Рудовол

Номер патента: 1836754

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 29/92

Метки: индуктивности, катушка

...канавка,(7), разделяющая два ряда вертикальных цилиндрических областей (2) и служащая для размещения сердечника иэ ферромагнитного материала (8),. частично или полностью расположена в межвитковом пространстве соленоида кзтушки, витки которой представляют собой линейные участки прямоугольных витков образованные вертикальными цилиндрическими областями (2) полупроводника р+-типа проводимости, сформированными в объеме материала несущего основания (1), и горизонтальными областями (10) иэ проводящего материала последовательно соединяющими вертикальные цилиндрические области (2) из противолежащих рядов, размещенных на одной из сторон несущего основания (1).Как следует иэ фиг. 1 минимальный шаг расположения вертикальных цилиндрических областей...

Номер патента: 1825433

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 27/04

Метки: индуктивности, катушка

...монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией (100) можно сделать вывод, что при монтаже пластины 8 в соответствующее отверстие 2 боковые грани последней выполняют функции направляющих, позволяющих значительно автоматизировать процесс монтажа пластин, так как площадь отверстия всегда больше площади нижнего основания пластины 8,На горизонтальных участках слоев 10 и 11 ферромагнитного материала образующих замкнутый сердечник соленоида катушки индуктивности, сформированы слои 12(3) 1 вит.гп о=2 бо.О.ЗМ и О раб диэлектрического материала в качестве материала использованы слои высокомолекулярного органического соединения, например, полиимида толе;иной 2,5 - 5,0 мкм. Таким образом, вертикальные цилиндрические области 3...

Номер патента: 1819357

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 29/92

Метки: индуктивности, катушка

...перекрывались ни 45с сердечником 6, ни между собой. Из вышеупомянутого условия следует, что минимальная ширина сердечника 6 ( ф/сер.мии)иэ ферромагнитного материала и минимальное расстояние между двумя соседними 50вертикальными областями 3, т,е, шаг витка(вт.ми.) должны быть больше удвоеннойширины (б о,о,а) области объемного зарядавышеупомянутого р-п-перехода, т.е. должны выполняться соотношения 55Ибф/сер.мн = 2 бо.о.э П Ц,аб, (2)бвт.мин = 2 б.о,о.з П 4)аб,",/ ,(3) щего слои на основе двуокиси кремния, например, боросиликатного стекла, или композиционных слоев на основе композиций двуокиси кремния и других соединений последнего или соединений других металлов, например, двуокиси кремния и нитрида кремния, двуокиси кремния и окиси...

Номер патента: 1173450

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Демина, Карлов, Колдашов, Марченко, Пчелина, Рудовол, Шахпазиди

МПК: H01B 3/10

Метки: резистивного, состав

...Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Изобретение относится к электронной технике и может найти примене" ние, в частности, при изготовлении резисторов, гибридных микросборок и интегральных схем. бЦель изобретения - повышение стабильности сопротивления при комплексном воздействии высокого напряжения и температурьв и:.уменьшение коэффици-, ента напряжения изделия на основе . Ю предлагаемого состава.П р и м е р. Порошкообраэный рутенат свинца смешивается с оксидом сурьмы, окислом ванадия, оксидом циркония и прокаливается при 800 С 1 Затем этот состав, подвергается помолу в среде этилового спирта в алуи- довом барабане с алуидовыми шарами в течение 10-25 ч до получения удельной поверхности 6000-8000 см/г. 20...

Номер патента: 1092575

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Лен, Рудовол

МПК: H01C 17/00

Метки: запрессовки, корпус, оснований, переменных, резисторов

...на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг,1; на фиг.4 - вид В на фиг.З.Устройство для запрессовки оснований переменных резисторов в корпус содержит матрицу 1 для размещения корпуса 2 резистора с контактной пружиной и пуансон 3 для запрессовки основания 4 резистора. Пуансон 3снабжен контактами 5 для подключениявыводов 6 основания 4 переменногорезистора к блоку управления (не показан). Контакты 5 изолированы отпуансона 3, Подпружиненный упор, выполненный в виде траверсы 7, предка.эначен для фиксации пуансона 3 в момент окончания деформации контактной пружины корпуса 2 резистора нарасчетную величину, Траверса 7 установлена с зазором Г относительно неподвижного регулируемого упора В, Величина зазора Г между траверсой 7 и неподвижным упором 8...

Номер патента: 389040

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Агарков, Болдырев, Вител, Дроздова, Павлов, Рудовол

МПК: C03C 3/064, C03C 8/24

Метки: стеклосвязка

...Ъ "ДК 666,112,7(088.8 авторызобретения Н. М. Павлушкин, А, С. Агарков, В, Т. Р, А. Болдырев и Л. Я Московский ордена Ленина химикоимени Д. И. МендПавлов, Г, Г, Рудовол,Дроздоваехнологический институтелеева яви СТЕКЛОСВЯЗКА Ниже приво(см. таблицу) стеклоров.щая ЯОг,Сост 5 шение адабильно темпера 5 О 18 17 24 21 33 25 жит укаличествах 10 29; ВаО дин оки - 17; РЮ 5 А,О Т,О РЬОО ми соста остав Свойства стекол г/см 4,5 7,6 относ 5,1,енин в воде в те отери в 1 часаса при кг%ад а 10 1/грТемперату 101,4494 00,728 96,2532 а размягчения, С Изобретение относится к составаьсвязки для композиционных резистоИзвестна стеклосвязка, включаюВ,Оз, ВаО, А 1203.Целью изобретения является улучгезиопных свойств, повышение стсти электрических свойств,...

Номер патента: 347812

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол

МПК: H01C 7/06

Метки: объемного, резистор, типа

...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....

Номер патента: 347811

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Рудовол, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...текпроводя щев следующвес. %: Изобретение относится к области резисторостроения.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе карбида кремния и керамическим связующим,Предлагаемое изобретение снижает температуру коэффициента сопротивления и повышает термостойкость резисторов.Описываемое изобретение отличается от известного тем, что резистивный материал выполняют с токопроводящей фазой на основе сложного карбида металлов 1 Ч и Ч 1 групп периодической системы, например циркония и молибдена, и связующим в виде алюмо-силикатно-боро-бариевого стекла.Содержание исходных компонентов т водящей фазы представлено в следую личественных соотношениях, вес, %:Цирконий 25 - 75Молибден 15 - 65 Углерод 8 - 15.Содержание компонентов...

Номер патента: 347809

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Дубовик, Куценок, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: taeaacfoiflv, материалi, резистивньш, ч•

...росту удельно Изооретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при производстве постоянных и переменных резисторов.Известный резистивный материал на основе тугоплавких соединений карбидов металлов 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазоном рабочих температур,Цель изобретения - снижение температурого коэффициента сопротивления и расширеие диапазона рабочих температур.Для этого в состав предлагаемого материала входят цитриды элементов 111 группы периодической системы (бора, алюминия), при этом исходные компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):Бор (алюминий) 1,5 - 4,5 Азот43 - 2,0Углерод...

Номер патента: 347807

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Рудовол

МПК: H01C 7/06

Метки: объемного, резистор, типа

...и отличается от известных тем, что в 10качестве токопроводя щей фазы использовансложный карбид металлов Ю и Ч групп периодической системы.Компоненты токопроводящей фазы взяты вследующих количественных соотношениях 15(вес. %):Металл 1 Ч группы 1 - 94Металл Ч группы 1 - 94Углерод общ. 4 - 25Углерод своб. 001 - 25 20Для расширения температурного интервалаработы резистора до 200 - 250 С, увеличениямощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги истабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений всостав предлагаемого низкоомного объемногорезистора наряду со связующим материалом(например, алюмо-силикатно-борно-бариевогосостава стекло) входит сложный карбид типа ЗО пример 2Т 1...

Номер патента: 319000

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/04

Метки: композиция, резистивная

...в предлагаемом объемном резисторе в качестве токопро- т 5 водящей фазы используются сложный тугоплавкий силицид Т 1 ю,5 Сго,о 512 и силикатно-боробариевая стеклосвязка.Предлагаемый резистор объемного типа изготовлен в габаритах резистора СПО - 0,5 вт методом горячего прессования при температуре + 900 С в слабо восстановительной среде. В качестве резистивного материала в нем применен сложный тугоплавкий силицид Т 1 о,е Сто,е 512, а в качестве связующей фазы в нем применено стекло состава, вес. %; ЫО.4,3, ВаОа 18,6, ВаО 77,1, так как силикатноборо-свинцовая стеклосвязка не дает удовлетворительных результатов в сочетании со сложными тугоплавкими сил ицидом титанхром-кремний. Предлагаемая стеклосвязка обладает лучшей...

Номер патента: 317113

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, непроволочных, объемного, резисторов, типа

...наполнителя использован хромово-титановый боридв области гомогенности, а в качестве связующего алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло,Кроме того, упомянутые компоненты взяты в 20весовых процентах в следующем соотношении: хромово-титановый борид 50 - 80, алюмо-боро-силикатно-бариевое стекло 20 - 50.Предлагаемый материал для непроволочных резисторов объемного типа изготовлен 2методом горячего прессования при +900 С вслабо восстановительной среде. В качестверезистивн ого материала в нем примененсложный тугоплавкий борид: Т 1 о,аСго 2 В, а вкачестве связующей фазы - стекло состава, З 0 вес. %: 8102(4 - 20); В 20 з (8 - 20); ВаО (60 - 78); А 120 з (до 12).Содержание резистивного материала в композиции составляет 50 - 80 вес, %, остальное -...

Номер патента: 313227

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Власов, Гребенкина, Косолапова, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материалы для объ емных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего.Однако резисторы, изготовленные из этих материалов, обладают низкой теплостойкостью и значительным температурным коэф фициентом сопротивления.С целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления, повышения теплостойкости и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве то копроводящей фазы предлагаемого материала применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло, при этом исходные компоненты смеси могут быть взяты 20 в следующем соотношении, вес. %:сложный карбид цирконияи вольфрама 50 - 80силикатноборобариевоестекло 50 - 20 25В качестве примера...

Номер патента: 302317

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агарков, Болдырев, Власов, Московский, Павлов, Павлушкин, Рудовол

МПК: C03C 3/064

Метки: стеклосвязка

...ваег нчеобеспеч 1 ной хна пО 60 ука- вах пна ЬнОз го веществ для токопров+51)зОз: о - 50 5 - 30 0 - 60 3 - 15 15 СОХ 1 НОНСНтм сроме того,ЯгО, СаО УпО, Сс 10 РЮ 51 О., В.,О, ВаО А,О 35 - 45 10 - 15 20 - 25 5 - 7 5 до 1 45 10 20 10 о п 02 1 зОз Ь,Озношение 2,азО Получение резисторов осуществляюдом горячего прессования порошков. ето 30 Предлагаемая с получение резистор ской и термической Это достигается занные компоненты вмол, %: ЯОз В 20 з ВаО Л 120 зрадиотехшщескон теклосвязкц, прнрезисторов на осроводящих полу- Известна стеклоВ 20 з, ВаО, Л 1,0 з. до 10 до 5 до 10 до 10 до 10В качестве придующие составыго вещества типамер Таз,Лс,сСЫОзВзОзВаОЛ 1 зОзСаО Сс 10 СаО Ха.,О КО ХпО В 1.,0 РоО 1 еров можно привести сле текол; для...