Способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах

.(19) (И) 227 А Зш 6 01 В 31(26 ОПИСАН ИЗОБРЕТЕНИЯ Е ЕЛЬСТВУ ектроннаяГоулдетей.1978, с. 224,роводниковых970, с. 324 ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(21) 3517111(24 - 21(56) 1. Практическая растровая эмикроскойия, Под редакцией Джна и Х. Я. Яковица. М., "Мир",2. Измерения параметров полупматериалов. М Металлургия", 1(54)(57) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ОБЪЕМНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБРАЗЦАХ, включающий воз.действиепа образец сфокусированного рент.геновского излучения, направлещого в толШуобразца, и контроль качества образца, .о тл и ч а ю щ.и й с я тем, что, с цельюрасширения функциональных воэможностей.преимущественно для контроля качества готовых полупроводниковых приборов, воздействие сфокусированным рентгеновским иэлучекием осуществляют перпендикулярно поверхности образца, а контроль качества образцаосуществляют по сигналу фотоответа.1132267 Составитель Н, СмеповТехред ЛЛикещ Редактор С. Тимонина Корректор О, Билак Тираж 710 ПодписноеВНИИПИ Государствелцога комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, )К 35 Раушская цаб., д. 45 Заказ 978840 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводника. вому приборостроению и может быть исполь. зовано для физикотехнического анализа, исследования дефектов в локальном объеме и контроля качества полупроводниковых структур и приборов.Известе 11 способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, в котором в качестве Внешнего Возбудителя сигнала фотоответа используется б сфокусированный электронньш луч 111.Однако этот метод характеризуется недостаточно высокой энергией электронного луча, которая не позволяет проводить исследования локальных объемных дефектов во всей толще 15 герметизировапных и заключенных в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающем. воздействие ца образец 35 сфокусированного рентгеновского излучения направленного в толщу образца, и контроль качества образца, воздействие сфокусированным рентгеновским излучением осуществляют перлепдикулнрцо поверхности образца, а контроль качества образца осуществляют по сигналу фотоответа,На чертеже схематически изображено устройство для обнаружешя локальных обьемных дефектов В полупроводниковых образцах,Направленное излучение источника 1 ограни.чивается диафрагмой 2, окончательно формируется каллимирую 1 цим устройстВОм 3 и про.пикает перпендикулярно планарной поверхностиисследуемой структуры ца всю толщину иссле.дуемого образца. 4, который посредствомпредметного столика (на чертеже не показан)может перемещаться В двух координатах дляОсуществления сканирования луча по всейповерхности образца.Работа устройстВа и реализашЮЯ способа осущсствляются следующим образом.Исследуемая многослойная структура цлиприбор в корпусе подключаются к измеритеЛьцой схеме (на чертеже не по 1 сазаца) посредством имеющих я Выводов беэ вскрытия коргуса и изготовления дополнительных токосъемников. Включают источник 1 рентгеновского излучения, фокусируют рентгеновский лучв локальную область исследуемого образца 4.Исследуя фотаатвет р - п-переходов активныхэлементов при сканировании образца тносптельцс рент Гецовскога луча, сраВциваьэт сигналфотоответа с сигналом эталонного образца иоценивают качество р-и-переходов исследуемо.го прибора в той или иной точке топологии. Использование рентгеновского излучения позволяет расширить функциональные воэможности устройства при обнаружении локальных объемных дефектов в полупроводниковых приборах без вскрытия самих приборов и изготовления дополнительных токосъемников цри анализе н исследовании .Лх качества.