Полупроводниковое устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 243076
Авторы: Германска, Иностранец
Текст
О Л И С А Н И Е 243 О 76ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Респуолик.д ф;йТ. ЗАИ ависимое от авт, свидетельстваХ.1967 ( 1184032/26 Заявлено Кл, 21 д, 11/02 псоединением заявкиПриорит Х 1.196605.Ъ,1969, Бюллетень16 01 Комитет по делам зобретений и открыти при Совете Министров СССРДК 621 382(088 8оликова Дата опубликования опчсания 18.1 Х.19 Авторизобретения Иностранец Дитрих Армгарт ерманская Демократическая Республикаявител ОЕ УСТРОЙСТ ОЛУПРОВОДН Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в особенности к активным и пассивным структурным элементам в микро- миниатюрных полупроводниковых функциональных блоках.Известные полупроводниковые устройства со слоями различной проводимости не выдерживают больших пробивных напряжений из-за того, что р - гг-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность,С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатгорном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р - гг-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою,В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий не- проводящий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим наращиванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элемента. Полупроводниковоно на чертеже.Оно содержит неконтактные площад5 полупроводниковыйдящий слой 4 и полевыи слои а,е устройство изображе проводящий слой 1 ЯО, и 2, высоколегированный слой 3, толстый непровоикристаллический кремникритические р пендикулярно что позволяет яжение. Таким ены как три уктуры,конструкции положены песлою 5102 обивное напр быть изготовл ехслойные стр В такоиреходы расляционномусить их прзом могуттак и четыр 10 к изо- повы- обраные,15 ет изобретен со слоямиюгЧееся тем ого напряже - гг-переходь изоляционнониковое устроиство оводимости, отлича овышения пробивн в, критические р рпендикулярно к Полупрово 0 различнои п что, с целью ния переход выполнены п му слою.Заказ 2379/11 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1184032
Иностранец Дитрих Армгарт, Германска Демократическа Республика
МПК / Метки
МПК: H01L 27/12
Метки: полупроводниковое
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-243076-poluprovodnikovoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое устройство</a>
Предыдущий патент: Линия для изготовления полупроводниковых приборов в пластмассовом корпусе
Следующий патент: Преобразовательный блок
Случайный патент: Устройство для сепарации семян