Патенты с меткой «запрещенной»

Номер патента: 911249

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Коротченков

МПК: G01N 21/17

Метки: запрещенной, зоны, полупроводниковых, ширины

...в вице измерителя временных интервалов.На чертеже изображена схема устройства для измерения и разбраковки пластин полупроводниковых материалов по ширине запрещенной зоны.Устройдтво содержит источник 1 ,излучения, оптическую систему 2, сканирующий монохроматор, включающий в себя дифракционную решетку 3 и механизм 4 кругового вращения, полу прозрачное зеркало 5, кристаллодержатели с исследуемым 6 и эталонным 7 кристаллами, усилители 8 и 9 и измеритель 10. временных интервалов.Источник 1 излучения и оптическая 15 система 2 устанавливаются перед дифракционной решеткой 3, связанной с ,механизмом 4 кругового вращения.Полупрозрачное зеркало 5 устанавливается перед исследуемым б и эталонным 7 кристалламиКонтакты исследуемого кристалла...

Номер патента: 938218

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Каваляускас

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, запрещенной, зоны, полупроводникового, слоя, ширины

...неточны или весьмасложны.Устройство для реализации предлагаемого способа (фиг. 4) содержит мо нохронометр 1,оптический криостат 2,фотоприемник 3, селективный усилительсинхронный детектор 5, самописец 6.Устройство работает следующим образом, зюВ оптический криостат 2 помещают исследуемый образец и охлаждают до . температуры близкой к 77 К. Узкий пучок монохроматического излучения модулируют по длине волны с частотойЗ 5 Я. при помощи кварцевой пластинки, установленной перед выходной щелью монохроматора 1, и направляют на узко- зонную сторону варизонного слоя под углом близким к нормальному (1 О ) . Отражение от слоя излучения направляют на фотоприемник 3, сигнал от которого усиливают селективным усилителем 4, настроенным на...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...

Номер патента: 1389606

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: большей, гетеропереходах, емкости, запрещенной, зоны, мдп-структурах, шириной

...при С =С н =и С=С ; ы, - значение чаетотымодуляции, выше которого величины .дч и ЛЧ не изменяют своего значеф,ния, 20П р и м е р. Способ используютдля определения емкости материала сбольшей шириной запрещенной зоныА 1 Са,Ая в гетеропереходе СаАзА 1 СаАя(Е=Е а,Аз=1,8 эВ, Е= 26=Е=1,43 эВ) с толщиной слояА 1 Са,.Аз2 мкм.ИсследуемыГ образец включают в измерительную схему последовательно семкостной нагрузкой С=С (фиг. 1) 301и освещают модулированным по интенсивности светом с энергией квантовР(М (Е)со стороны материала сбольшей шириной запрещенной зоны,При таком освещении свет поглощается только в материале с меньшей шириной запрещенной зоны.Освещение производят со стороныА 1 Са,Ая модулированным по интенсивности светом с энергией...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...