Патенты с меткой «поверхностно-барьерных»

Номер патента: 921378

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Борковская, Дмитрук, Конакова, Литовченко, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: основе, поверхностно-барьерных, соединений, структур

...не вызывающих нагрева струй- туры при исходной .концентрации примеси 10 "ф - 5106 см,э.Улучшение рекомбинационных параметров эпитаксиального слон происходит вследствие радиационно-стимулированного геттерирования глубоких рекомбинационных центров (определяющих время жизни неосновных носителей тока )дефектами эпитаксиальной структуры, соаредоточенныки у границы раздела эпитаксиальный слой - металлиэирования; поверхность и выступающими в роли активных стоков и центров аннигиляции объемных дефек" тов.( Дефекты границы раздела эпитаксиальный слой - подложка также могут выступать в качестве центров геттерирования. Их роль более существенна в случае, тонких эпитаксиальных слоев ). Центрами аннигкляции могут быть либо дислокации, либо атомы...

Номер патента: 1101088

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гусев, Лысенко, Турчаников

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, поверхностно-барьерных, структурах, уровней

...выполненный на базе дифференциального интегратора и устройства выборки и хранения, устройство дополнительно содержит цифроаналоговый преобразователь, соединенный с двухкоординатным самописцем и стробоскопическим интегратором, который дополнительно содержит блок управления, а блок регулировки температуры и источник импульсного смещения соединены со стробоскопическим интегратором. Блок управления стробоскопического инте. - гратора дополнительно содержит схему И, вычитающий и суммирующий счетчики,жение выбранного пика разностного релаксационного .сигнала на оси времени, определяют энергетическое поло. жение глубоких уровней по наклону прямой зависимости и 1Т от при построении которой необходимо знать координаты как минимум двух...