Амринов

Номер патента: 326526

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях

...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...