245922
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 245922
Авторы: Вальд, Мартиросов, Тагер
Текст
ОПЙСА НИ Е изоьевтения Союз Соввтскиа Социалистическиа РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства. 21 д, 11/02 Заявлено 22 ЛЧ.1968 ( 1234521/26-25)с присоединением заявкиМПК Н 011 риоритетпубликовано 11.Ч 1,1969. Бюллетень2ата опубликования описания 11.Х 11.1969 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Вальд-Перлов, И, М. Мартиросов и А аявите АВИННО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫИ Изобретение относится к лавинно-пролетным полупроводниковым диодам, применяемым для генерации и усиления сигналов сверхвысоких частот.Известны лавинно-пролетные диоды, в которых рабочее пространство - слой умножения и пролетные участки образованы в одном и том же полупроводниковом материале, Недостаток таких диодов состоит в том, что при использовании их в качестве генераторов СВЧ сигналов максимальное значение электронного коэффициента полезного действия ограничивается сравнительно небольшими значениями (30 - 40%). Причина этого состоит в следующем: электронный к. п. д, лавинно-пролетных диодов определяется отношением максимального значения переменного напряжения в пролетных участках У к постоянному напряжению смещения Ус. Напряжение Ь равно переменному напряжению на всем запорном слое У за вычетом падения напряжения в слое умножения с 4, Максимальная амплитуда полного высококачественного напряжения У ограничена условием прокола и существенно меньше постоянного смещения Ц. Таким образом, в существующих лавинно- пролетных диодах требования максимального увеличения отношения У//с и максимального увеличения отношения У,/У противоречивы,что препятствует увеличению к. п. д, генераторов на лавинно-пролетных диодах.Цель изобретения состоит в значительномувеличении максимального электронного к. п. д. генераторов на лавинно-пролетных диодах путем изменения полупроводниковой структуры этих диодов,Для реализации этой цели предлагаетсяконструкция лавинно-пролетного диода, соо ставленного из различных полупроводниковыхи диэлектрических материалов, отличающихся значениями ширины запрещенной зоны таким образом, что запорный слой располагается частично в полупроводнике (диэлектрике) с узкой запрещенной зоной и низкой пробивной напряженностью электрического поля, а частично в полупроводнике (диэлектрике) с широкой запрещенной зоной и высокой пробивной напряженностью электрического поля. В 0 этом случае даже при однородном распределении напряженности электрического поля по толщине запорного слоя можно в широких пределах варьировать отношение ширины слоя умножения и ширины пролетного пространства и следовательно отношение О /с/. В частности, в структуре с однородным полем можно сделать слой умножения очень тонким по сравнению с шириной запорного слоя, если на диэлектрик или на полупроводник с широкой о запрещенной зоной нанестп достаточно тонкий245922 слой полупроводника с узкой запрещенной зоной. Это позволит сделать такие лавинно- пролетные диоды, в которых амплитуда переменного напряжения на пролетных участках Обудет близка к амплитуде полного пере менного напряжения У, а последнее - к постоянному смещению /в, что обеспечит увеличение максимального электронного к. п.д. генераторов с такими диодами до 70 - 73%.10Одним из возможных вариантов предлагаемой конструкции может служить лавинно-пролетный диод с двухслойной структурой, состоящей из пластинки германия, выращенного на ней тонкого эпитаксиального слоя арсенида 15 галлия и двух омических металлических контактов. В таком диоде с (р+ - 1)о, - (1 п+)оел структурой, рассчитанной на частоту 10 ги, отношение падения напряжения на пролетном участке к полному падению на пряжения на запорном слое может достигать 40,95, а электронное к. п, д, генератора составитоколо О/в,Предмет изобретения1, Лавинно-пролетный полупроводниковый диод с запорным слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения к. п. д. генератора СВЧ, полупроводниковая структура содержит, по крайней мере, два полупроводника (или диэлектрика) с различными значениями ширины запрещенной зоны и с расположенным в них запорным слоем.2. Диод по п. 1, отличающийся тем, что, с целью приближения амплитуды переменного напряжения на пролетных участках к амплитуде полного переменного напряжения, а последней - к постоянному напряжению смещения, толщина полупроводника (или диэлектрика) с узкой запрещенной зоной выбирается малой по сравнению с общей шириной запорного слоя.Редактор Н, С. Коган Текред А. А, Камышиикова Корректор Т. А. АбрамоваЗаказ 322277 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, М(-35, Раушская паб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1234521
В. М. Вальд Перлов, И. М. Мартиросов, А. С. Тагер
МПК / Метки
МПК: H01L 29/06
Метки: 245922
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-245922-245922.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">245922</a>
Предыдущий патент: Устройство для размагничивания однотипныхдеталей
Следующий патент: 245925
Случайный патент: Способ изготовления изделий из прессованнойдревесины