Томисабуро

Номер патента: 517279

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Ичизо, Сигеру, Томисабуро

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводникового, прибора

...продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2...

Номер патента: 292328

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Акира, Томисабуро, Тосио

МПК: H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...затвору, Аналогично создается р в а- переход в обратном направлении в канальном транзисторе р-типа с изолированными затворами,Область, образующая р - г-переход с полупроводниковой подложкой, располагается в непосредственной близости от истока. Следовательно, когда разность потенциалов между истоком и управляющим затвором становится достаточно большой, непрерывно образуются области высокой электропроводности в той части подложки, которая размещена между р - и-переходом и истоком, в результате так называемого прокола базы, вызывающего большой по величине ток через область перехода, Это означает, что транзистор с пробоем базы включен между управляющим затвором и истоком полевого транзистора с изолированными затворами.В канальном...