H01L 49/00 — Приборы на твердом теле, не предусмотренные в группах

Номер патента: 171924

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Могилевский, Усманов

МПК: H01L 49/00

Метки: выпрямитель, высокотемпературный, полупроводниковый

...электроды - с одной стороны серебряный, а с другой - платиновый, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала рабочих температур выпрямителя, стержень прибора выполнен из твердого ионного полупроводника типа йодистого серебра,10 одаисная группа97 Известны полупроводниковые приборы, выполненные на основе электронных или дырочных полупроводников, ь качестве электродного материала в которых используют, например, платину, Рабочая температура известных полупроводниковых выпрямителей ограничивается рядом факторов и недостаточнавысока.Предложенный высокотемпературный полупроводниковый выпрямитель отличается от известных тем, что в качестве материала, на основе которого выполнен прибор, использован твердый ионный проводник типа йодистого...

Номер патента: 360703

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильф, Лысенко

МПК: H01L 49/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...на фпг. 2 - 5,представлены четыре варианта консгрукции предлагаемото генератора,На монокристалл кремнпя 1 марки КЭ,75 несены два омических контакта: награнь - контакт диаметром 20 мк 2, на7 т Риг, 1 Составитель А. Котедактор Г. ВигдороваТекред 3, ТараненкоКорректор В. Жолудева аказ б 80/2280Тираж 406ЦНИИПИ КизобретенийСовете ММосква, Ж,Изд.1805Подписноемитета по делами открытий принистров СССРаушская иаб., д. 4/5 33другую - ,контакт диаметром 1 л.ц 3. Контакты 1 аносятся методом напыления и последующето вжигани я. Материалом малого контакта служит Оплав золота с сурьмой( содержание сурьмы 0,1%), материалом большого контакта служит никель, Далее,прибор собираепся в корпусе, Первый и второй варнанты,предусматривают создание прибора на...

Номер патента: 509918

Опубликовано: 05.04.1976

Автор: Шпади

МПК: H01L 49/00

Метки: нейристор

...возбуждения форлшрует вокруг,себя дополнительное магнитное поле, которое слева от зоны возбуждения склвлнвв 5 ется с полем тока реверса, в спрвив - вы с;дрс 1 рчитается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке "качкообраэно изменяетсятолько справа от эоны возбуждения.Како известно, такое изменение индукции , магнитного поля сопровождается возникноекцб вением электрического поля, которое в соответствии с законом электромагнитной индукции стремится вызвать электрический ток, направленный навстречу исходному.Но после исчезновения токопроводяшего 1 О канала в этой же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное зна чение электромагнитной индукции и наводится электрическое поле противоположного направления. 15 1Если...

Номер патента: 811371

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гуляев, Кмита, Медведь, Федорец

МПК: H01L 49/00

Метки: cbeta, акустоэлектронный, сканирующийисточник

...мощности, потребляемойустройством, идет на нагрев, а лишь незначителш 1 ая часть идет на образование аку 5 стического домена.Целью изобретения является повышениеэкономичности акустоэлсктронного сканпру 1 ощего источника света,Указанная цель достигается тем, что10 пьезоэлектрическая подложка структурывыпол:1 сна из пьезодиэлектрика и снаожена прсобразователем и поглотителем поверхностных ультразвуковых волн.На фиг. 1 - устройство, впд спереди; на15 фпг, 2 - то же, впд сверху.Акустоэлектронный сканирующий источник света имеет пьезодпэлектрическую подложку 1, слой полупроводника 2, обладающего пзлучательнымп переходами, преооразователп поверхностных ультразвуковыхволн 3, поглотитель поверхностных ультраз ковых вол 1 4 электроды...