Татеосов

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 1199624

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Беликов, Маркман, Татеосов, Фазылов, Херсонский

МПК: B28D 1/14

Метки: инструмент, керна, неметаллических, отбора

...головка 6 установлена с возможнсстью продольного перемещения вдоль полости корпуса.Нижняя часть направляющей 4 снабжена опорной втулкой 8, боковая поверхность которой выполнена с упорами 9 в виде подпружиненных. зачеканенных в тело втулки шаров. Торцовая поверхность втулки 8 снабжена упором 10, выполненным сферическим ,гля обеспечения наименьшей площади контакта с поверхностью заготовки и с возможностью вращения в процессе обработки, что не вызывает локальной выработки на поверхности вырезаемого керна. Для направленной подачи СОЖ к режущему слою 3 во втулке выполнены дополнительные каналы 11. Для предотвращения выпадания направляющей 4 из корпуса 1 в последнем установлен винт 12.Инструмент работает следующим образом.При осевой...

Номер патента: 1006199

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Беликов, Гуртовенко, Маркман, Сатановский, Татеосов, Фазылов, Херсонский

МПК: B24D 17/00

Метки: алмазного, инструмента, трубчатого

...переносят в ванну с электролитом матового никелирования и создают на нем слой никеля толщиной 10 - 20 мкм, при этом процесс ведут при следующих режимах: плотность тока, А/дм 0,3 - 0,5; температура электролита, С 45 - 50; рН среды 4,8 - 5,0; время процесса определяется заданными параметрами.Затем катод переносят обратно в ванну с сульфаминовым никелевым электролитом, погружают в приспособление (корзинку с алмазами) и формирование внешнего алмазоносного слоя производят аналогично формированию внутреннего алмазоносного слоя.При изготовлении многослойного трубчатого алмазного инструмента операции повторяют в указанной последовательности, доводя толщину алмазоносного слоя до требуемой. Одновременно с формированием на катоде алмазоносного...