Сегнетоэлектрический керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 249435
Авторы: Лезгинцева, Молокова, Фельдман
Текст
Ссюэ Соеетскиа Социалистическиз Ресауалие(088.8) риоритет Комитет аа делам обретений и аткрыти и Совете Министров СССР, П, Молокова аявител ГН ЕТОЭЛ ЕКТР ИЧ Й КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ температуре 1290 С, После разцы наносят электроды серебряной пасты. Поля при температуре 100 С в жидкости электрическими Перед поляризацией образПьезокерамика РЬа,эз Яго + 0,8 вес. % Сг 208 имеет с ва в зависимости от колич банки 8102. шлифовки на обметодом вжигания ризацию проводятполисилоксановои полями 3 - 4 кв/см, цы закаливают, 08 (г гс,82 Т 10,48) Оз+ л едующие свойстества вводимой дораметры резонаторного материала Содержание Я 0%ТК/; относительныи резонансный промежуток Ь, добротность 0 град 40 45 55 42 7,1 4,7 4,5 24 0,2 0,5 введение О,1 - 0,2% снижению ТК т. е. урная стабильность при этом несколько ность, определяемая го резонансного протаблиць резкому температ отн ость езоакти сительн Как видно из)102 приводит кувеличиваетсяматериала, Добвозрастает, а ппо величине отн межу частота, а-жается. Известен сегнетоэлектрический керамический материал для пьезоэлементов, включающий РЬО, Т 102, Хг 02, добавку соединения щелочноземельного металла и Сг 208.Предлагаемый материал имеет по сравне нию с известным лучшую температурную стабильность различных электрофизических параметров.Достигается это тем, что он содержит указанные компоненты в следующих количествах 10 (вес. %); РЬО 60 - 70, ТЮ 2 5 - 25, Хг 025 - 25, добавку щелочноземельного металла - не бо. лее 4 - б и Сг 208 - не более 2, кроме того, сверх 100% 5102 О, 03 - 0,3.Введение 0,58/8 3102 приводит к повышению 15 температуры Кюри на 3, При выращивании монокристаллов ВаТЮз из расплава с добавкой Я 02 последняя способствует образованию более равновесных форм кристаллов, Поскольку ион кремния имеет меньший по 20 сравнению с ионом титана ионный радиус (по Полингу соответственно 0,41 и О,б 8), введение 5102 улучшает температурную стабильность материала. Кроме того, небольшая добавка ЬЮ 2 способствует лучшему спеканию кера мики.Образцы синтезировали из окислов РЬО, ТЮ Хг 02 и углекислого стронция ЯгСОз дважды при температуре 910. Сг 20 з и %02 вводят при втором синтезе. Обжиг заготовок 30 проводят в никелевых пакетах с засыпкой при Уг249435 Л)й 7 1 ЮО Составитель А. Нечаев Редактор Г. С. Кузьмина Техре аказ 3880 9 Тираж 480ЦИИИПИ Ко,пзети по делам изобретений и открытий при СоветеМосква Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписнонистров ССС Тнпогра я, пр. Сапунова, 2 3При введении больших количеств %0пьезоактивность продолжает снижаться и при2% ЯО она лежит в пределах 1,5 2,5%,На графиках (см. чертеж) приведены температурные зависимости резонансных частотобразцов с различным содержанием ЯЮз,где а - основной состав без добавки ЯО,;б - с добавкой 0,1 о/о %0 в,в - с добавкой 0,2% 3102. Добавки ЯОсверх 100%,Из графиков видно, что улучшение температурной стабильности резонансной частоты привведении небольших добавок %02 происходитза счет изменения формы зависимости резонансной частоты от температуры в рабочеминтервале температур от - 60 до + 85 С. Предмет изобретения Сегнетоэлектрический керамический м атериал для пьезоэлементов, включающий РЬО, 1102, Хг 02, добавку щелочноземельного металла и Сг 20 з, отличающийся тем, что, с це лью улучшения температурной стабильности,он содержит указанные компоненты в следующем соотношении (вес. в/,): РЬО 60 - 70, ТЮ 2 5 - 25, УгО, 5 - 25, добавку щелочноземельного металла не более 4 - 6, СгзОв не бо лее 2 и, кроме гого, сверх 100% ЯЮ 20,03 - 0,3. вина Корректор В. А, федулов
СмотретьЗаявка
1215362
Н. Б. Фельдман, Т. Н. Лезгинцева, В. П. Молокова
МПК / Метки
МПК: C04B 35/491, H01L 41/187
Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-249435-segnetoehlektricheskijj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрический керамический материал</a>
Предыдущий патент: Волноводный аттенюатор
Следующий патент: Способ нанесения элektpoпpoboящёш”0 тахн чвсншг и свегопрозрачного покрытия-щотена ivlba
Случайный патент: Способ получения фтористого аммония