Патенты с меткой «245922»

Номер патента: 245922

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вальд, Мартиросов, Тагер

МПК: H01L 29/06

Метки: 245922

...ставленного из различных полупроводниковыхи диэлектрических материалов, отличающихся значениями ширины запрещенной зоны таким образом, что запорный слой располагается частично в полупроводнике (диэлектрике) с узкой запрещенной зоной и низкой пробивной напряженностью электрического поля, а частично в полупроводнике (диэлектрике) с широкой запрещенной зоной и высокой пробивной напряженностью электрического поля. В 0 этом случае даже при однородном распределении напряженности электрического поля по толщине запорного слоя можно в широких пределах варьировать отношение ширины слоя умножения и ширины пролетного пространства и следовательно отношение О /с/. В частности, в структуре с однородным полем можно сделать слой умножения очень тонким по...