Патенты с меткой «эпитаксиальной»

Номер патента: 330811

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Государственный, Зотов, Конов, Маслов, Нисельсон, Проектный, Тель, Черномордин

МПК: H01L 21/205

Метки: пленки, эпитаксиальной

...металлов третьей группы периодической системы элементов дают широкий круг комплексов с триметильными производными элементов пятой группы в соотношении 1:1. Достоинством этих соединений является то, что в них исходные компоненты, образующие полупроводниковое соединение, находятсяРедактор Т. Орлова Корректор О, Тюрина Заказ 44234 Ивд. Хе 646 Тираж 406 ПодписноеЦИПИПИ Комитета по делам ивоорстеипй и откр.батин ири Совете Министров СССР Моски, Ж, Раупскап иаб., д 4/5 Тииографи, пр. Саик;ова, 2 В СТРОТ, С СХЦОМСтг Ц Ч СКОМ,.ОС Ге В ЬЛ 51 Ола ря цизкой температуре цлавлецця и кцпсция их легко можцо подвергать предварцтельцой очистке методам ректификацци и зоццой перекристаллизаццц. Кроме того, оци обладаот 5 мецьшей токовостьо цо сравнению с...

Номер патента: 1069002

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Галкин, Довгий, Калкин, Манянин, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, параметров, пленки, феррит-гранатовой, эпитаксиальной

...пленку сжимающих 60 напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия откуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции), :.роисходит изменение целого ря.,а ее емагнитных параметрон. одноосной анизотропии, характеристической длины,намагниченности насыщения, шириныстрайпа, диаметра одиночного ЦМД,плотности решетки ЦМД и т.д.Нижний предел 0,1 кбар выбраниэ услония начала влияния данления намагнитные параметры, а верхний 5 кбаропределяется прочностью эпитаксиальной пленки.На чертеже приведены зависимостимагнитных параметров...

Номер патента: 1538189

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Рандошкин, Сигачев, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферримагнитной, эпитаксиальной

...подреш одержащей лючается Суть изобретения затом, что обычно в запоройствах используютсявы которых не обеспечицию намагниченностей п минающих устленки, состанаучных иссл ают компенсадрешеток, т.е,рической подй намагниченелью из сть тетра ше суммар намагниченрешетки бо с декаэдричесающих устройррит-гранатов м отношением ой скоростью ескоии д В запоми ости октаэдричой подрешеток твах на основе ено б ышенным гиромагни ос,и ледствие о ся обратная менных стен аксии на ситуация,л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЩРЫТИПРИ 1 КНТ СССР ОПИСАНИ) СПОСОб ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИ ПОДРЕШЕТОК ЗПИТАК ОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИМАГ ) Изобретение относи ельной технике и мож ьзовано при контроле мации для быстродейс Изобретение относится к области вычислительной...

Номер патента: 1550584

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферромагнитной, эпитаксиальной

...эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиального наращивания пленки на таком участке за счет б.пее интенсивного пере1550584 Формула изобретения Составитель В.РозентальРедактор Е.Копча Техред МеХоданич Корректор М е Максимишинец Заказ 277 Тираж 483 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 медивания раствора-расплава на. периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увепичение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается...

Номер патента: 1688319

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00 ...

Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной

...2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319...

Номер патента: 1762350

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лебедь, Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/30, H01P 1/32

Метки: вкладыш, свч-устройств, структуре, термостабильный, ферритовой, эпитаксиальной

...граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил,ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты,На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая...

Номер патента: 1772774

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Казаков, Кожевников, Филимонов

МПК: G01R 33/05

Метки: анизитропии, пленки, полей, ферритовой, эпитаксиальной

...пленки относительно преобразователей, При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением(1, п, к) и проекцией поля ГГв плоскости пленки, Сигнал с частотой 1 от генератора 5 через аттеноатор б поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в МСВ, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. Сигнал с преобразователя 3 поступает на анализатор спектра 7, С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока ее величин не вызовет трехмагнонный распад МСВ Интенсивность этого распада столь вь.сока, что взаимодействие продуктов распада МСВ между собой приводит к образованию кинетической неустойчивости. которая проявляется в спектре прошедшего сигнала в виде...

Номер патента: 1793014

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: C30B 29/28

Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной

...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...