Патенты с меткой «полупроводниковогоматериала»

Номер патента: 317993

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Клотыньш

МПК: H01L 21/66

Метки: исследования, полупроводниковогоматериала

...в образце 1, при 973 К диффузию меди, получили образец и-типа 1 с холловской подвижностью 1700 смз/в сек. Проведя в образце 1 диффузию меди при 1023 К, получили образец р-типа 12 с холловской подвижностью 76 см 2/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1123 К, получили образец р-типа 1 з с холловской подвижностью 115 смз/в сек. Проведя в образце 1 з диффузию меди при 1223 К, получили образец 14 р-типа с холловской подвижностью 120 см 2/в сек,Таким образом, путем многократной диффузии меди в этом случае исследовали холлов- скую подвижность в широком интервале физических свойств.Исследование эффекта Нернста-Эттингсгаузена при 300 К в арсениде галлия путем многократной диффузии меди.В исходном образце и-типа арсенида галлия 1 О...

Номер патента: 810086

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Герхард, Ульрих

МПК: C30B 25/16

Метки: полупроводниковогоматериала

...плиты 4 имеются две коаксиачьно установленные трубки 9 и 10 для подвода и отвода газов соответственно,В опорной плите 4 выполнено также отверстие, в которое с помощью уплотнения 11 установлен тубус 12 с контрольным окном 13 Под тубусом установлено регулируемое поворотное зеркало 14, которое связано со средством 15 наблюдения или контроля темпера. туры.При известных условиях фланец 5 также может быть упразднен и в соответствии с этим толщина стенки колокола 1 также у своего нижнего края должна совпадать с толщиной стенок в остальных частях коло. кола или даже быть суженной. Колокол 1 в своей верхней части закруглен и образует свод, вследствие чего посредством сжатого газа задана усиленная несущая способность. Сжатый газ находится в...