Способ коммутации термоэлементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
238 ЗО Союз Советеииз оциалистически РеопублинТЕНИ АВТОРСКОМ ИДЕТЕЛЬСТВУ звисимо явт. Свидстсльствд Заявлено 26,7,970 ( 1442455,26-25)с присоединением за 51 вки Ло Ч,1,л, Н 01 ч митет ло дел1.и 10 Ри изобретений и 1 тии вете Министров УД, 621.362.2( Опубл и ковано 10.Х 1 Чята опубликовяниаолин Заявитель СОБ КОММУТАЦИИ ТЕРМОЭЛЕМЕНТО Изобретение относится к спосооам испо. средственного преобразования тепловой энергии в электрическую.При соединении ветвей термоэлементов для термоэлектрических и охлаждающих устройств в месте контакта полупроводника с коммутационным материалом возникают переходш с сопротивления, снижающие эффективность термобатарей и их прочностные своиствя.Лишь небольшое количество материалов со- о вмсстимо с низкотемиердтурными полупроводниковыми материалами В - Те - 5 е и В - Те - ЯЬ): В 1, Яп, ЯЬ, металлы группы 1 те, з также тугоплавкие металлы %, Мо и т. д.Металлы группы железа, я также Ъ, Мои др. используются обычно в качестве иодслоя для пайки в дальнейшем различными мягкими припоями на основе олова, свинца и т. д.Металлы В 1, 5 п, ЯЬ и их сплавы в различных сочетаниях используются для иеиосрелст венной пайки с различными фл 10 сями и;1 и для диффузионного сращивания. К недостаткам таких способов коммутации относятся: низкая технологичность, большая толщина коммутационного слоя и большие контактные сопро тивления коммутационных переходов, вызванные частичным окислением полупроводниковых и коммутационных материалов.Предложенный способ коммутации заключается в том, что высокотемпературную со стзвля 10 иу 10 коммутдциоштого подслоя ВЖЬ 1:дносят вакуумым ндиылением ня ветви термоэлементов, после чего их припдивд 1 от к коммутационным шинам в вакууме или среде ней- ТР 11 ЛЬИОГО ГЗЗЯ.Полупровод 1 нковые элементы на основе тройных сплавов В 1 - Те - Ьс и В 1 - Те - ЯЬ :одвсргзются двусторонней шлифовке и ттца сльио 00 езжирив 1110 тся.1 дпыленис силдвд ВЬЬ производится в обц и 1 ых взк 5 лиых устдновкдх для ндпыле 1 и 51 из вол ьфрямовои корзиночки диаметром 1 .и,ц ири вакууме не выше 1 О з лтл рт, ст. Бремя испарения 10 - 15 лтн. Толщина слоя 20 - 30 11 и, Вследствие небольшого различия темперзтр испарения В и .5 Ь ооразующийся ровный слой имсст одинаковый по составу 01 лдв В 1 ЯЬ.Комютдционные иишы облуживаются оловом, иодвергд 1 отся механической обработке и обсзж ривзются. После этого в специальных приспособлениях собираются модули и помещаются в вакуумную установку для сращивания тсрмоэлсмснтов, где при остаточном давлении 1 10,1,1 рт, ст. и температуре 300 С и удельном давлении 1 кг/слз выдерживаются 15 11 ан. Образующийся при этом коммутационный переход В - Яп - 5 Ь имеет минимальные коммутационные потери и выдерживает усилие нд изгиб 30 кг(см-.Заказ 1 Г 7/8 Изд.1836 Тираж 448 Подписное ЦНИИП 11 Комитета ио делам изобретепии и открытий при Совете Министров СССР Москва, К, Раушская иаб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Полученные таким образом термоэлементы и термоохлаждающие модули по прочности не уступают аналогичным модулям, спаянным вручную, но имеют минимальные потери на коммутационном переходе.Кроме того, предлагаемый способ значительно технологичнее и надежнее известных. Предмет изобретенияСпособ коммутации термоэлементов па основе тройных сплавов В 1 Те 5 е и В 1 ТеЗЬ в вакууме с медными токоведущими шинами, оолуженными оловом, включающий операцию нанесения ВЗЬ и реакционную пайку, отличающийся тем, что, с целью повышения надеж ности изделий и их эффективности, ВЗЬ наносят вакуумным напылением толщиной 20 - 30 л 1 к на ветви термоэлементов, после чего их припаивают к коммутационным шинам с образованием коммутационного подслоя ВЗпЯЬ.10
СмотретьЗаявка
1442455
А. Ю. Бейлин, Е. А. Малыгин, М. П. Козорезов, А. Саблин, И. А. Шмидт
МПК / Метки
МПК: H01L 35/08, H01L 35/34
Метки: коммутации, термоэлементов
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-323823-sposob-kommutacii-termoehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ коммутации термоэлементов</a>
Предыдущий патент: Устройство подвески однопроводной линии поверхностной волны
Следующий патент: Способ увеличения пьезомодуля пьезокерамикц на основе титаната барияi
Случайный патент: Установка для резки элементов иглофрез