Способ создания профилей ионной повреждаемости
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ССЮЭ СОВЕТСКИХ ОСЮЦЦЮВНЕВИ СПУБЛИК( 9) (И) 1/26 0 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТВУ ки,Уе 1 спз 1 х,Г. Нис 1. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТКР ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛ 21) 2908687/18-21 22) 10,04,80 46) 28.02.85. Бюл. У 8 72) В.ф. Реутов и С.П. Вагин 71) Институт ядерной физики АН К ахской ССР 53) 621 384 6(0888) 56) 1. С. Пью, Атомная техника з убежом. 1971, В 5(19)2. Т.Е. Уй 1 еу, С,Ь. Ко(54) (57) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПРОФИЛЕЙИОННОЙ ПОВРЕЖДАЕМОСТИ в плоскихобразцах путем ионной бомбардирово т л и ч а ю щ и й с я тем, чтос целью расширения области применния и упрощения технологии, ионнуюбомбардировку осуществляют черезпоглощающие фильтры цнлиндрическоформы.Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано для получения объектовс целью изучения в них характераионной повреждаемости вдоль трека 5движения ионов.Облучение объектов ионами различных масс и энергий широко испольэуется при решении многих актуальных задач радиационной физики твердого тела Я . Малые пробеги тяжелых ионов в материалах, изучениеповреждаемости от которых представляет наибольший научный и практический интерес, позволяет применять 15для исследований в основном просвечивающую электронную микроскопию(ПЭМ), Известные способы предусматривают различные, но всегда трудоемкие, методы прецизионного снятия 20тонких слоев. Наиболее близким техническим решением является способсоздания профилей ионной повреждаемости, закпючающийся в ионной бомбардировке плоского образца, например, 25фольги 2,Толщину фольги наращивают до2-3 мм методом электролитическогоосаждения и разрезают поперек на тонкие полоски, из которых выбиваются 30диски,Основным недостатком, существенно ограничивающим область применения описанного способа, являетсянеВОдиОжность получения прочных электролитически осажценных слоев наповерхности многих материалов. Вряде случаев слои можно получить, но; нанесение на поверхность образца слоя.другого материала, что недопустимо,поскольку практически невозможноподобрать электролит для последующего однородного утонения этого.сложного сэндвича с целью полученияобразца для ПЭМ. Получение стольтолстых слоев методом вакуумногонапыления исключается из-за оченьмалых скоростей напыления, Крометого, сам по себе описанный процесс. является сложным и трудоемким.Цель изобретения - расширение области применения и упрощение технологии,55Цель достигается тем, что в известном способе создания профилейионной повреждаемости в плоских образцах путем ионной бомбардировки ионную бомбардировку образца осуществляют через поглощающие фильтры цилиндрической формы.На чертеже приведена схема облу-. чения образца.В соответствии со схемой облучения бомбардирующие ионы 1, проходя через переменную вдоль направления их движения толщину проволочного Фильтра 2, изменяющуюся по закону В = 2 где К - радиус Фильтра, теряют энергию и достигают поверхности образца 3, например, в участке А-А с различной энергией. Величину энергии ионов на поверхнос- ти образца определяют по величине пробега в цилиндрическом фильтре чис- ленным образом из известных кривых "энергия-пробег" для материала.фильтра. В точке А энергия равна О,. в точке А-Е 0 . Таким образом, в плоскости одного образца получается 2 И (И - число проволочных Фильтров) участков площадью КЬ (К, Ь - раж диус и длина проволочного Фильтра), в которых энергия вдоль К изменяется от О до Ес. Утоняя обычным способом данный, образец со стороны, противоположной бомбардирующей поверхности, получают объект для ПЭМ исследований, в плоскости которого можно одновременно наблюдать не одну зону с переменной повреждаемостью.Использование цредлагаемого способа обеспечивает по сравнению с существующим способом следующие преимущества полное исключение технологически сложных, а во.многих случаях неосуществимых способов увеличения толщины облученных фольг; возможность одновременного изучения в одном образце энергетической зависимости радиационной повреждаемости, характера поведения легирующих элементов во всей зоне легирования не только во всех без исключения чистых металлах, но и в сложных сплавах, а также в других материалах, из которых только возможно приготовление образцов для ПЭМ; , в десятки раз сокращается время проведения эксперимента, которое определяется не только исключенными865063 Редактор Л. Письман Техред Т.Наточка Корректор О, Билак Заказ 564/4 , Тираж 679 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и .открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 процессами утолщения образца и последующей его резки, но и низким выходом пригодных для исследования электронномикроскопических образцовиз неоднородного чо структуре сложного сэндвича.
СмотретьЗаявка
2908687, 10.04.1980
ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ АН КАЗССР
РЕУТОВ В. Ф, ВАГИН С. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания
Опубликовано: 28.02.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-865063-sposob-sozdaniya-profilejj-ionnojj-povrezhdaemosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания профилей ионной повреждаемости</a>
Предыдущий патент: Способ изменения контрастности изображения
Следующий патент: Способ получения метилового эфира бензоина
Случайный патент: Черпающий аппарат драги