Ичизо

Номер патента: 517279

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Ичизо, Сигеру, Томисабуро

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводникового, прибора

...продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2...