Гибридная интегральная схема сверхвысокочастотного и крайневысокочастотного диапазонов

(5 ц 5 Н 01 .23 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Н 1 2(21) 4920627/21 нанесен топологический рисунок металли- (22) 19,03,91 зации, содержащий по крайней мере одну (46) 30,04,93. Бюл. М 16 посадочную площадку, расположенную на (71) Научно-производственноеобьединение дне углубления, выполненного на лицевой "Исток" поверхности платы, соединение посадоч- (72) В.А.Иовдальский; В.М.Долич и В.А.ли- ной площадки с топологическим рисунком . Патова , металлизации осуществлено по боковой (56) Мэгин Ч.Г., Макклелланд С.Технология стороне углубления, При этом зазор между поверхностного монтажа - будущее техно- кристаллом навесного полупроводникового логии сборки в электронике. М.: "Мир", элемента и частью рисунка металлизации в 1990. с, 91. месте соединения с проволочным проводМ 1 сгоаачез апб ВР, 1986, ЬЬ 9, р. 232. ником, соединяющим контактную площадкукристалла с топологическим рисунком ме- (54) ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА таллизации, выбран равным 25-250 мкм..СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО,И КРАЙНЕ-: . Глубина углубления выбрана такой, что па- ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНОВ верхность контактной площадки навесного (57) Сущность изобретения; в твердой диэ- элемента находится в одной плоскости с а лектрической плате гибридной интеграль- поверхностьютопологического рисунка меной схемы, на лицевую поверхность которой . таллизации. 2 ил.ф Изобретение относится к электронной.технике, в частности к гибридным интегральным схемам СВЧ- и КВЧ-диапазонов.Цель изобретения - улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридных интегральных схем СВЧ- и КВЧ- диапазонов.На фиг,1 изображен разрез гибриднойинтегральной схемы с посадочной площадкой для навесного элемента, расположенной на поверхности платы, выбранной за прототип, где: диэлектрическая твердая подложка - 1, топологический рисунок металлизации - 2, посадочная площадка - 3, навесной элемент -4, контактная площадка навесного элемента - 5; на фиг,2 - разрез гйбридной интегральной схемы с посадоч- . ной площадкой, расположенной в углублении и соединенной с топологическим рисунком металлизации через металлизацию боковой поверхности углубления.Обозначения с 1 по 5 аналогичны фиг,1, углубление в лицевой поверхности подложки - 6, боковая поверхность углубления, обращенная в сторону проводника,-7.П р и м е р, На диэлектрической твердой подложке 1 выполненной, например,из поликора, сапфира и т,димеющей топологический рисунок металлизации 2, в состав которой входит посадочная площадка, состоящая, например, из.последовательно нанесенных слоев СгОм/см, Св - 1 мкм(напыленной), Си - 3 мкм (наращенной гальванически), Ю - 0,6 мкм (гальванического),Ац - 3 мкм (гальванического), установлен навесной элемент 4, например конденсатор, диод, транзистор и т,дконтактная площадка 5 навесного элемента 4 соединена с топологическим рисунком металлизации 2. Навесной элемент 4, например, представляющий собой кремниевый или арсинидгаллиевый кристалл, закреплен на контактной площадке 3 топологическаго рисунка металлизации 2 с помощью припоя, например Аи - Я 1, или токопроводящего клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на навесной элемент 4, где происходит преобразование сигнала, который снимают на выходе через проводник, соединяющий контактную площадку 5 навесного элемента 4, расположенную на верхней плоскости с.другим проводником тополагического рисунка металлизации 2, В зависимости от типа навесного элемента сигнал может проходить й в другом направлении.Предлагаемая конструкция гибридной интегральной схемы по сравнению с прототипом позволит улучшить электрические и массогабаритные характеристики, Например, если соединение контактной площадки навесного элемента с тапологическим рисунком металлизации будет иметь длину 50- 150 мкм (зазор между кристаллом и топологическим рисунком 2.5-250 мкм), а соединение по боковой стороне углубления примерно равно высоте кристалла, то их суммарная величина всегда будет меньше, чем длина соединительного проводника в техническом решении, принятом за прототип, так как посадочная площадка при посадке навесного элемента должна быть больше размеров навесного элемента примерно на 250 мкм (по 125 мкм на каждую сторону), Зазор между посадочной площадкой и ближайшим элементом тапологическаго рисунка металлизации должен быть 150 мкм. При высоте кристалла 150 мкм длина соединительных проводников в предлагаемом ре- "0 шении.равна 150 мкм+ 150 мкм = 300 мкм, а в прототипном ешении 125 мкм+ 150 мкм+15 м к : ( 125 укм + 150 ьщ ) =275 + У 22500 + 75625 = 275 + У 98125 = =275+ 313 =-588 мкм, Таким образом, длина соединительных проводников в предлагаемом техническом решении почти в 2 раза меньше чем в пратотипном решении,Кроме того, предлагаемая конструкция интегральной схемы позволит сократить расход драгметаллов. в случае использования залатай проволоки в качестве соединительных проводников, а также улучшить теплоотвод,Формула изобретенияГибридная интегральная схема сверхв ысокочастотнога и крайневысокочастотнагодиапазонов, содержащая твердую дизлект 3" рическую подложку, на лицевую поверхность которой нанесен тополагическийрисунок металлизации, соединенный с покрайней мере одной посадочной площадкой, на которой расположен навесной элемент, и через проволочный проводник - сконтактной площадкой навесного элемента,о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с цельюулучшения электрических и массагабаритных характеристик, на лицевой стороне"0 подложки выполнено углубление, на дне котарого распалокена посадочная площадка,соединение которой с частью тапологического рисунка металлизации, примыкающего к углублению, осуществлена через45 металлизацию боковой поверхности углубления, при этом зазор между навесным элементам и частью рисунка металлизации в месте соединения с проволочным проводником равен 25 - 250 мкм, а глубина углублеция,50 выбрана такой, что поверхность контактнойплощадки навесного элемента находится водной плоскости с поверхностью топологического рисунка металлизаций,1812580 Составитель В, Иовдальскийедактор, Техред М.Моргентал Корректор М. Петро Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 аказ 1577 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по изоорете 113035, Москва, Ж, РаушскаПодписноем и открытиям при ГКНТ СССРаб., 45