H01L 21/46 — обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в

Номер патента: 513413

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Ломакин, Парфенова, Приходько

МПК: H01L 21/46

Метки: полировальный, полупроводниковых, состав

...качестве абразееаа увеличивает удельный съем при обработке твердых материалов, однако такие составы более " жест. кне", не обеспечивают получения поверхности высокого класса чистоты. Кроме того, суспензнн иа основе такого абразивного материала нестабильны зо эременн (осаждение происходит в течение несколь.: кнх минут),2Цель изобретения - увеличение производительности процесса полирования, снижение теплового аффекта н обработка материалов с твердостью более 7.Поставленная цель. достигается тем, что в полировальную смесь на основе двуокиси кремнии, этилен Введение в состав полировальнои смеси двуокисиО алюминия увеличивает съем с поверхности и расим.ряет диапазон применения состава для обработки пслупроводциковых материалов. Воздействие...

Номер патента: 520647

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Староверов

МПК: H01L 21/46

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...установленной впереди фиксирующей и перекрывающей ее скошенную часть.520647 у л иг. 1 Составитель Н, Семенов Орлэвская Техред М. 1 икэвич Корректор Сижа едактор Подписноета Совета Министрний и открытийшская наб д. 4/5 каз 3144/209 ЦНИИПИ ГэсТираж 97 7 арственногэ комит пэ делам изэбрете эсква, Л(-35, Рау СССР 13035 П "Патент", г, Уя, ул. Проектная, 4 На фиг. 1 показано предложенное устройство, вид сбоку, разрез; на фиг. 2 - вид сверху.Устройство состоит из механизма перемещения полупроводниковых приборов, выполненного в виде ротора 1, фрикционной планки 2, закрепленной неподвижно на стойке 3 и служащей для поворота прибора вокруг оси, и двух планок 4, 5, имеющих скосы для их отвода выводами несориентированного прибора при перемещении...

Номер патента: 843029

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Бобряков, Кавецкий, Коваленко, Матяш

МПК: H01L 21/46

Метки: пластин, поверхностиполупроводниковых

...достигается тем, что устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин, содержащее расположенные на основании ротор с валом, связанным с приводным механизмом, планшайбу с держателями пластин, диск с канавками, выполненЯУ 843030 КытЬег ой радея : 4 Ргеч.оыя босцгпеп 1 : БУ 843029 Ва 1 сЬ : И 0112308 Юане: 03/05/2001 Кех 1 босцпен : 50 843031ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 241279 (21) 2851902/18-25 3)М. Ка.Н 01 Ь 31 6 01 К 7/ с присоединением заявки Йо Государственный комит СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 300681,И. Сукацкас, С.И. Гечяускас, А,А. Алексеюнас, С.А. Балейшис и В.М. Бондаренко Ордена Трудового Красного...

Номер патента: 631014

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Бакуменко, Чишко

МПК: H01L 21/46

Метки: гетеропереходов, р-п-n

...свойствами материалов по обе стороны от перехода, необходимо, чтобы ширина границы раздела между двумя материалами была порядка постоянной решеткио( 10 А), и соединяемые поверхности имели свойства, близкие к объемным свойствам материалов. Последнее требование сравнительно легко удовлетворяется обработкой поверхностей непосредствеш:о перед приготовлением переходов с помощью химических полирующих травителей, либо приготовлением поверхностей для перехода путем скалывания по плоскостям спайности. Первое из указанных выше трсбований сводится к тому, чтобы неровности поверхностей не сильно превышали межатомные расстояния в материалах. Зто пс может быть достигнуто механической и химической обработкой поверхности. Указанным требованиям...

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...