Беспутина

Номер патента: 481871

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Беспутина, Шевченко

МПК: G03B 27/32

Метки: оптической, проекционной, фотолитографии

...перекрываются сплошным полем друго Способ оптической проекционной фотографии путем проекционной печати избражения фотошаблона с экранируюшимпокрытием из хрома на пластину, о тч а ю ш и й с я тем, что, с целью унения влияния случайных дефектов экрарующего покрытия фотошаблона, проецют на пласгину два одинаковых, точномешенных но рисунку и жестко закреплных между собой фотошаблона,толио де 10 л и- стра- ни- иру- сов 61) Дополнительное к авт,Изобретение относится к фотолитографииприменяемой в производстве полупроводниковых приборов,Известны способы оптической проекционной фотолитографии путем проекцированияизображения одного фотошаблона на пластину, покрытую фоторезистом.Для установления влияния случайныхфектов экранирующего...

Номер патента: 447668

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Беспутина, Виноградов, Грамматин, Шевченко

МПК: G03F 7/00

Метки: оптического, фотографирования

...которой объектив работает при совмекении.В предлагаемом уогройстве совпадениеэтих плоскостей изображения при строгом Впостоянстве увеличения 1-х достигается, пу-,тем одновременного введения в пространство между шаблоном и первым объективоми в пространствомежду вторым объективоми экспонируемой пластиной двух одинаковьщ . 20плоскопараллельных компенсационный пластин,)причем пластины 13 и 14, используемыепрн совмещении, имеют толщину, отличнуюот толщины пластин 15 и 16,используемыхЛпри экспонировании Кроме того, исполь- ф 5зовение компенсационных пластин позволяет применять широкополосные светофильтрывместо инТерференционных (синего и зеленого), что сижает аффект интерференции, ва качество изображения, наблюдаемого вмйкроск Оп,Дер;.;атель 5...

Номер патента: 385354

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Беспутина

МПК: H01L 21/027

Метки: фотолитографии

...защищается вторым пассивирующим слоем (напрнмер, двуокисью кремния). Печать ызоб ражений на фоторезист, последовательно нанесенный на всю пластину, осуществляется с помощью шаблона, размеры рисунка которого превышает ширину линий активных элементов, Окна в фоторезисте, образованные при 25 проявлении, открывают зону, расположеннуюна границе двух пассивирующих слоев и равную ширине элемента прибора. В результате травления этой зоны (закрытой, например, нитридом кремния) в избирательном травителе (например, фосфорной кислоте) получают окна385354 ры с высокой разрешающей способностью, ни сложные механизмы совмещения, так как элемент практически образуется ограничивающей зону нитрида кремния пленкой двуокиси кремния,Способ фотолитографии,...