H01L 27/16 — содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты

Номер патента: 143481

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Луцкий, Сидорко

МПК: H01L 27/16

Метки: стабилизации, температурной, фотодиодов

...обычных методов стабилизации (например, применение термочувствительного сопротивления) может обеспечить неизметъ ной на выходе величину напряжения при изменении температуры, одна ко приводит к изменению чувствительности ячейки, поскольку при оди наковом изменении освещенности независимо от температуры получается примерно одинаковый прирост тока А фотодиода. (Под чувствительностью ячейки понимается отношение изменения выходного напряжения к изменению освещенности, то есть частная производная выходного напряжения по освещенности). Изменение величины сопротивления при изменении температуры приводит к тому, что выходное напряжение,получаемое за счет прироста тока М, будет зависеть от температуры.С Целью получения высокой стабильности...

Номер патента: 173341

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Соминский

МПК: H01L 27/16, H01L 35/32

Метки: емент, фототермоэл

...в виде ветви термоэлемента, на торцовой части которой создается р-и- переход с фотоэлектрическими свойствами, причем роль второй ветви термоэлемента выполняет провод, соединяющий фототермоэле. мент с нагрузкой. Это отличие повышает к,п.д. фототермоэлемента за счет ликвидации паразитного перепада температур на изоляции между фотоэлементом и термоэлементом и упрощает конструкцию устройства.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства,Из полупроводникового вещества с высокими термоэлектрическими своиствами р- илии-проводимости изготовляется ветвь термоэлемента 1. На торцовой части образца создается р-и-переход 2 с высокими фотоэлектри 5 ческими параметрами. Поверх р-и-переходананосится полупрозрачный металлическийэлектрод 3. На...

Номер патента: 524263

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Арушанов, Пругло, Радауцан

МПК: H01L 27/16

Метки: датчика, интегрального, нернста-эттингсгаузен, потока, теплового, чувствительный, элемент

...ч ду большой прсарачност мия в инфракрасном диа но покрыть чернением л к-, способов, обеспечив диэл 25, вязку между кристаллом:монокристаллов и пленок Сйа Ава, эь,тектики 1 тт 5 Ь МАЗЬ.Во всех указанных материалах при неб ших магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводност от магнитного поля И, что определяет опт ;мальную величину магнитного поля, при к торой чувствительность датчика применением монокрибкадмия в качестве чувт., а датчика интегральностаЭатингстхаузена, евт представляет с елегированного монмия, вырезанную его выходного сигфического направле асть пластины, вви- и сурьмянистого ка пазоие, целеоообраэ 1- юбым иэ известныхектрическую рвз- .и чернью при...