H01L 21/383 — диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия
163292
Номер патента: 163292
Опубликовано: 01.01.1964
МПК: H01L 21/383
Метки: 163292
...термопарой 5.Перед напылением пластину подвергаюг предварительному отжигу с целью удаления с ее поверхности адсорбирсванкых газов и летучих органических соединений, которые могли остаться пссле промывки. Затем по достижении высокого вакуума ка нагретую до температуры дяффузии пластину напыляется примесь, температура испарения которой в вакууме нихке температуры диффузии, В качестве примеси для германия применяются сурьв полупровод- езатранзистовысоком вапластины поотличаюевают до темсе напыления ев примеси в роисходит инПодписная группа Л 82 ОЗДАИИЯ ВАЗОВЫХ С ПРИЬО1КО ВЫ)Г ма, мышьяк, висмут, фосфор, а для кремния -материалы с большей температурой испарения. Нанесенная на пластину примесь частично внедряется в полупроводниковый...
Способ изготовления кремниевого быстродействующего диода
Номер патента: 240111
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Носов, Цыбульников
МПК: H01L 21/383
Метки: быстродействующего, диода, кремниевого
...необходимо повышать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - а-перехода. С другой стороны, для уменьшения емкости диода и увеличения пробивного напряжения необходимо снижать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - п-перехода, так как это вызывает уменьшение градиента концентрации акцепторов в нем,Для выполнения указанных противоречивых требований предлагается проводить диф фузию в три стадии. Режим первой и второйстадии выбирают по известным соотношениям так, чтобы поверхностная концентрация не была слишком большой. Это обеспечивает малую емкость, Затем проводят третью ста дию, при которой поверхностная концентрация увеличивается до значения, соответствующего предельной растворимости (выше 5 10 с см - в), но...