Патенты с меткой «сегнетоэлектрический»

Номер патента: 121149

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Казарновский

МПК: H02M 5/16

Метки: сегнетоэлектрический, трехфазного

...1)33 мснсны две Бст 1)счнд Бк,юснныс п 1.рвичные Об)стки 2 и 3 и втд-,);чная сбмдт 1(1 4. Пе)в 1 чные дб 10 ткн 2 и 3 совместно с сегеСтоэ(ектрисскими ко (снсаторяи:1 сд сменс Нем образуют си;тему нелинейных трсувдльнш(дв. Од 51 н из;Стдчнш(ов сменения 6 каждого нслинсйндго т 1)с ГдлынКЯ 1 мест обратную иолярнть пО Отношениео к дв 1 д)сГ:11 нстснп 1 кс)з .сис)1 я этОГО же треугольника, Все же Бторичныс сиз 5)ткн 4 тран;форматсра, ра;пдлдкенныс на разных стержнях, сосд:иены между собой последовательно.При этих тсдвиях ПЯ ББ 1.оде и)ссбр 130 В 1 тс(1 я 103 ннк 310 т тдлы) стныс Г 31)моники няп 1)якения; Н 3511)яжения Кс нетстных ГарОннк, включая и о:нсвню 5 Зстотм. )явны нлю.Преобразсвятсль мджст Сыть выполнен так жс в Бндс двух...

Номер патента: 249435

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Лезгинцева, Молокова, Фельдман

МПК: C04B 35/491, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...РЬО 60 - 70, ТЮ 2 5 - 25, Хг 025 - 25, добавку щелочноземельного металла - не бо. лее 4 - б и Сг 208 - не более 2, кроме того, сверх 100% 5102 О, 03 - 0,3.Введение 0,58/8 3102 приводит к повышению 15 температуры Кюри на 3, При выращивании монокристаллов ВаТЮз из расплава с добавкой Я 02 последняя способствует образованию более равновесных форм кристаллов, Поскольку ион кремния имеет меньший по 20 сравнению с ионом титана ионный радиус (по Полингу соответственно 0,41 и О,б 8), введение 5102 улучшает температурную стабильность материала. Кроме того, небольшая добавка ЬЮ 2 способствует лучшему спеканию кера мики.Образцы синтезировали из окислов РЬО, ТЮ Хг 02 и углекислого стронция ЯгСОз дважды при температуре 910. Сг 20 з и %02 вводят при...

Номер патента: 346813

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Курин, Лерман, Смажевска, Фельдман

МПК: C04B 35/49, C04B 35/491

Метки: материал, сегнетоэлектрический

...вес, %, МпО 0,1 - 5,0 вес. % и, кроме того, 5 О, 0,1 - 2,0 вес, %, а сверх стехиомстрии МО 1,0 - 5,0 вес. %.Образцы из сегнетоэлектрического материала изготавливают по обычной керамической технологии.Исходные компоненты, взятые в вес. %: окись свинца 57 - 73, двуокись титана 1 - 26, двуокись циркоция 0,1 - 28, окись магния 2 - 4, пятиокись ниобия 12 - 25, окись никеля 0,1 - 5,0, двуокись марганца 0,1 - 5,0, двуокись кремния 0,1 - 2,0, углекислый магний 1,0 - 5,0, смешивают в виде мелкодисперсных порошков, брикетируют и подвергают синтезу прп температуре 850 С в течение двух часов. Получсццый материал измельчаот и подвергают прессовацию в виде дисков. Окончательное спекание проводят при температуре 1240 С в течение одного часа....

Номер патента: 466693

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, многокристаллический, сегнетоэлектрический

...пироиента при комнатме ие его темп сим в состав материала предлоокись кальция и компонентыюших соотношениях, мол.%;2,5-17,5 бре ормулнокристалли и жено вводить брать в следу ВаО й сегнетоэлект ски матери я и нио а основ лов бария,стронци с я25 элект ия, ос целькозффи юшииния пиро 47, 25 чт а еског и комнатИзвестен монокристаллический материал состава 5 т, Ва МЪ О (где Х = = 0,25 - 0,75),Разработанный монокристаллическийматериал позволяет уменьшить зависимость пироэлектрического коэффициентаот температуры и повысить его значениепри комнатной температуре.П р и м е р . Шихту, состоящую из23,66 г ВаСОз (15 мол.% ВаО),29,545 СО (25 мол.% 50) 8,0 г СаСО(10 мол.% СаО) 106,37 г йд 0(50 мол.%) 10 помещают в платиновый или иридиевыйтигель и...

Номер патента: 580197

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Вербицкая, Майдукова, Пашкова, Хоряк

МПК: C04B 35/468

Метки: материал, сегнетоэлектрический

...от филь 15 ического степенью н одно- рпконды%в зобретения являетс овышение оницаемоЦелью максима сти и коэЦель, включаю диэлектрическои пента нелинейности,ется за счет того, чтоаО, Т 10 ЯпО СгзОт ХгОз или ВаХгОзнии компонентов, в301,5 -ьнои ффиц остиг щий В держ тнош 2000 до 1500 35 - 75 в/мм 80 - 15095 - 105 2 э материал, дополнипри следувес. %:32 тельно со ющем сооТРО ЬпО,0 Изобретение относится к области производства материалов с высокими нелинейнымп сегнетоэлектрическими свойствами, в частности, на основе ВаТ 10 з и может быть использовано в производстве керамических материалов.Известен материал для нелинейных сегнетоэлектриков типа ВКна основе ВаТ 10 з с добавками окислов 5 п и Сг, обладающий следующими характеристиками 1:...

Номер патента: 643470

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Синельников, Соколова

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: керамический, конденсаторов, материал, сегнетоэлектрический, термочувствительных

...обазательным условием при компенсации уходачастоты пьезоэдектрическогогенервтора.26 Недопустимым также явлаетса и большой температурный гистерезис емкости, характерный для материала с высокой% 8800/75 БНИИПИ аз 793 У 22 Патент, г. Ужгород, ул, Проектна диэлектрической проиицаемостью. Введение малыхдобавок, например,0,001-0,1 вес.% авдаетса весьма нетехнологичным и неизбежно вызывает значительные фдуктуацни состава, Кроме того, такие добк, МПО, ИЪоб,ОО, очень сильно влияют на точку Кюри и малейшее нарушение рецептуры вызванное сложностью Введения малых дооавок и приводит к нежелательному изменению электрических свойств материала,Бель изобретении - повышение стабильности точки Кюри и обеспечение температурной зависимости...

Номер патента: 667526

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/462, C04B 35/495, H01G 4/12 ...

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий Т 10 з, НаО, НЪгОз дополнительно содержит В 1 гОз и К 40 при следующем соотношении компонентов, мол.Ъ:Тз.Оа 30,4-36,4Наг 0 30,4-36,4Иь,оз 18,2-26,1В 1 г Оз 4,5-6,55КгО 4,5-6,55На чертеже приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости с /Е, (цифры соответствуют составам в таблице).Сегнетокерамический конденсаторный материал представляет собой твердый Раствор итем БаЪ)ЪО - , К/а В 1 гуг Т 1066752 Физические характеристики твердых ра+22 0,016 0,014 0,018 225 32 8,5 0,016 0,015 0,019 110 17 2 251075 4,3 30 1070 4,35 1450 65 1400 Примеч при величине изм Использовались о с вожженными при н и е. Электричес рительного поля...

Номер патента: 729167

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Никифоров, Урбанович

МПК: C04B 35/00

Метки: материал, сегнетоэлектрический

...повышение диэлектрической проницаемости. Это достигается тем, что материална основе РЬ В 1 ТаОв дополнительно содержит Ь 1 О при следующем соотногшенин компонентов, Вес,;РЬ В 1 ТаОа 95-98Ь 1 О 2-5гДля получения сегнетоэлектричес-, кого материала составов, содержащих, вес.Ъ: 1,РЬ В 1 ТаО -95 2.РЬ В 1 Та 06 - 96,5Ь 1 О - 5 Ь 1 О - Зт 5З,РЬ В 1 Тао -98гЬ 1 О - 2гсмесь окислов РЪО, Та Оз В 1 гОЗ, взятых в стехиометрическом соотношении, отвечающем составу соединения РЬВ 1 ТаОа, смешивают с Ь 1 хОе после чего формуют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, тЕмпературе 700-900 оС в течение 1-10 мин. Затем на материал нанОсят электропроводящую пасту и образцы...

Номер патента: 742417

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Бойс, Волкова, Жуковский, Мартынова, Уткина

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...преимущественно для изготовде порошков загружают следующие компо- пения низковольтных керамических конненты, вес.%;титанвт бария (удельная по-, 20 денсатордв, содержащий титанат бария и верхность не менее 10 м /г) - 96, ; ниобат бария, о т л и ч а ю щ и й с я2ниобат бария - 2,5; оксид лвнтана - 0,3; тем, что, с целью повышения диэлектриоксид титана - 0,8. ческой проницаемости материала, он доХарактеристики материала: диэлектри- попнительно содержит оксиды лантана и ческая проницаемость 5400-6000, изме 25 титана при следующем соотношении комнение емкости в интервале температур понентов, вес.%.минус 60плюс 85 С составляет - 38 Титвнат бария 94,6-96,4 - 12%, тангенс угла диэлектрических по Ниобат бария 2,5-4,9 терь 0,7-1,0, удельное...

Номер патента: 810641

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Акимов, Никифоров, Олехнович, Ракицкий, Урбанович

МПК: C04B 35/497

Метки: керамическийматериал, сегнетоэлектрический

...увеличение диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигается тем, чтоизвестный сегнетоэлектрический керамический материал на основе РЬгСгТаОе дополнительно содержит 1.40, причем состав 5 материала, соответствует формулеРЬгСг 1 - хТа 1 лхО, где Х =0,03 - 0,05. Для получения материала было приго.товлено несколько смесей, содержащих 0 каждая, 00: а) РЬО 57, СггОз 9; ТагО 5 27;1.4 СО, 7; Ь) РЬО 59, СггОз 7, Таг 05 30;1.ЬСОз 4, с) РЬО 59, СггОЗ 9; Та Ое 30, 1.1 гСОз 2.Каждую смесь тщательно перемешива,ти, подвергали обиигу по обычной херамической технологии, затем производили обжиг в условиях высокого давления от 30 до 40 кБр и температуре 700 - 1000 С. После снятия давления на образцы наносили 20 электропроводящую пасту и...

Номер патента: 854915

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Калитванский, Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/468, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...изготовленный горячим прессованием,30 содержащий ВаО, ТЮ,ВО, А 10 З при854915 тельно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в течение 1 ч при 1100 С в фарфоровом тигле. После этого стекло выливают на стальную плиту и затем тщательно измельчаютПолученный порошок стекла добавляют к порошку ВаТ 109 в количествах 1,68-9,2 мол.%, далее смесь перемешивают 1,5 ч в фарфоровых ступках. ГП полученного порошка проводят в течение 40 мин при давлении 400 кг/смф. Тподбирают 10 по кривьза усадки. (Плотность образцов определяют гидростатическим взвешиванием. Температурные зависимости Е определяют на частоте 1 кГц с помощью моста Е 8-2).15 Полученные результаты представлены в таблице. Состав, мол. О, км ТсО( Макс Д,м с ВаО ТЮ 2 Са А 1 гО 5100 2...

Номер патента: 897757

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Никифоров, Урбанович

МПК: C04B 35/497, H01G 4/12

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...но содержит 2 гО при следующем соотношении компонентов, мас.4: РОО 67,0 - 69,01.10 1,0 - 2,02 г 02, 0,1 - 0,5МЬ 20ОстальноеВ табл 1 представлены примерысе гнетоэле ктри це ского ке рами че с ко гоматериала.897757 4 Ь О гго Смесь,РЬО 68,33 0,1 68,33 30,23 68,33 67,00 69,00 0,5 30,03 0,5 30,50 2,00 0,1 29 90 1,00 Таблица 2 Величина диэлектрической проницаемостипри 20 С Температура Удельноесопротивление,Ом. см Тангенс у гла диэлектрическихпотерь Кюри, С Смесь,143,8.10 00 5 чО й,0.109 3,6. 10 3,7 10 560 392 380 510 520 Формул а и зобрет ения В качестве исходных реактивов используют: РЬСО марки "ч", ИЬО - экстракционная и ионообменная,Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг...

Номер патента: 935498

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Жуковский, Заремба, Пахомова, Симо, Чернышева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...С, Мигунова Корректор В.Бутяга Редактор А,Гулько Шее ш еш ееееееее Заказ 4150/29 Тираж 641 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 тФеефилиал ППП .Патент, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 Реальность предлагаемого соотношения ингридиентов подтверждается приведением следующих примеров по минимальному, максимальному и среднему значениям, вес.ВП р и м е р 1. По минимуму, В: ВаТ 10 91,26 СМг 0 8,14; МfО 0,60.Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 90,92, затем. добавляют к нему цирконат кальция 8,11 В,и углекислый мар ганец 0,97. Характеристики материала следующие:Диэлектрическая проницаемость,Е 4800-5200Тангенс угла...

Номер патента: 962261

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Калитванский, Прокопало, Раевский, Резниченко, Фесенко

МПК: C04B 35/495

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...Полученный материал представляет собой синтезированный порошок КИВОК, в который перед горячим прессованием вводится 1,86-13,80 мол.Ъ стекла, состава, мол.Ъ: К О 33,6; 510 66,4.Получение предлагаемого материала осуществляют следующим образом.Порошок КХВО получают синтезом при 950 С в течение 5 ч из КаСОэ и ЧЬО марки ЧДА, Стекло получают сплавлением соответствующих количеств К СО и 510 (которые предварительно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в фарфоровом тигле при 1100 С в течение 1 ч. После этого стекло выли962261 вают на стальную плиту и затем тща- тельно измельчают. Полученный порошок стекла добавляют к порошку КИВО в количествах, мол,Вл 1,86, 3,69, 6,00, 11,60, 13,80 и далее смесь перемешивают 1,5 ч в Фарфоровых ступках....

Номер патента: 962263

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков ВаТ 10 э в количестве 93,5 мас.Ъ,, затем добавляют к нему, Ъ: МЬ О 3,5;Сеод 1,0, Ву Оз 1,0 ф ЗЬ 0 0,6;МПСО 0,4. 5Характеристики материала в этомслучае: удельное объемное сопротивление1,2 " 10Ом см при 125 фС,диэлектрическая проницаемость Я2530 при 20 фС; ОП р и м е р 2 (по максимуму). Загружают в вибромельницу,в виде порошков ВаТТОЪ в количестве 97 5 мас,ЪУзатем добавляют к нему, Ъ: МЬ, 0 2,0;СеОф 005 3 Эуо 0 3 ЬООМпСО 0,1.Характеристики материала; удельное объемное сопротивление8,5 хх 10 ф Ом.см при 125 С,...

Номер патента: 970221

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Большакова, Рудяк

МПК: G01P 3/48

Метки: сегнетоэлектрический, тахометр

...Баркгаузена в сегнетоэлектриках.На фиг. 1 представлена принципиальная схема конструкции прибора; на,фиг. 2нарастание числа скачков переполяризации во времени после приложенияполя в монокристалле тригдицинсульфита (ТГС),Предлагаемый тахометр содержит г 5сегнетоэлектрический датчик 1 импульсов,закрепленный на подвижном рычаге 2.Контакты от датчика подключаются к,анализирующей аппаратуре; усилителю 3импульсов и пересчетному устройству 4.Датчик помещается в экранирующий металлический кожух 5, рычаг 2 вместе сдатчиком 1 может вращаться вокругоси 9, В рабочей зоне с помощью металлической пластины 6 к датчику подкдю 35чается постоянное по величине и направлению электрическое поле.Источник тока Е необходим для подачи на датчик 1 импульсов...

Номер патента: 975680

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Андреев, Андреева, Жуковский, Константинов, Макарова, Ротенберг

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...Проектная, 4 П р и м е р 1 по минимуму). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве95,0, затем добавляют к нему,:оксид ниобия 1,0;окись самария 2,0оксид иттербия 1,0 и оксид диспрозия 1,0. Характеристики материаласледующие: удельное объемное сопротивление при +125 С= 1"10 э Ом смтангенс угла диэлектрических потерьпри +20 С Фдд = 0,008,П р и м е р 2 ( по максимуму). Загружают в вибромельницу в виде порош.ков титанат бария в количестве 98,0,затем добавляют к нему,В: оксид самария 0,2, оксид иттербия 0,1 и оксид диспрозия 0,2. Характеристикиматериала следующие: удельное объемное сопротивление при +125 Сб 10" Ом см тангенс угла диэлект(орических потерь при +20 С 1 рГ0,012.П р и м е р 3 (по среднему эначениюу....

Номер патента: 977437

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Бойкова, Жуковский, Заремба, Пахомова, Симо

МПК: C04B 35/468, C04B 35/49

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...соотношении компонентов, мас.%:ВаТ Оэ 84,83-85,93ВаЕгОэ 13,87-15,07МпО 0,10 - 0,20П р и м е р 1 (по минимуму мас,%). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТОэ) в количестве 84,83,Составитель Е. ФельдманТехредМ.Гергель Редактор С. Юско Корректор Ю. Макаренко Заказ 9106/29 Тираж 641 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 3 977437затем добавляют в нему цирконат бария(Ва 2 гОз) 15,07 и закись марганца (МпО) 0,1,Перемешивают компоненты в течение 2 - 3 ч,к тонкоизмельченному порошку добавляютполивиниловый спирт, формуют образцы иобжигают их в воздушной среде при 14001450 С. На спеченные...

Номер патента: 990739

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Громов, Ивашкова, Малютин, Поландов, Пономарев

МПК: C04B 35/49

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...формы и величи 15ны. Обжиг изделий проводят при 1260 ++ 20 С в свинецсодержашей засыпке,когорая представляет собой порошкообраэную смесь окисей свинца и циркония ввесовых соотношениях (15-30)% РвО + 20+ (85-70)%Ее 0.Затем образцы шлифуют на шлифовальном станке, высушивают и наносят электроды вжиганием серебряной пасты при800 С в течение 15-20 мин. Поляризация иэцелий осуществляется в полиэтилсилоксановой жидкости при 100 С в те"- очение 1 ч в постоянном поле напряженностью 3-4 кВ/мм,Измерения, проведенные при цавлении 30400 атм, в жицкости по известнрй методике, показали, что при вынужденномпереходе .СЭ - АСЭ выделяется электрический заряд равный 45 мКул/см.П р и м е р 2 . Сегнетоэлектрический 3керамический материал. состава0,96...

Номер патента: 1004314

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Александрова, Вербицкая, Марьяновская, Назарова, Светлова

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...ВаТ 105 гТ 10, СаТ 10 з, ЕпО, МдО дополнительно содержит Оу 0 при следую 2 3 щем соотношении компонентов,мас.;ВаТ 1 ОЗ78,0-85,05 гТ 10 10,25-15,20СаТ 103 1,25-3,5025 2 пО 1,30-1,50 .ИдО 0,50-1,00У 2 3 1,00-1,50Для йзготовления образцов исхоДые материалы в виде титанатов бари стронция, кальция и окисей цинка,1 ОО 4314 Таблица 1 Пример, 9 5 гтОЗ .СаТОЗгпо МЯО Оу 20 З ВаТ 03 1,3. 78 15,2 3,5 81,5 12,73 10,25 2,77 1,5 0,5 1,25 85 0,5 1,5 Т а б л и ц а 2 Показатели Свойства Изменениедиэлектрической проницаемостив течениегода,- 100ЬЕЕ Температурный.гистерезис,Ъ Пример,9 50 10 - 200 10 с 50 10 - 20010 ф 50" 10 - 200 10 ф 0 +3 25+ 3 40 +312 1,8 6800+ 500 7500+ 500 7000+ 500 15 20 3,5 4ВНИИПИ Заказ 1783/27 Тираж 620 Подписное Филиал ППП...

Номер патента: 1014034

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Божко, Верба, Кит, Кудренко, Мартынюк, Полковиченко, Самофалов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...соединенные между собОй по 10экранирующему электроду, на однуиз которых нанесен сплошной общий,электрод, а на другую нанесены разрядные электроды различной площади Г 21 15Недостатком этих устройств является неудовлетворительная надежность.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению являетсянакопитель информации, содержащий 20две соединеннйе "между собой пластины, на одной из которых нанесен общий электрод, а на другой - разрядные электроды3.Недостатком известного устройства является неудовлетворительнаянадежность, обусловленная наличиемкак электрйческих, так и акустических связей между частями накопителейинформации.30Цель изобретения - повьыение надежности сегнетоэлектрического накофпителя информации.Поставленная цель...

Номер патента: 1024986

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Мартынюк, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Харламов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...электро-. ды и электродЫ возбуждения Я .Известна также ферроэлектрическая матрица памяти, в которой используется пластина из ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи- считывания 21Недостатком этих матриц является 15 сложная конструкция.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее подложку, активный слой сегнетоэлектрика, системы управляющих шин,первые из которых размещены на поверхности активного слоя 3 .Недостатком известного устройства является неудовлетворительная надежность, обусловленная сложной системой шин для управления записью . и считыванием информации.Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя...

Номер патента: 1030853

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Верба, Кудренко, Мартынюк, Полковниченко, Самофалов, Харламов, Христов, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...сплошной общий электрод, а на другую - разрядные элек-, троды различной площади 1.3 ОНедостатаком данного устройства является низкая помехозащищенность,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является накопитель, содержащий соединенные по 15 экранирующему электроду две пьезопластины, на которые сверху нанесены разрядные электроды, а снизу - сплошной общий электрод 23.Недостатком известного устройства 2 О является также низкая помехозащищенность, обусловленная сигналом помехи на невыбранных элементах, приводящим к частичной поляризации нли деполяризации невыбранвых Элементов и изменению амплитуды выходного сигнала в режиме считывания.Целью изобретения является увеличение помехозащишенности сегнетоэлек трического...

Номер патента: 1043745

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Мартынюк, Палей, Пирогов, Рухлядев, Самофалов, Сапожников, Шпак

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...также Ферроэлектрическая О матрица памяти, в которой используется пластина из Ферроэлектрика с нанесенными на ее противоположные стороны двумя парами электродов записи-считывания 23. 15Недостатками этих матриц является акустическая связь между соседними элементами, сложные конструкция и технология изготовления.Наиболее близкой по технической 2 О сущностик изобретению является сегнетопьезокерамическая матрица запоминающих элементов с неразрушающим чтением, содержащая активную пьезопластину, взаимно перпендикуляр-.25 ,ные числовые и разрядные шины, расположенные.с двух сторон активной пьезопластины Г 33Недостатком известной матрицы является низкая надежность иэ-за акустических помех, обусловленных монояитной конструкцией запоминающей...

Номер патента: 1051601

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Валецкий, Воищев, Елисеева, Коршак

МПК: H01G 7/04

Метки: материал, сегнетоэлектрический, термостойкий

...ккал. Приведенные характеристи ки свидетельствуют о высокой гибкости макромолекул полидиметилсилоксана, что играет главную роль в кинетике его кристаллизации, определяя возможность переупаковок цепей, 60 ведущих к образованию зародышей кристаллов и способствуюзации внутренней структура, благодаря которой онпироэлектрические свойст П р и м е р. Пленки из полидиметилсилоксана общей формулы толщиной 70 - 100 мкм помещают междуизмерительными электродами диаметром1, 510 2 м. Исследуемый образец помешают в специальную камеру, позволяющую проводить измерения в атмосфереразличных инертных газов. Образецподключают к электрометру, Охлаждаютобразец в атмосфере гелия со скоростью 2 град/мин от комнатной температуры до -180 С. При охлаждении...

Номер патента: 1057987

Опубликовано: 30.11.1983

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, сегнетоэлектрический, элемент

...изменяется в соответствии с заданным кодом информации, и служитдля хранения информации. Эта пластинаимеет толщину 60 мкм 11,.Недостатком устройства являетсянеудовлетворительное энергопотребление, обусловленное высокими напряже ниями для записи информации,Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому является. элемент памяти, содержащий две сегнетокерамические пластины, толщиной100 мкм соединенные по общему электроду 2;30Однако известное устройство характеризуется также высоким энергопот-.реблением. в связи с тем, что напряжение записи равно 150 В,Цель изобретения - снижение 35энергопотребления сегнетоэлектрического элемента памятиПоставленная цель достигается тем,;ато в сегнетоэлектрический элементпамяти, содержащий две...

Номер патента: 1077867

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Акимов, Плевако, Шимченок

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...диапазон спекания,оптимальная добавка оксида бария 10 находится в пределах 4,00- 7,00 ипри дальнейшем ее увеличении происходит снижение диэлектрической проницаемости, укрупнение кристаллических зерен в керамическом материале, 15 повышается тангенс угла диэлектрических потерь, При добавках оксидабария меньше 4,00 не достигается вы 1сокое значение диэлектрической про" ь ницаемости, а температурный коэффи" ь 2 О циент емкости становится хуже.Положительный эффект достигаетсяза счет добавки в керамический материал смеси, состоящей из Ч О,М 90, ЯЬО и ВаО. При введении каж дого из этих веществ в отдельностиполученный эффект незначителен.Сегнетокерамический материал получают по общепринятой керамическойтехнологии. Приготавливают смесьиз...

Номер патента: 1085964

Опубликовано: 15.04.1984

Авторы: Андреев, Андреева, Балакишиева, Голубцова, Жуковский, Константинов, Костомаров, Макарова, Ротенберг, Соловьева

МПК: C04B 35/468

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...состана, мас,Ъ:"Ь 2 0,3 - 3,00,3-3,0"2"0,4-4,0Нцт;"Э Остальноеданный материал имеет величину ди электрической проницаемости Е /Г2300-700, а изменение Г в интервалетемператур от -60 до +125" С не превы -мает +20 Ъ, тангенс угла диэлектрических потерь 0,012-0,018 21. 50Однако этот материал не обеспечинает получения величины диэлектрической проницаемости Е/фЕ;, более2600, а также тангенса угла диэлектрических потерь менее 0,012, что 55является его существенным недостатком,Пель изобретения - увеличение диэлектрической проницаемости и уменьшение таыгепса угла диэлектрических 60потерь. Указанная пель достигается тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий НяТ 109, ИЬ 20, 002 или его концентрат"Ь 20 э,...

Номер патента: 1283853

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Белов, Костин, Овечкин, Прохоров, Сегалла

МПК: G11C 11/22

Метки: информации, накопитель, сегнетоэлектрический

...Конструкция с боков залита демпфирующим компаундом 10. Пластина 1 выполнена из сегнетокерамики цирконататитаната свинца-лантана.Накопитель работает следующим об-разом.Подачей импульса напряжения записи на выбранные электроды 2 и 3 накопителя осуществляют поляризацию35сегнетоэлектрика на участке ортогонального перекрытия электродов. Заинформационную единицу принимают одно из двух возможных направлений поляризации, а за информационный ноль -противоположное направление поляризации. Для изменения направленияполяризации следует изменить полярность импульса напряжения записи.Считывание информации осуществляют известным способом (как и в,известном устройстве) - подачей импульсов напряжения полувыборки меньщего коэрцитивного напряжения на...

Номер патента: 1289857

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Жиляев, Леонидов, Фотиев, Ходос

МПК: C04B 35/01, C04B 35/057

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...технологии из исходной шихты, состоящей из карбоната кальция и оксидов ванадия (Ч) и европия (11), взятых в нужном соотношении, Исходную шихту растирают со спиртом в течение 30- 40 мин, прокаливают при 600-610 С в течение 6-7 ч. Затем повторно растирают со спиртом в течение 15- 20 мин и отжигают 12-14 ч при 90020о. 910 С. Полученный поликристаллический,материал формуют и спекают в виде изделий различной формы для применения в качестве сегнетоэлектрической керамики.Определение диэлектрической проницаемости осуществляют измерением емкости с помощью моста переменноготока на частоте 1 кГц. Температуру30 Кюри определяют из политерм диэлектрической проницаемости.П р и м е р 1. Карбонат кальция СаО марки "осч" 61,59 вес.ч.(61,59 г),...