Способ изготовления полупроводникового прибора

етдтеи Г; о,ОП ИС бс блкотсгь к (11) 517279 АНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ(32) 23,03,6 (33) Япония Государственный исмет Совета Иииистроа ССС по делам изооретеиийи открытий 53) УДК 621.382(088,8 3) Опубликован 5.06.76, Бюлл иь 21 3,09. 76(45) Дата опубликования описани 72) Авторы изобретения Иностранцыеру Арита, Ичизо Камеи и Томисабуро Окумура (Япония) 1) Заявитель Иностранная фирмафМацушита Электроникс Корпорейшн" ( Япония) 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА особ изготовления по дникового точноина подточных матери ю подтравлению. согласно которому наодложку наносят слоиР 0 . Для формирова 2 5 вергается боковом со Известен олупроводни ВьО иприбора,Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть применено впроцессе точного вытравливания структурныхэлементов прибора,При изготовлении полупроводниковых приборов подложку покрывают окисной пленкой,в которой формируют окна для полученияэлементов структуры, например путем диффузии фосфора, Диффузию проводят при нагревании в атмосфере кислорода, в результате чего на окисной пленке образуетсяпленка 10 Р 0 . Окисная пленка, со 2 2 5держашая Фосфор обладает большей растворимостью при вытравливании окон по сравнению с чистой окисной пленкой 31 О2При дальнейшем избирательном травлениинанесенных слоев пленка 31 0Р 0 под-о2 2 5 ния окон в нанесенных слоях, используя фотолитографию, оба слоя одновременно на чинают травить раствором Р-травителя. Для 30 травление происходит со скоростью 2 /сек, а для 310Р 0 - соЮскоростью 600 А/сек, Так как скорости травления слоев разные, после завершения травления слоя 0Р 0 слой 30 необходимо продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2 показана структура, полученная нанесением слоя 2 (фиг.1) и слоя 3,обладающего большей растворимостью.На фиг, 3 показана структура с нанесенным слоем фотоРезиста 4 в кото оммировано окно, повторяющее конфигурациюслоя 2На фиг 4ф , 4 показана структура с окном,выполненным в нанесенных слоях 2 3Пример, Кремниевую монокристаллическ ю по лу подложку р типа, имеющую сопротивление 500 ом/см, нагревают и выдерживают при температуре 1200 С в течение2,5 час в сухой атмосфере кислорода, в результате чего на подложке образуется слой30 толщиной0,3 мкм, В окиснойпленке, используя фотолитографию ф, формируютокно заданной конфигурации, Затем полученую структуру нагревают в атмосфере кислорода, содержащей фосфор, в оезультатечего на структуре формируется окисная плен .ка, содержащая фосфор ВьО " Р О, тол 2 2 5шиной 0,05 мкм, Используя фотолитографию, слой 30 Р О вытравливают2 2 5из окна, сформированного в слое 3 О2 фиспользованием Р-травителя, состоящего из15 чч, плавиковой кислоты., 10 ч. азотной О кислоты и 300 ч. воды,Ф ормула изобретенияСпособ изготовления полупроводниковогоприбора, включающий нанесение на полупроводниковую подложку, по крайней мере, двузслоев, например 30 и ДО Р О2225с различной скоростью растворения и формирование окон в нанесенных слоях, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности размеров формируемых окон,в нанесенном на подложку первом слое сменьшей скоростью растворения, например3 с О, вытравливают окно, наносят второи слой с большей растворимостью, наприРмер Я ьОР О, после чего его страв 2 5ливают, используя фотолитографию, над окнами в первом слое,