Радауцан

Номер патента: 1013759

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Балашов, Горемыкин, Радауцан, Тон

МПК: G01C 15/14

Метки: вертикали

...Поворотом статора тахогенератора можно устанавливать нулевую фазу.Изобретение позволяет производить с высокой точностью одновременное определение направления и величины угла наклона к вертикали и при этом обеспечивает широкий диапазон измерения углов и независимость результатов измерения от температуры. Ти аж 600 По писноежгород,ул,Проектная,4 Изобретение относится к измерительной технике,а более конкретно к способам определения направления и величины угла наклона объекта относительновертикали,Известен способ определения направ ления и величины угла наклона к вертикали путем нагрева током удлиненного тела, например проволоки, ирегистрации сигнала, связанного сизменением электрического сопротивления тела при свободной...

Номер патента: 985711

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Балашов, Горемыкин, Доника, Радауцан, Тон

МПК: G01C 15/14

Метки: вертикали

...то при движении тела вверх (по направлению конвекцни коэффици985711 О йВдй совм 1,формула изобретения ект теплоотдачи уменьшается, а придвижении тела вниз (против направления конвенции) - увеличивается. Еслитеплоинерционность тела достаточномала, это выэывает заметное периодическое изменение средней температурытела и, соответственно, его электри-.ческого сопровтиления.При этом пери-,;од изменения где ю - частота колебаний;й - общее сопротивление тела;дй - изменяющаяся часть сопротивления.35Если через тело пропускать переменный ток 3 1 сози, то электрическое напряжение на теле выражается следующим образом200=1 1 созе(,1 ьйсовОП, =оосомд 1 фьй со 51 Ы-1 оь К,Таким Образом, напряжение склады" 25 вается из переменных составляющих с...

Номер патента: 985710

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Балашов, Горемыкин, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01C 15/14

Метки: вертикали

...Если теплоинерционность тела достаточно мала, тоэто вызывает заметное периодическоеизменение средней температуры телаи, соответственно, его электрического 25сопротивления. При этом период изменения равен периоду колебаний (перваягармоника частоты колебаний),Формула изобретения При колебании нагретого тела относительно оси, совпадающей с направлением гравитационной вертикали, также происходит периодическое изменение коэффициента теплоотдачи. Это изменение симметрично относительно оси колебаний, так как она совпадает с З 5 ;Направлением конвекционного потока.При этом период изменения коэффициента теплоотдачи и, соответственно, средней температуры и электрического сопротивления тела равен половине 40 периода колебаний (вторая...

Номер патента: 842651

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Балашов, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...две полупроводниковые параллель но расположенные полоски, соединенные между собой проводящей перемычкой. Полупроводниковые полоски выполнены из магниторезистивного материала и вместе с проводящей перемычкой эакреплены 25 на керамической подложке. Выходнойсигнал является дифференциальным от двух сигналов, пропорциональных значениям сопротивлений полупроводниковых полосок, зависящих от величины магнит ом данного устройства являая точность измерения.-35, Раушская наб. 3 ТиражИ Государстлам иэобреМосква,илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектна Датчик работает следующим образом,По полупроводниковым полоскам 1, перемычке 2 и проводящим упругим элементам 3 пропускается постоянный ток в случае переменного и переменный в случае постоянного...

Номер патента: 834629

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Балашов, Горемыкин, Доника, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: индукции, магнит-ного, поля

...поддержания тока и сопротивления нити. Сопротивление нити меняется со временем вследствие испарения материала нити и ее утончения, а также зависит от температуры окружающей среды, в результате чего снижается точность измерения. Цель изобретения - повышение точности измерения индукции магнитного поля.Цель достигается тем, что в способе, включающем воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей судят об индукции магнитного поля.834629 Формула изобретения...

Номер патента: 788185

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Миргородский, Радауцан, Самусь

МПК: H01B 13/06

Метки: литого, микропровода

...расплава покрывают слоем окислов металла из бункера 3, для чего открывают заслонку 4 при помощи магнита 8. Окислы при 45 тепловом контакте с микрованной спекаются, образуя вязкий стеклообразный слой 9 окислов.Далее из размягченного конца стеклянной трубки вытягивают капилляр, 50 который заполняется расплавом перитектического соединения из микрованны, образуя после кристаллизации жилу литого микропровода 10, Мощность в индукторе поддерживают в процессе из готовления микропровода такой, чтобы пондеромоторная сила, действующая на расплавв микрованне, была в 1,5- 2,5 раза больше веса этого расплава.частотного генератора), описывается формулойР А РоР 2 угде ,Оо - магнитная проницаемость вакуума;- удельное сопротивление материала навески...

Номер патента: 706800

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Балашов, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: индукции, магнитного, поля

...с включенными в него последовательно терморезистором 2, упругий элемент 3 и неподвижные опоры4, 5,При пропускании.через проводящийвиток 1 с терморезистором 2 постоян"ного электрического тока 3 на негосо стороны измеряемого переменногомагнитного поля, в которое он помещен, действует вынуждающая сила (си ла Ампера)Г=ВИсоэщ, То же явление будет наблюдаться и при пропускании по проводящему витку 1 с терморезистором 2 переменного тока 3=3 созеи помещении его в постоянное магнит ное поле с индукцией В.Под действием вынуждающей силыпроводящий виток 1 с термореэистором 2 совершают гармонические колебания, Это приводит к охлаждениютермореэистора 2 в окружающем воздухе .Амплитуда колебаний А линейно связана с индукцией магнитного поляВ, так как...

Номер патента: 524263

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Арушанов, Пругло, Радауцан

МПК: H01L 27/16

Метки: датчика, интегрального, нернста-эттингсгаузен, потока, теплового, чувствительный, элемент

...ч ду большой прсарачност мия в инфракрасном диа но покрыть чернением л к-, способов, обеспечив диэл 25, вязку между кристаллом:монокристаллов и пленок Сйа Ава, эь,тектики 1 тт 5 Ь МАЗЬ.Во всех указанных материалах при неб ших магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводност от магнитного поля И, что определяет опт ;мальную величину магнитного поля, при к торой чувствительность датчика применением монокрибкадмия в качестве чувт., а датчика интегральностаЭатингстхаузена, евт представляет с елегированного монмия, вырезанную его выходного сигфического направле асть пластины, вви- и сурьмянистого ка пазоие, целеоообраэ 1- юбым иэ известныхектрическую рвз- .и чернью при...

Номер патента: 458041

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Житарь, Радауцан

МПК: H01C 7/08

Метки: излучения, ультрафиолетового, фоторезистор

...целью п тельности в области в качестве указанно ированный тиогалла трические контакты ежду ними 0,5 - 800 Фоторезистор ния, содержащи мент на основе сенные на него личающийся высокой чувстви 0,255 - 0,46 мкм, нения взят нелег Сдбаг 34, а элек с расстоянием м Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам лучистойэнергии, предназначенным для работы в оптоэлектронных измерительных цепях, схемах автоматической регистрации и контроля излучения, в частности к фоторезисторам,Известные фоторезисторы, содержащиесветочувствительный элемент на основе соединений кадмия и нанесенные на него электрические контакты, охватывают узкую область спектра. 11 оэтому в интервале длин волн0,3 - 0,4 мкм необходимо использовать несколько...

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...