Патенты с меткой «1хкичкнаяьчблиотсна»

Номер патента: 324592

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гершинский, Косцов

МПК: H01L 21/66

Метки: 1хкичкнаяьчблиотсна, диффузии, коэффициентов, пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт, примесей, тонкие

...1 О величины тока во времени прн анодном растворении образцов; на фиг. 2 графически сравниваются количества электричества, необходимые для анодного растворения верхней пленки тонкопленочной структуры металл металл до и после диффузионного отжита.Зависимость анодного тока 1 при растзорении толстой (1000 А) пленки А 1 показана кривой 1, при растворении тонкои (око 2 о ло 250 А) пленки А 1 - кривой 2,при растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 перед диффузионным отжигом - кривой 3, причем изменение скорости окисления в точке А соответствует переходу от окисления пленки А 1 25 к окисленшо пленки Т 1. Кривая 4 соответствует зависимости 1(1) прп растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 после взапхгной диффузии.Площадь АВСО (фиг. 2)...