Устройство для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов

СООЗ СОВЕТСКИХОЗЛВВКПВЕОЕКРЕСПУБЛИК З(д) С О 1 К 31/2 ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНК АВ ГОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ коУДАРОТВЕННЫИ КОМИТЕТ ССО ааы Нюмвааи н пмщ(56) 1. Авторское свидетельство СССРВ 363943, кл. С 01 К 31/26, 1968.2, Авторское свидетельство СССРВ 430338, кл. С 01 К 31/26, 1972., (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПО 1 РПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питания, соединенныйполюсом с первым выводом образца,помещенного между полюсами магнита,схему извлечения корня квадратного,выход которой соединен с регистратором подвижности основных носителейзаряда, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью расширения функциональных воэможностей, в него вве,.801053597 А дены переменный резистор, первая., вторая и третья схемы деления и регистратор концентрации основных носителей заряда, а источник питания выполнен в виде первого и второго встречно. включенных источников тока, средняя точка которых соединена со вторым выводом переменного резистора, управляющими входами первой и третьей схем деления второй вывод источника питания соединен со вторым выводом переменного резистора и общей шиной, первый вывод образца соединен с входом первой схемы деления, выход которой соединен с входом схемы извлечения корня квад- Ф ратного, выход которой соединен с . управляющим входом второй схемы деления, выход которой соединен с входом третьей схемы деления, выход торой соединен с регистратором концентрации основных носителей зарядафаЮно включенных источников тока, средняяточка которых соединена со вторымвыводом образца, первым выводом переменного резистора, управляющимивходами первой и третьей схем деления; второй вывод источника питаниясоединен со вторым ьыводом переменного резистора и общей шиной, первыйвывод образца полупроводника соединен с входом первой схемы деления,выход которой соединен с входом схемы извлечения корня квадратного,выход которой соединен с управляющим входом второй схемы деления,выход которого соединен с входомтретьей схемы деления, выход которой соединен с регистратором концентрации основных носителей заряда.На чертеже показана электрическаясхема устройства для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов.Устройство состоит из источникапитания, выполненного в виде двухвстречно включенных источников 1 и2 тока, образца 3 полупроводника,переменного резистора 4, первой схемы 5 деления, схемы 6 извлеченияквадратного корня, второй и третьейсхем 7 и 8 деления соответственно,регистраторов 9 и 10, подвижностии концентрации основных носителейзаряда соответственно и магнита 11.Устройство работает следующим образом.Источники тока 1 и 2 создают падения напряжения на образце 3 и переменном резисторе 4, противоположные по знаку. В отсутствие магнитного поля с помощью переменного резистора 4 в точке Я устанавливаетсянапряжение, равное нулю относительно общей шины. При этом падение напряжения Од на образце 3 и переменном резисторе 4 будет одинаковым повеличине. На регистратор 9 будет поступать нулевое напряжение,Подвижность р, и концентрация оосновных носителей заряда определяется следующим выражением: 35 со ти и Гье рсо)а 01 ЦН)-)1 О) ф 1 10535Изобретение относится к измерениюи контролю электрофизических параметров полупроводниковых материалови предназначено для измерения подвижности и концентрации основных5носителей заряда в этих материалах.Известно устройство для измеренияявлений переноса заряда в полупроводниках, которое позволяет измерятькомпенсационным способом на постоянном токе основные параметры полупроводниковых материалов и содержитблок автоматического измерения электропроводности, эффектов Холла иНернста-Эттингаузена и магнитосопротивления )1 1.Недостатком этого устройства яв-.ляется то, что после всех измерений,например магнитосонротивления, необходимо производить вычисления подвижности и концентрации основныхносителей заряда по соответствующимформулам, что удлиняет процесс измерения.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является устройство для измерения электрических параметров полупроводниковыхматериалов, которое содержит источник питания, в цепь которого включенобразец полупроводника, помещенныймежду полюсами магнита, схему преобразования напряжения в-соответствиис функцией корня квадратного и регистратор подвижности основных носителей заряда Г 21.Недостатком прототипа является; то, что он не позволяет наряду сподвижностью измерять концентрациюосновных носителей зарядав полупро 40водниковых материалах, что увеличивает время измерения.Целью изобретения является расширение функциональных воэможностейустройства путем одновременного из 45мерения подвижности и концентрацииносителей заряда в полупроводниковых материалах.Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения электрофизических параметров полупровод 50никовых материалов, содержащее источник питания, соединенный с первымвыводом образца, размещенного междуполюсами магнита,. схему извлечениякорня квадратного, выход которой55единен с регистратором подвижнос.основных носителей заряда, введены переменный резистор, первая,97 2вторая и третья схемы деления и регистратор концентрации основных носителей заряда, а источник питаниявыполненв виде первого и второго встреч