок 11 обладает свойством усреднения. С выхода блока 3 выделенные отрицательные фронты поступают на вход блока 12, на выходе которого образуется также непрерывная последовательность синхроимпульсов.30Выходы обоих блоков 11 и 12 объединяются во втором элементе ИЛИ 5, На вход блока 9 постугают как положительные, так и отрицательнйе фронты, объединенные первым элементом ИЛИ 4. Блок 9 на своем приемном выходе гене 35 рирует последовательность прямоугольных импульсов...

Номер патента: 888206

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Агапкин, Феденко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, интегрального, считывания, усилитель, устройства

...зарядки сигнальной шины 6, сигнальную шину 7, первый 8 и второй 9усилительные транзисторы, третий 10и четвертый 11 нагрузочные транзисторы, шину 12 питания и транзистор 13смещения, входы 14 и 15 и выход 16усилителя, Транзисторы 8 и 9 имеютобщий исток и соединены по триггерной схеме, а их стоки подключены соответственно к шине 7 и к выходу 16 усилителя. Истоки нагрузочных транзисторов 1 и 2 соединены соответственно с выходом 16 усилителя и шиной 7. Стоки и затвор транзистора 1 подключены к шине 12Затвор транзистора 2 является одним иэ входов усилителя 15. Затвор транзистора 13, стоки транзисторов 1 О, 11 и сток транзисторапредварительной зарядки шины 6 соединены с шиной 12. Затворы транзисторов 1 О и 11 подключены к истоку транзистора 10...

Номер патента: 928405

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/40, G11C 7/06

Метки: запоминающего, интегрального, считывания, усилитель, устройства

...отсутствуют цепи статического потребления и дифференциальный выходной сигнал на сигнальных шинах равен напряжению питания.Это имеет большое значение для интегральных динамических ЗУ большой и сверхбольшой емкости, так квк мощность, потребпяемая известными усилителями считывания, состагдяет 70-80",о мощности потребления ЗУ. Применение предлагаемогоусилителя позволит снизить мощность потребления ЗУ в 2-3 3 92840быстродействие за счет заряда параэитной емкости схемы.1 Ьдь изобретения - уменьшение потребляемой мощности и увепичение быстродействия усилителя считывания.5Поставленная цель достигается тем,что усилитель ссдержит два МОП-конденсатора и два ключевых транзистора, стокпервого ключевого транзистора соединенС ЗатВОРОМ ПЕРВОГО...

Номер патента: 928412

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, интегрального, матричный, накопитель, устройства

...шин выборки с одной из полушин числовых шин.На фиг. 1 изображено .взаимное расположение элементов на кристалле ЗУПВ;на фиг, 2 - фрагмент топологии матричного накопителя,, Накопительподанному изобретению использованн в и нтегральном ЗУПВ емкостью".16384 бита, Запоминающее устройство,изготовленное по о -канальной МОП тех Знологии с самосовмещенными кремниевыми затворами и с двумя уровнями разводки иэ поликристаллического кремния, содержит элементы памяти 1, состоящие изМОП-конденсатора 2 и ключевого транзистора 3, Шины выборки 4 выполненыиз поликристаллического кремния второго уровня и являются одновременнозатворными шинами ключевых транзисторов 3. Числовые полушипы 5, соединен- Бнные с ключевыми транзисторами 3, выполнены из...

Номер патента: 580712

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Александрова, Дементьева, Курзанова, Курюгина, Ляпин, Чугунова

МПК: C08G 18/14

Метки: интегрального, композиция, пенополиуретана, эластичного

...качестве вспенивающего агента ис-пользуют низкокипящие галоидсодержащиеуглеводороды, например метиленхлорид,трихлорм онофторметан,В качестве катализатора можно использовать третичные амины, напримердиазабициклооктан.П р и м е р 1 К 100 вес,ч, сополимера окиси пропилена. и окиси этилена(содержание окиси этилена 10%) мол. веса 5000 добавляют (вес, ч.) 128 1,4-бутандиола, О,5 1,4-диазабицикло-(2,2,2)-октана (ДАБКО), 6,5 метиленхлорида и 6,5 фреона(трихлорфторметан). Массу перемешивают со скоростью 1400 об/мин в течение 30 - 40 с,затем при работающей мешалке добавляют56 вес. ч. кваэипредполимера, полученногоиз 90 вес, % дифенилметандиизоцианата(ДФМДИ) и 10 вес. % полиоксипропиленгликоля мол,веса 200 (содержание...

Номер патента: 418067

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Александрова, Зотова, Кондратьева, Крючков, Курзанова, Попов

МПК: C08G 18/14

Метки: интегрального, пенополиуретана, эластичного

...и 50 вес.3,3-дихлор,4 - -диаминотрифенилметана и представляющей собой вязкую массу темного цвета . с содержанием ИН -групп 10,353. Массу гомогениэируют при 70-80 С и после ох олаждения до комнатной температуры добавляют в нее 2 вес. ч. 334-ного раст. вора триэтилендиамина (ДАВСО) в диэти ленгликоле, 5 вес. ч. метиленхлорида и 5 вес, ч, фреона. Массу перемешива ют в течение 30-40 с, затем при работающей мешалке добавляют 39 вес, ч. сжиженного дифенилметандиизоцианата с содержанием И СО-групп 30,7 ь, Перемешивают со скоростью 1400 об/мин, в течение 15 с, быстро выливают в метал лическую форму размером 199 ф 60 х 10 мм и герметизируют. Выдерживают при ком 7 фнатной температуре в течение 10 мини извлекают иэ формы готовые иэделия,имеющие...

Номер патента: 987711

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Гирий, Ескендиров, Ладыгин, Мустафаев, Огородников, Туякбаев, Шаховцов

МПК: H01L 21/283

Метки: интегрального, транзистора

...яют, например,роизводят, наго разгонку -оит тветИзвестен также спогрального транзисторазовой области днффузидующей разгонкои, котлечить достаточную прого в соответствии сэ соб изготовления инте- путем формирования баей бора и его послеорый позволяет обесчность изготовленноним интегрального транользование предлагае в значительной степе ю стойкость икте же обеспечить просто интегральных транэи транзисторы, изготовл м, могут най аратуре, мого способа п ни повысить ра в т ционнуа так способа состоит в маойкости изготовленного в интегрального транзистора.- повышение радиационгрального транзистора. мым способотовой апп нстора 23.Недостаток такого ой радиационной стответствин с ним Цель изобретения ой стойкости инте гральных транзисторов, у...

Номер патента: 1076001

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Вильбар, Мадхукар

МПК: G11C 11/42

Метки: интегрального, матричного, накопителя, памяти, ячейка

...элементов и двух адресныхшин 1 .Наиболее близкой к предложеннойявляется ячейка памяти, содержащаясловарную и разрядную шины, шинуопорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопительзарядов, причем один вывод ключаи резистора соединены соответственно с разрядной шиной и шиной опорного потенциала 2 .Известная ячейка памяти занимает большую площадь.Целью изобретения является повы Ошение степени интеграции ячейки.Поставленная цель достигаетсятем, что в ячейку памяти для интегрального матричного накопителя, со"держащую словарную и .разрядную шины, шину опорного потенциала и последовательно соединенные ключ и накопитель зарядов на конденсаторе ирезисторе, причем один вывод ключаи резистора соединены соответственно с разрядной...

Номер патента: 1109599

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Медовиков, Прилепин

МПК: G01N 21/45

Метки: воздуха, интегрального, показателя, преломления

...ДМС.ТР ПУЧКС (3 И (ЕЕ(и С)Р 1 МЕТ)Ь 1 Н а КОИ ( .-Х г-ИС . ДНЦ 1 Ипо которым 0(1 р) ес 15 нт 13:те г; (1 ль1 ый покзз атс 1 Ь прело)(Хеки)3 Г)сзд)х.ОПОРНЫЙ И ЦИ С : ННи ОННЬЙ Гг(Ч(СИ НР(.3 .01 рвжеезя Г водя 1 вместе . Пс. (Н,(с)ной инт с)ферснО 1 оной картинс:.К)Т Р аз НО"Г Е РУНП:(ВО (. Е) фаз ОВ ( .ОНТИЧ ЕСКИ Х .Т.,)С)Пг БИН) . 1 ( ОнорНОГО .1)Г(ЕС,; ( ) )МЬПЗ ( - :Г (С 1 с .)П,И . (Лг юа СЗ.Ь Ь(.".С(13Г);1: ЦК )ЗТС;1 Ь,3. 1 (3(1)(Ь 1 Е(ПГ; 3;(С РС:Н;)53 И гю ) С ГРав ЬНОО К.)каз,.005) ЕГ) еЛОМЛЕННЯОЗДг Ха На Пред. Ож н)ый способ Осуп;ест ( Еяет -си (.и ед) к П(м ) бр дзом. Световой и) (30(к:)ерсстраке)е)е) ого а: сра,:3("Хее,;нетя нд два пучка:нр)еьЙ)ст дн 1 ицнееьй ,:, та) циОе -ют такие целые значения чисел 11.,1 чтобы...

Номер патента: 1122950

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Кармов, Тлимахов, Тхамоков

МПК: G01N 22/00

Метки: интегрального, мелкими, облаков, ослабления, радиоволн, частицами

...частицами облаков обеспечиваетвысокую точность и достоверностьизмерений.Цель изобретения - увеличениеточности и достоверности измерений,Цель достигается тем, что согласно способу определения интегрального ослабления. радиоволн мелкимичастицами облакон, заключающемусяв определении полного ослабления ра"диотеплового излучения облаков путемизмерения радиотеплового излученияоблаков, определении интегральногоослабления радиоволн крупкымн частицами облаков к определении интегрального ослабления радиоволн мелкими частицами облаков по разностиполученных характеристик, интегральное ослабление радиоволн крупнымичастицами облаков определяют путемизмерения радкоэха Р(1,1 к Р(31) отоблаков на двух длинах нолн Ь, и 2в том хсе направлении, в...

Номер патента: 1144033

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Глумов, Медовиков

МПК: G01N 21/41

Метки: воздуха, группового, интегрального, показателя, преломления

...- круговая частота модуля-,ции,Ь 6 Э; - ИЗМЕРЕНная девиация-йнесущей колебаний;- длина трассы;6 и С - дисперсионные коэФфициентыФормулы Коши для стандартных условий;Т - средняя температура воздуха на концах трассы;М, и 2 - коэФФиЦиенты формулы Баррела-Сирса;" и " - коэффициенты формулы фр 1ма-Эссена,причем величину разнесения оптических несущих колебаний по спектру Ьопределяют по формуле Ь="з Ь"где Ь " заданная точность определенин показателя преломления воздуха в радиодиапазоне частот;Ь 8 - точность определения индек"са преломления в оптическомдиапазоне частот;Э - средняя длина волны;033 3 11447 - скорость электромагнитныхколебаний в воздушной сре-,де.На чертеже представлена блок-схема устройства для реализации...

Номер патента: 1032899

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Гусева, Ермолаев, Застенкер, Лейбов, Немечек, Ноткин, Шафранкова

МПК: G01T 1/15, H01J 47/00

Метки: датчика, интегрального, ионов, калибровки, космической, плазмы, потока

...соединен с командным устройством, а один из выходов соединен с телеметрической системой, другой параллельно подключен к супрессорной сетке цилиндра Фарадея, при этом расстояние между супрессорной сеткой и коллектором цилиндра фарадея прямо пропорционально диаметру цилиндра фарадея и напряжению пробоя между ними,Уменьшение этого расстояния, с одной стороны, позволяет при сохранении всех остальных параметров уменьшить амплитуду треугольного напряже 20 ния на супрессорной сетке, что упрощает конструкцию и электрическую схему, но, с другой стороны, ведет к уменьшению величины напряжения пробоя между супрессорной сеткой и коллектором цилиндра Фарадея, Оптимальной величиной оказалось отношение диаметра коллектора к расстоянию отнего до...

Номер патента: 1244155

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Гоммен, Копшева, Петров, Шамов, Шашков

МПК: C08G 18/14

Метки: интегрального, пенополиуретана, эластичного

...смеси ТДИ и ПИЦ в соотношении 50:50.Коэффициент морозостойкости при-40 С 4,0.П р и м е р 3, ИЭП получают попримеру 1, но в качестве изоцианатного компонента берут 56 мас.ч. квазипредполимера на основе смеси ТДИи ПИЦ в соотношении 50:50 и соединения формулы ОН-(СН -СН -О) Н,где п=9, содержащего 29,5 мас,Я изоцианатных групп, Коэффициент морозостойкости 3,0,П р и м е р 4. ИЗП получают попримеру 1, но в качестве изоцианатного компонента берут 67 мас,ч. квазипредполимера на основе смеси ТДИи ПИЦ в соотношении 80:20 и соединения формулы ОН-(СН -СН -О) Н, гдег. равно 2, содержащего 25 мас.7изоцианатных групп, Коэффициент морозостойкости 4,0,П р и м е р 5. ИЗП получают попримеру 1, но в качестве изоцианатного компонента берут 50 мас,ч....

Номер патента: 1293612

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Ермашкевич, Разоренов, Хруцкий

МПК: G01N 27/22

Метки: газосодержания, датчик, двухфазного, интегрального, потока

...сечения протоНОЙ части конденсатора постоянна по всей длине и равна площади сечения входного патрубка, 40Датчик работает следующим образом.Весь исследуемый г;отак проходит между обкладками конденсатора, соотношение радиусов которых выбирается исходя из требований точности измерения, Практически приемлемым следуlат считать отношение г ;г х )3:1 ри больших отношениях г, /г, не а;30- Ладность электрического поля в радиальном направлении становится заметной, при этом увеличивается погРРШЦОГгг глРПРН 1 Я;г) 1 лго; 0 чодержан;я,11 ри малых отношениях1 г р лвном 3 Оноть элс.ктр: 1 Г т 01 О О)151 Н .3 ЯЗОРР Он;.гС 3 Р 701 й ЭЦСг)3"Р; .;В: ШЕ, Оцнака РЯЭМГ)РЫ;тат тика ПРИ эом растут, г:аско;ку требус 1;я обг спечить и:); таянос 01:сч)Р...

Номер патента: 630874

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Абалдуева, Александрова, Юркин

МПК: C08G 18/14

Метки: интегрального, пенополиуретана, эластичного

...гомополимеров или сополимеров окисей алкиленов. 15В качестве сшивающего агента могут быть использовано многоатомныеспирты, например, 1,4-бутандиол,этиленгликоль, триметилпропан и т,п.,а также олигомерные гидроксилсодержа щие соединения, типа полиоксиалкиленгликолей. Предпочтительное количество сшивающего агента 10-15 вес.ч.на 100 вес.ч. основного полиэфирногокомпонента. 25В качестве вспенивающего агентаиспользуют низкокипящие галоидсодержащие углеводороды, например метиленхлорид, трихлормонофторметан (фреон1), и др. Предпочтительные количества 20-40 вес.ч. на 100 вес,ч. основного полиэфирного компонента.В качестве катализатора могутбыть использованы третичные амины,например диазабициклооктан (ДАБКО),взятый в количестве от 0,5 до1,0...

Номер патента: 1317418

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Анисимов, Исаков, Капитонов, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/569

Метки: защиты, интегрального, стабилизатора, узел

...сток-истоктранзистора 4 меньше порогового напряжения затвор-исток транзистора 6,Транзистор 6 находится в обесточенном состоянии и не влияет на работусхемы,При токе нагрузки 1 - 1 нэток коллектора 13 транзистора 1 становится равным току коллектора 14транзистора 2, Дальнейшее увеличениетока Йагрузки приводит к тому, чтоток коллектора 14 транзистора 2 начи"нает превышать ток коллектора 13транзистора 1. При этом транзистор 4переходит в режим насыщения тока стока, резко возрастает его падение напряжения сток-исток, транзистор 6переходит в активный режим работы ивоздействует на дополнительный входусилителя 7 сигнала рассогласования, ограничивая тем самым выходнойток стабилизатора. При перегрузкепо входному напряжению или коротком...