Михалович

Номер патента: 264095

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акменс, Ихнпч, Михалович, Рикман, Удэм

МПК: C25D 3/56

Метки: 264095

...получениества толщиной до 30 для осажденияоснове хлористы ектролиталлий привоспроиржание г8,0%. Осахорошо сустойчив впокрытиямк,изобре явель тем, ских, ролит соотПр едм тени Электролит для осажденаллий, содержащий хлориаллия, отличающийся тем,ения мелкокристаллическитящих осадков, в электроллицин при следующем сонентов (в г/л);хлористый индийхлористый галлийглицинфенол ия сплава и стые соли и что, с целью х, плотных ит Вводят ф отношении дии - дия и полу- и блеенол и компой 50 - 150 ий 25 - 2530 - 60 0,3 - 1 емпературе 15 - 2 Процесс ведут при плотности тока 2 вЭлектролит готовя дога из компонентов Растворы сливают в ходимого объема ди а/дм .т путем растворенияв дионизированнойместе и доводят донизированной водой 150,5 - 30...

Номер патента: 248847

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кайдалов, Кщнс, Михалович, Осокин

МПК: H01L 27/06

Метки: «не—или», полупроводниковая, схема, твердая

...Кроме того, это соотношение в режиме открывания схемы дает возможность получить оптимальную связь между остаточным напряжением схемы и ее сопротивлением нагрузки.На чертеже схематически изображен кристалл полу.проводниковой твердой схемы НЕ - ИЛИ с обозначением типов проводимости каждой области,Кружками обозначены места присоединений электродных выводов, Электродные выводы от р+-областей 1 и 2 - выводы (электроды) земли. Выводы (электроды) от и-областей 3 и 4 - входы твердой схемы, Схема имеет общий выход 6, минимально отдаленный от р+-областей. В общей р-области расположено сопротивление нагрузки между выходом 5 и электродом б, присоединенным к.минусу источника питания.К общей части и-типа к выводу (электроду) 7 прикладывается...

Номер патента: 217853

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Акменс, Михалович, Озолиньш, Рикман, Удэм

МПК: C25D 3/56

Метки: свинец, сплава, сурьма

...содержащих винную, борную и борфтористоводородную кислоты. Однако эти электролиты работают лишь при низких, не пригодных для электро- осаждения сплава постоянного состава плотностях тока.Предложенный способ свободен от указанных недостатков и позволяет получать сплавы постоянного состава с содержанием сурьмы 0,5 - 6,0% при плотностях тока 0,5 - 10 а/дм 2. При этом отклонение от заданного состава сплава не превышает +3% от номинала. При плотностях тока 0,5 - 10,0 а/дмз и температуре 18 - 20 осаждаются мелкокристаллические покрытия толщиной до 30 мк, обладающие хорошим сцеплением с подложкой. этому способу предусматрива сплава из электролита, со дение д (В Г/Л);Свинец углекислый (в пересчете на металл)Борную кислоту (свободную)Бор...

Номер патента: 189097

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бергман, Веннер, Готман, Михалович, Пггхомов, Петраковский

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковыхприборов

...закрепленной на нем заготовкой; на фиг. 2 представлено копировальное приспособление; на фиг. 3 показан эталон с растровой пластиной.Заготовку 1 в виде тонкой, чисто обработанной полупроводниковой пластины, с двух сторон которой па общей оси расположены призматические пазы 2, ставят на технологический спутник 3 и жестко закрепляют с помощью винтов 4 фиксаторами 6, входящими в пазы, В верхней части корпуса 6 копировального приспособления закреплен винтами 7 негатив 8, В рабочем положении заготовка 1 прижата к негативу пружинами 9, передающими давление на заготовку через кольцо 10, шарики 11, гнездо 12 и спутник 3.Точность совмещения заготовки с негативом обеспечивают сферическая головка фик сатора 13, входящая в конусное гнездо 14...