Полупроводниковый прибор

Номер патента: 360800

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Шиничи, Юкио

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯИ ЛАТЕЯТУ 360800 Сосе Ссеетсккк Социалистических Республик. Кл, Н 011 3/1Н ОЗЬ 7/О Приоритет 20.Х 11.Опубликовано 28,5,79059/65, Япон Комитет по делам зобретеннй и открытий лри Совете Министров СССР1.1972. Бюллетень21,382,2 (088.8) Дата опубликования описания 18.1.197 Авторызобретения Иностранцы ки Мизуно, Шиничи Накашима и(Япония) Иностранная фирма Мацушита Электроникс Корпорекио Миа явитель ЛУПРОВОДНИ КОВЫЙ БО разования запору металлом и покий слой 3, абрас полупроводниического слоя 2 из известных ме является промерой металл - заик и тепловым раиз меди. Последого теплоотвода и пробоя прибора. редмет иза те водниковыи при выпрямляющий ичающийся тем рации колебаничестве полупрово концентрацией- 1 К 10 те 1/сматолунр мсталл - водник, от чения ген стот, в ка германий не 1 К 10" структурои - полупроцелью полу- высоких чаиспользован в диапазоор соонтактчто, ссверхдинкаримеси жит полупроводник тве базы, металлич Зависимый от патентаИзобретение относится к полупроводниковым приборам.Известны полупроводструктурой металл -такт - полупроводник, Оне может использоватьстора колебаний сверхвыДля возбуждения колсверхвысоких частот врой металл - выпрямлялупроводник предлагаетиспользовать германиевуцентрацией примеси,в дК 10 те 1/смв.Эта концентрация примобеспечивает такую толщобразованного на перехои полупроводником, кототепловой пробой прибора.На чертеже показан предлагаемый прибор 2 в разрезе.Прибор содер о юпд ложку 1 в качес е ников ые прибор о выпрямляющий нднако ни один и х 5 я в качестве ге расоких частот.ебаний в диапазоне приборах со структующий контакт - по ся в качестве базы ю подложку с кониапазоне 1 Х 10 те - 1 Х есей в области базы 15 ину запорного слоя, де между металлом рая предотвращает 2, предусмотренный для аб ного слоя на переходе межд лупроводником, металличес зующий омический контакт ком, и тепловой радиатор 4.Для образования металл может быть применен любаи тодов. Металлический слой жуточным между структу парный слой - полупроводн диатором, изготавливаемым ний служит для эффективн предотвращения тепловогоСоставитель М, МеркуловаРедактор И. Грузова Техред А. Евдонов Корректор О. ТюринЗаказ 4330/14 Изд.1810 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, и р. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1118225

Иностранцы Хироюки Мизуно, Шиничи Накашима, Юкио Миай, Иностранна фирма Мацушита Электронике Корпорейшн

МПК / Метки

МПК: H01L 29/36

Метки: полупроводниковый, прибор

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-360800-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>

Похожие патенты