Циуляну

Номер патента: 1755934

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Берил, Болога, Циуляну, Цуляну

МПК: B03C 5/00

Метки: диэлектрических, жидкостей

...электроды 9 с диэлектрическими экранами 10 подают высокое напряжение и обрабатывают жидкость в электрическом поле. Э ран 10 ограничивает рассеяние потека ионов от инжектирующих электродов, что увеличивает плотность заряда в жидкости и тем самым эффективность очистки. После обработки очищенная СЛ жидкость сливается по патрубку 3, а высоко,Я концентрированная суспензияпо патрубку сО 4 ( )П р и м е р. Для определения оптималь- д ных значений отношения ширины диэлектрического экрана к межэлектродному расстоянию - б 1/б 2 проводились опыты по эффективности очистки на суспензии восков- д в подсолнечном масле, которую готовили на основе рафинированного и дезодорированного масла добавлением растворенных восков с последующей их кристаллизацией,...

Номер патента: 1171722

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Андриеш, Бивол, Тридух, Циуляну

МПК: G01R 22/02

Метки: интегратор, твердотельный

...4 и Изобретение относится к электро- измерительной технике и может быть использовано в системах контроля времени работы оборудования.Цель изобретения - ускорение 5 процесса считывания результатов измерения за счет считывания этого результата путем измерения сопротивления интегратора или визуальным путем,10На фиг. 1 схематически изображен твердотельный интегратор; на фиг.2- экспериментальная зависимость оптического пропускания вспомогательного электрода от времени при его толщине 20 нм, толщине слоя твердого электролита Аз Яе 1 мкм и приложении напряжения 10 В; на. фиг. 3 - экспериментальная зависимость электрического сопротивления интегратора 2 О от времени при толщине вспомогательного электрода 25 нм, толщине слоя твердого...

Номер патента: 625509

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Симашкевич, Циуляну, Чукова

МПК: H01L 21/20

Метки: осаждения, слоев, теллурида, цинка

...в ампулу подложки и вещества, из расплава которого производят осаждение, откачку и отпайку ампулы, нагрев ее до температуры растворения и выдержку при постоянной температуре, после 35 дующую эпитаксию в процессе понижения температуры с определенной скоростью, слив раствора с подложки и освобождение подложки со слоем от остатков растворителя 2 . Способ позволяет получать слои теллу рида цинка из раствора в расплаве металлов висмута и цинка. мещают в один конец графитовой лодочки, а подложку - в другой ее конец. Лодочку помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и отпаивают, Систему нагревают до температуры 950-1050 С. При такой температуре в течение 1 ч проводят растворение теллурида цинка, Затем лодочку наклоняют и заливают...

Номер патента: 1108385

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Андриеш, Васильев, Гриншпун, Тридух, Циуляну

МПК: G11C 11/34

Метки: записи, изображений, оптических

...проявляющего слоя 2 через прозрачную основу структуры 3 и нижнего электро. да 4, который в этом случае также является прозрачным.Засветка производится до максимального потемнения проявляющегослоя 2. Фотографическое или голографическое изображение проецируется наслой 5 халькогенидного стеклообразного полупроводника через полупрозрачный алюминиевый электрод 6, и одновременно с помощью ключа 7 к алюминиевому электроду 6 прикпадывается постоянное электрическое напряжение от источника 8 с положительной поляр ностью. При этом в местах засветления происходит электродиффузия алюминиевого электрода 6 в слой 5, в результате чего оптическая плотность структуры уменьшается, т.е. изображение оказывается зафиксированным. Затем структура отключается...

Номер патента: 551938

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Андриеш, Ганин, Коломиец, Любин, Циуляну

МПК: G03C 5/00

Метки: записи, изображений, оптических

...проецируется ца поверхность слоя ХСП через слой 4 или 2, который в этом случае делается полупрозрачным. Ддя того, чтобы записать изо-=бражение,ьа время экспозиции между слоями 2 и 4 прикладывается постояццое напряжение такой, полярности, чтобы алюминиевый электрод имел подожитедьцый потенциал. Прн этом происходит диффузияалюмищея в ХСП со скоростью, пропорциональной как интенсивности зас етки, таки велич придожеееееого цаетряжецеея, Оптические св Ойства среды ( коэффициентепоглощения и пропуска 1 еия света) имзменяются, и спроецированное оптическое изо. бражение оказывается зарегистрированным,Принцип работы устройства основывается на эффекте электрсфотолетирования ХСПнекоторыми металлами, в частности алюминием. Механизм этого...