Устройство для измерения теплового

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....

Номер патента: 337793

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лтеет, Минц

МПК: G06G 7/62

Метки: включении, диода, модель, обратном, полупроводникового, тепловая

...диоду в обратномвключении можно применить исходную систему уравнений, предложенных для терморезисторов, учитывая также уравнение для тока 5 Ун. Кроме того, целесообразно рассматриватьв качестве выходной величины не изменение сопротивления Яа изменение общего тока тд, так как в этом случае на изменение величины измерительного тока, влияет не только 20 изменение сопротивления но и тока 1,.Рассмотрим исходные уравнения"о - о з1+о3 То - 0 о Целесообразней в данном случае в качестве выходной величины использовать величинуПриведенную систему уравнений отражает приведенная на чертеже телловая модель полупроводникового диода в обратном включении. где Р, - мощность, потребляемая диодом,Р, - мощность, рассеиваемая в окружающую среду,Ры -...

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 575585

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Блюменау, Херманис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...и в цифровой код в реверсивном счеччике).Интегрирование импульсов обратного тока исследуемого диода осуществляется засчет динамических свойств цепи негатронас:подключенными к нему пассивными элементами, При этом производится разделениеимпульсов не по амплитуде, как в обычных 30детекторах, а по фазе, т.е. во временной области. На чертеже представлена схема предложенного измерителя заряда переключения,Выходы генератора прямого рока 1 и генератора 2 переключающих импульсов обратного напряжения подключены к аноду исследуемого диода 3 и к управляющему входу негатрона 4, а также через элемент задержр кй 5 - к счетному входу реверсивного четчика 6. Катод диода 3 через параллельную ЯС -цепь из емкости 7 и резистора 8 подключен к первой...

Номер патента: 1064244

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Колмогоров, Телемтаев, Тер-Погосов, Терехин

МПК: G01R 31/28

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых

...цепи, к первому выходу которой подключены вход усилителявысокой частоты и опорный вход фазометра, соединенных выходами черезвычислительный блок с входом индикатора.10 На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.Устройство содержит высокочастотный генератор 1, аттенюатор 2, развязывающую цепь, выполненную в виде15 1 высокочастотного трансформатора 3,опорный резистор 4 шины для подключения исследуемого (испытуемого) ди;ода 5, усилитель б обратной связи,усилитель 7 высокой частоты, фазо 20 метр 8, вычислительный блок 9, индикатар 10 и источник 11 смещения.Выход высокочастотного генератора1 через аттенюатор 2 соединен с входом развязывающей цепи, в качестве25 которого использована первичная обмотка трансформатора...