H01L 23/14 — отличающиеся материалом или его электрическими параметрами

Номер патента: 122240

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Тульчинский, Юрасов

МПК: H01L 23/14

Метки: давления, датчик, концентрации, паров, полупроводниковый

...хлорного олова, который содержит 8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес, ч. восстановителя (формалина). Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава;8 вес. ч. Ад 2 СОз+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.Приготовленный таким...

Номер патента: 357626

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дунаев, Сидоров

МПК: H01L 23/02, H01L 23/14

Метки: крепления, полупроводпикового, прибора

...Причиной этого являет ся различие в коэффициентах объемного расширения материалов, используемых для крепления. При нагреве полупроводникового прибора под ним образуется излишек вязкого вещества, который выбивается из контактной 20 зоны и не возвращается обратно при восстановлении первоначальной температуры, в результате чего возникают полости, заполненные воздухом. Дальнейшее понижение рабочей температуры влечет за собой увеличение этих 25 воздушных полостей.Цель изобретения - расширение рабочего диапазона температур.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электроизолирующую перфориро ванную прокладку выполняют из упругого материала, например резины.При заполнении ячеек прокладки вязким теплопроводящим веществом...

Номер патента: 1734137

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Горохов, Русакович, Якунин

МПК: H01L 23/14

Метки: основание, полупроводникового, прибора

...2 в форме катушки, кото рый имеет одно основание 3 для размещения полупроводникового кристалла, и другое основание 4, которое размещено в кольцевой проточке 5. Кольцевая проточка 5 выполнена в отверстии фланца 30 1.При работе прибора выделяющееся тепло с использованием "катушки" отводится через большую площадь соприкосновения с фланцем, так как увеличен диаметр 35 рабочей части кристаллодержателя.Основание полупроводникового прибора выполнено из стального фланца 1 с ТКР 11,8 10 1/ОС (например, КПО 8), толщина которого Ьг =1,5 - 2 мм, а кристаллодержатель 40 2 изготовлен из меди с ТКР 19,7 10 1/ОС. Глубина кольцевой проточки Ь 1 = 0,25 - 0,3 мм. При этом получаем соотношение размеров 61/12 = 0,125 - 0,15, Диаметр кольцевой...

Номер патента: 1820962

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Бернат, Богомяков, Горохов, Дученко, Якунин

МПК: H01L 23/14, H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый

...где а - высота, Ь -аширина изгиба, увеличивается расстояние между основанием и коллекторным выводом. Это позволяет повысить надежность модуля. 2 ил. канчивается не доходя до торцевой поверхности корпуса 6, что определено его геометрическими размерами; а - высотой изгиба, относительно нижней плоскости монтажной площадки 2 и Ь - шириной изгиба,В конкретном случае размеры изгиба лежат в пределах: а = 1 - 1,2 мм, Ь = 1,5 - 1,6а мм,.что соответствует отношению - = 0,62 - -0,8 и не выходит за его пределы. Увеличение размеров изгиба приводит к тому, что неоправданно возрастает расход материала, Изгиб выходит за пределы стандэртного корпуса, а это ведет к увеличению размера корпуса, и, следовательно, теряется возможность...