Г

0 П И С А Н И Е 390600ИЗОВЕЕТ ЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-Заявлено 18.111,1971 ( 1636583/23-26)с присоединением заявки-Приоритет 1/ 7/381 17/0 асударственный комитетСовета Министрав СССРпа делам изобретенийи открытий 621,315,592 (088,8) Опубликовано. И, Алферов, В, М, Андреев, Ю. В, Жили В, И, Корольковрдеиа Ленина физико-технический институ ев, Р. Ф, Казарино имени А, Ф. Иофф Заявитель СТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙГЕТЕРО СТРУКТУР На чертеже изображен общий вид устройства.Источники, составляющие структуру, ААз - 1 и баАз - 2, в виде пластин закреплены в держателе 8, на котором установлен механизм вращения 4. Подложка 5 укреплена в держателе 6 и отделена от источников слоем растворителя 7. В качестве подложки может служить монокристаллическая пластина любого материала, а в качестве растворителя используют легкоплавкие металлы, например галлий, олово, свинец, висмут, Источники и подложка закреплены в держателях стопорами 8 и 9 соответственно, чтобы избежать их вращения в держателе. С целью уменьшения дефектов в структуре источники и подложку выполняют в виде дисков одинакового диаметра. в том, и подс расВ процессе кристаллиз 20 шают со скоростью 0,01 -обеспечивается поочередн ки с двумя источниками -кристаллизация соответст Путем изменения зако 25 точников можно управл состава в кристаллизуемо чать структуру с заданн ния состава. При перем постоянной скоростью 30 ность состава в многослоточни шаетс много ка, пом измен в ниханавлиИзобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов на основе гетероструктур и может быть использовано в электронной технике.Известно устройство для получения многослойных гетероструктур баАз - баА методом кристаллизации из раствора-расплава. Это устройство имеет источники, составляющие гетероструктуру - баАз и баА 1, помещенные в две секции тигля, закрепленного держателем, на котором установлен механизм вращения. Для получения многослойной гетероструктуры,источники расплавляют и подложку, вращением от механизма вращения попеременно приводят в контакт с расплавом каждого состава,Недостаток этого устроиства состоитчто в течение процесса при перемещениложки имеет место частичный переноплава из одной секции тигля в другуюВ результате составы расплавов в:иках постепенно выравниваются и нарупериодичность состава,в получаемойслойной структуре.С целью устранения этого недостатлучения структур с заданным закононения состава и уменьшения дефектопредложено механизм вращения уствать на держателе подложки. аци,и источники вра об/сек. При этомый контакт подлож- ААз и баАз и идет вующего слоя.на перемещения исять распределением й структуре и полуым законом изменеещении источника с получают периодичйной структуре.Для того, чтобы диффузионное перемешивание алюминия и галлия не приводило к полному выравниванию их концентраций в частях расплава, находящихся под источниками различного состава, длина пробега (1) атомов алюминия и галлия в направлениипараллельном поверхности подложки, за время (т) переноса вещества от источника к подложке должна быть меньше радиуса ф) подложки. Учитывая, что1= УОЙ с = Ъ д 1 пп Р ЬТ дТ где 0 - коэффициент диффузии атомов алюминия (галлия) (смсек - );и - концентрация атомов мышьяка в расплаве (см-);Й - толщина расплава (см);ЬЬТ -градиент температуры в расй плаве (град/см), условие 1(Л можно записать в виде, г й ( Я 1 Г - (т, - т,). дТ Из диаграммы состояния галлий-мышьяк 1 п л можно найти, что = 10 -град - , Для АТподложек с ,радиусом Л= 10 см получаем й( /Т, - Т т, е. толщина расплава, выраженная в сантиметрах, должна быть меньше величины, равной квадратному корню из разности температур, источника и подложки, если температура выражена в С.При использованиями предложенного устройства на основе гетеропереходов в системе ар сенид алюминия - арсенид галлия были изготовлены периодические структуры - сверх- решетки с периодом изменения состава равоным 100 А и стопроцентной модуляцией состава в пределах одного периода. На основе таких структур возможно создание приемников и генераторов электромагнитного излучения, в которых, рабочими уровнями являются уровни электронов (дырок) в периодическом потенциале оверхрешеток.20П,редмет изобретенияУстройство для изготовления многослойных 25 гетероструктур, например баАз - баА 1 включающее источники, составляющие структуру, закрепленные в держателе, подложечку с держателем и механизм вращения, обеспечивающий поочередный контакт подложки с источЗ 0 никами, отличающееся тем, что, с целью получения структур с заданным законом изменения состава и уменьшения дефектов в них, механизм вращения установлен на держателе источников.