Способ сборки полупроводниковых приборов

7 йсессюзнАЯ т Фоублкотена ДБДО П И С А Н И Е 11) 4033 йИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскии Социалистицеских Республик(22) Заявлено 0 д.1;,7 г. (: 1с присоединением заявки М осударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изооретенийн открытий 3) П(43) Опубликовано 05,06,76 Бюллет (45) Дата опубликовання описания 2) Авторы изобретени В. П,в, И. Д Голоте, Н. Ф,1) Заявите(54) СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДН:,.; Изобретение относи тся к области злектро к производству полу - ов, и может бь 1 ть при ементов, деталей и вых приборов путем в вакууме. и, в частност х бор о ковых прпри сборлупровоиной св нен узло дифф к и ы, трудоемкостью и нетехнол роцесса сборки, необходимостоличества разнообразного обо чностью ю большог дования, Известен способ сборки полупроводникового прибора различными видами пайки при помощи припоев (например ПОС - 61, С - 000.10 ПСрКд, золото-кремний и др ) нагреваемым инструментом, ультразвуком и проч.Однако эти способы сборки (сваркиипайки) полупроводниковых приборов отличаются наличием дорогостоящих припоев и флюсов, зашитных газов, промежуточных термокомпенсаторов (молибден, ковар, вольфрам и др.) из-за различных физических свойств соединяемых материалов, наличием несмачиваемости в отдельных местах, вызьтваюшим локальные пробои полупроводникового перехода, затеканием припоя на элементы схевьх приборов п-те.,; д-,:.,;х",у;.опн й, сварки в вакууме, по ко.ороу сб"рку ведут при температуре, ле превь,шаюп,ей, по крайней ме - ре, 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, и сжимаюшем удельном усилии, не превышаю - шем величину предела упругости полупроводникового кристалла.Детали и злементы полупроводникового прибора, контактирующие поверхности которь 1 х имеют шлифовальные или полированные обезжиренные поверхности, помешают в вакуумную камеру (например, с остаточным вакуумом 110 3-110 7 мм рт, ст.), нагревают до температурь., не превышаюшей 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, прижимают их друг к другу с удельным усилием, не превышгкицим величину предела упругости голупроводникового кристалла, выдерживают при температуре сварки в те -403362 Составитель М Яенешкинатехред Е Петрова Корректор Е РЕ. Рожкова Редактор И Ш б Изд, М Я Заказ 6310 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чение времени, необходимого для получениявакуумно-плотных соединений, после чегоохлаждают и извлекают из камеры. Сжимающее усилие к соединяемым материалам может передаваться механически, пневматически или гидравлически. Для более равномерного распределения давления по всей площадикристалла усилие передают через слой порошка окиси алюминия.На чертеже показано устройство, реализуюшее предлагаемый способ,Оно содержит вакуумную камеру 1, индуктор 2, кристалл полупроводниковогоприбора 3, молибденовый диск 4, меднуюножку транзистора 5, скобу 6, подставку 7,15сильфон 8 и шток 9 пневмоцилиндра,Сборку мощного транзистора предлагаемым способом осуществляют следующим образом. Одновременно сваривают медь, молибден, полупроводниковый материал (на пример кремний), медь, Контролируют качество соединений свариваемых материалов(деталей, элементов) и апектропараметрыполупроводниковых приборов. Испытания показывают надежность диффузионной сварки,обеспечение стабильности и улучшение параметров приборов. формула изобретения Способ сборки полупроводниковых приборов путем диффузионной сварки в вакууме, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью стабилизации параметров приборов, сборку ведут при температуре, не превышающей, по крайней мере, 0,4 температуры плавления легкоплавкого материала соединяемых деталей, и сжимающем удельном усилии, не превышающем величину предела упругости полупроводникового кристалла. Тираж 963 Подписное