Способ образования микрополости в твердом теле

Номер патента: 383118

Авторы: Гилев, Мурин

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ 383 И 8ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сенте Советских Социалистических РесоубликКомитет ло дела изобретений и открытий ори Совете Линистрав СССР621.382.002 (088.8) оллетень23 Дата опубликования описания 6.1 Х.19 Авторыизобретени Ю. П. Дягилев и В. И. Мурин вител СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ МИКРОПОЛОСТИ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ ость испарения которого скорости испарения мате- , нагревают эту систему в ации в местах, непокрытых иала, скорьно меньшердого телдчя скоблимой маской. из матер значител риала тв вакууме контактн 1 Гм 228 1 ТИзобретение относится к вакуумной микроэлектронике и полупроводниковой технике.Любой электронный прибор, будь это наипростейший по функции диод или сложная интегральная схема, имеет пространство, в кото ром происходит взаимодействие электронного потока с электромагнитными волнами. Это пространство несет в себе необходимые функции: ограничение вакуумной области от окружающей среды, размещение металлических 10 электродов и изолирующих их диэлектрических конструкций. Технологические методы получения этих пространственных полостей развиваются в связи с уменьшением габаритов электронных приборов.15Современная вакуумная микроэлектроника основана на субмикронных межэлектродных расстояниях и вакуумных полостях в пересчете на один электронный прибор не более согни кубических микрон при высоте полости в 20 единицы микрон.Известны способы образования микрополости в твердом теле путем селективного удаления основного материала в местах, незащищенных контактной маской. 25Предлагаемый способ позволяет упростить технологию, повысить производительность процесса, повысить точность геометрических размеров и повысить чистоту поверхности микро- полости. Для этого контактную маску наносят 30 На подложку 1 (см. чертеж) наносят то- кую пленку материала маски 2. Методом фотолитографии или любым другим способом, имеющим необходимое разрешение, вырезают окна 3 в материале маски. Подложку с маской нагревают в вакууме до температуры, при которой имеет место сублимация материала подложки, и выдерживают при этой температуре для испарения необходимой толщины материала подложки. После удаления материала маски химическим травлением образуется полость 4.Принципиальным ограничением может быть сублимация материала маски. Проверим это на примере, когда материалом подложки служит лейкосапфир (А 10 в), а материалом маски - молибден.Линейные скорости испарения молибдена известны, для окиси алюминия их можно рассчитать, зная экспериментальное давление пара по формулеаказ 2394/15 Изд.603 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова,где 1 - линейная скорость испарения, л 1/сек;М - молекулярная масса;Т - температура, К;у - плотность, кг/мз;Р - давление пара, и/мв. Расчетные данные сведены в таблицу. Скорость испарения А 1,03 выше скоростииспарения Мо на несколько порядков. При одновременной обработке 100 пластин производительность этой операции может составить 5 порядка 1000 штук в час. Предмет изобретенияСпособ образования микрополости в твердом теле путем селективного удаления основ ного материала в местах, незащищенных контактной маской, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, повышения производительности процесса, повышения точности геометрических размеров, повышения чи стоты поверхности микрополости, контактну 1 омаску наносят из материала, скорость испарения которой значительно меньше скорости испарения материала твердого тела, нагревают эту систему в вакууме для сублимации в ме стах, непокрытых контактной маской,

Смотреть

Заявка

1622535

Ю. П. гилев, В. И. Мурин

МПК / Метки

МПК: H01L 21/48

Метки: микрополости, образования, твердом, теле

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-383118-sposob-obrazovaniya-mikropolosti-v-tverdom-tele.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования микрополости в твердом теле</a>

Похожие патенты